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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-SD300C28C | 110.8783 | ![]() | 3581 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Klemmen | DO-200AA, A-Puk | SD300 | Standard | DO-200AA, A-Puk | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2800 v | 2.08 V @ 1500 a | 15 mA @ 2800 V | 540a | - - - | |||||||||||||
![]() | VS-SD1700C24K | 230.3650 | ![]() | 4130 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Klemmen | Do-200AC, K-Puk | SD1700 | Standard | Do-200AC, K-Puk | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2400 V | 1,81 V @ 4000 a | 75 mA @ 2400 V | 2080a | - - - | |||||||||||||
![]() | 10CTQ150Strr | - - - | ![]() | 9636 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 10ctq | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 5a | 930 mv @ 5 a | 50 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||
![]() | BZX85B22-TAP | 0,0561 | ![]() | 4153 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | BZX85B22 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 25.000 | 500 NA @ 16 V. | 22 v | 25 Ohm | ||||||||||||||
![]() | BZT52B3V9-G3-08 | 0,0501 | ![]() | 2667 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT52-G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52B3V9 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 3,9 v | 80 Ohm | |||||||||||||||
![]() | TLZ51-GS08 | 0,2500 | ![]() | 8158 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Tlz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TLZ51 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 40 NA @ 45.6 V. | 51 v | 100 Ohm | |||||||||||||
![]() | VS-MBRB3045CTTRRP | - - - | ![]() | 5889 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRB30 | Schottky | To-263ab (d²pak) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSMBRB3045CTTRRP | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 15a | 760 mv @ 30 a | 1 ma @ 45 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
FES16CT-23HE3/45 | - - - | ![]() | 6837 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | FES16 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 975 mv @ 16 a | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||
![]() | VS-1EFH01WHM3-18 | - - - | ![]() | 8971 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-219AB | 1EFH01 | Standard | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 930 mv @ 1 a | 16 ns | 2 µa @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||
![]() | US1BHE3/5AT | - - - | ![]() | 7508 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | US1 | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | BZD27C43P-M3-08 | 0,1650 | ![]() | 1293 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZD27-m | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27C43 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 33 V | 43 v | 45 Ohm | |||||||||||||
![]() | SMBZ5934B-E3/5B | 0,4600 | ![]() | 9421 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBZ5934 | 3 w | Do-214AA (SMBJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.200 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 18,2 V. | 24 v | 19 Ohm | |||||||||||||
![]() | GP10-4005EHM3/54 | - - - | ![]() | 2800 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | GP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | BYM07-50HE3/98 | - - - | ![]() | 7625 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | BYM07 | Standard | Do-213AA (GL34) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,25 V @ 500 mA | 50 ns | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500 mA | 7pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | BZD17C18P-E3-18 | 0,1482 | ![]() | 7386 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD17 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 50.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 13 V | 18 v | ||||||||||||||
![]() | VS-30CTQ045PBF | - - - | ![]() | 7457 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-3 | 30ctq045 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 15a | 620 mv @ 15 a | 2 ma @ 45 v | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||
![]() | BZG05C43-M3-18 | 0,1089 | ![]() | 7166 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG05C-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,98% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05C43 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 na @ 33 v | 43 v | 50 Ohm | |||||||||||||
![]() | GBU6J-M3/51 | 1.1425 | ![]() | 2379 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | GBU6 | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 6 a | 5 µa @ 600 V | 6 a | Einphase | 600 V | |||||||||||||
![]() | S4pghm3_a/h | 0,5400 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | S4p | Standard | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 4 a | 2,5 µs | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 30pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | SE40PDHM3/86A | - - - | ![]() | 1880 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | SE40 | Standard | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,05 V @ 2 a | 2,2 µs | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2.4a | 28PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | MBR1650-E3/45 | - - - | ![]() | 8046 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | MBR16 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 750 mv @ 16 a | 1 ma @ 50 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - - - | ||||||||||||
![]() | VLZ3V0A-GS18 | - - - | ![]() | 9435 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | VLZ3V0 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 50 µa @ 1 V | 2,96 v | 70 Ohm | |||||||||||||
![]() | VS-1N3209R | - - - | ![]() | 5696 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N3209 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,5 V @ 15 a | 10 mA @ 100 v | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - - - | ||||||||||||
![]() | MBRB760HE3/81 | - - - | ![]() | 5344 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRB7 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 750 mV @ 7,5 a | 500 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | - - - | ||||||||||||
![]() | GP10DE-M3/73 | - - - | ![]() | 1149 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | GP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | AU3PDHM3_A/i | 0,6765 | ![]() | 4788 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Au3 | Lawine | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,9 V @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.7a | 72pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | Smzj3796bhm3_b/h | 0,1508 | ![]() | 9853 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Smzj3796 | 1,5 w | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-smzj3796bhm3_b/h | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 15,2 V | 20 v | 14 Ohm | ||||||||||||||
MMBZ5247B-G3-08 | - - - | ![]() | 9296 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5247 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 na @ 13 v | 17 v | 19 Ohm | |||||||||||||||
![]() | BZG05C33-M3-18 | 0,1089 | ![]() | 3975 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG05C-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,06% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05C33 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 24 V. | 33 v | 35 Ohm | |||||||||||||
![]() | MBRF1045HE3_A/P. | 0,7095 | ![]() | 6513 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF104 | Schottky | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-mbrf1045he3_a/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 840 mv @ 20 a | 100 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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