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Dioden (29505)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | Feuchtigitesempfindlich (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZT03D68-tr | - - - |  | 1151 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT03 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5,88% | 175 ° C (TJ) | K. Loch | SOD-57, axial | BZT03 | 1,3 w | SOD-57 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 25.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µa @ 51 V | 68 v | 80 Ohm | |||||||||||
 | GLL4741A-E3/96 | 0,3256 | | 9877 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | GLL4741 | 1 w | Melf Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 5 µa @ 8,4 V | 11 v | 8 Ohm | ||||||||||||
 | MBR10H100-E3/4W | - - - | | 3192 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | MBR10 | Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 770 mv @ 10 a | 4,5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||
| 1N6480-E3/96 | 0,4500 | | 48 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1N6480 | Standard | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 1 a | 10 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | PLZ12C-HG3_A/H. | 0,3600 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Plz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ12 | 500 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 200 NA @ 9 V | 12 v | 12 Ohm | |||||||||||
 | VS-1N1184R | - - - | | 8371 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1184 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,7 V @ 110 a | 10 mA @ 100 v | -65 ° C ~ 190 ° C. | 35a | - - - | ||||||||||
| GLL4763-E3/97 | 0,2970 | | 8654 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | GLL4763 | 1 w | Melf Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µA @ 69.2 V. | 91 V | 250 Ohm | ||||||||||||
| GLL4748-E3/97 | 0,2970 | | 3205 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | GLL4748 | 1 w | Melf Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µa @ 16,7 V | 22 v | 23 Ohm | ||||||||||||
 | SMZJ3795BHE3/5B | - - - | | 4617 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Smzj37 | 1,5 w | Do-214AA (SMBJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.200 | 5 µa @ 13,7 V | 18 v | 12 Ohm | ||||||||||||
 | BZG03B16-M3-08 | 0,2228 | | 6085 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG03B-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG03B16 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µa @ 12 V | 16 v | 15 Ohm | |||||||||||
 | VS-ETU1506STRL-M3 | 0,7542 | | 3111 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | ETU1506 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSETU1506STRLM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,07 V @ 15 a | 210 ns | 15 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - - - | ||||||||
| BZG03C15-HM3-18 | 0,5200 | | 3057 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZG03C-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG03C15 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µa @ 11 V | 15 v | 10 Ohm | |||||||||||
 | ES2AHE3/5BT | - - - | | 4570 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Es2 | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 900 mv @ 2 a | 30 ns | 10 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 18PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | SE70PDHM3_A/H. | 0,4125 | | 8702 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | SE70 | Standard | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,05 V @ 7 a | 2,6 µs | 20 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2.9a | 76PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| BZG05C5V1-HE3-TR | - - - | | 4815 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZG05C | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 1,5 V | 5.1 v | 10 Ohm | |||||||||||
 | MMSZ5232B-E3-18 | 0,2700 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5232 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 5 µa @ 3 V | 5.6 v | 11 Ohm | ||||||||||||
 | SE20DG-M3/i | 1.2100 | | 40 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | SE20 | Standard | To-263ac (SMPD) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,2 V @ 20 a | 3 µs | 25 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3.9a | 150pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| PLZ7V5A-G3/H | 0,2800 | | 33 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | PLZ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,63% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ7V5 | 960 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 500 na @ 4 v | 7.04 v | 8 Ohm | |||||||||||
 | MMSZ4696-HE3_A-08 | 0,0533 | | 2534 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | 112-mmsz4696-he3_a-08tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 6,9 V | 9.1 v | |||||||||||||||
 | SS3P4-M3/85A | 0,1363 | | 6524 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | SS3P4 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 600 mv @ 3 a | 150 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 130pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
 | BYG20DHE3_A/I. | 0,1419 | | 9949 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BYG20 | Lawine | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,4 V @ 1,5 a | 75 ns | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | - - - | |||||||||
| BZG05B75-M3-18 | 0,1980 | | 2539 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG05B-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05B75 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 56 V | 75 V | 135 Ohm | |||||||||||
| VS-88HF100 | 9.6567 | | 7100 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 88HF100 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS88HF100 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,2 V @ 267 a | -65 ° C ~ 180 ° C. | 85a | - - - | ||||||||||
| US1AHE3/5AT | - - - | | 2981 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | US1 | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 10 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | Bis 206GPHE3/73 | - - - | | 3049 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Bis 206 | Standard | DO-204AL (DO-41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,5 V @ 2 a | 1 µs | 2 µa @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 400 ma | - - - | |||||||||
| MBR15H50CT-E3/45 | - - - | | 4919 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | MBR15 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 50 v | 7.5a | 730 MV @ 7,5 a | 50 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
 | CS3K-e3/i | 0,3900 | | 115 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | CS3 | Standard | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,15 V @ 3 a | 2,8 µs | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 26pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
| V10D100C-M3/i | 0,9900 | | 5846 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | V10D100 | Schottky | Smpd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 5a | 750 mv @ 5 a | 500 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
| S4pbhm3_a/i | 0,1980 | | 1946 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | S4p | Standard | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 4 a | 2,5 µs | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 30pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
| VS-21DQ04TR | - - - | | 6489 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 21dq04 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 550 mV @ 2 a | 500 µa @ 40 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - |
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