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Dioden (29505)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | Feuchtigitesempfindlich (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SE10DLJHM3/i | 1.2200 |  | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | Standard | To-263ac (SMPD) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1 V @ 10 a | 280 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3.6a | 70pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | MMSZ5238C-E3-18 | 0,0433 | | 3568 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5238 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 3 µA @ 6,5 V. | 8,7 v | 8 Ohm | ||||||||||||
 | VS-32CTQ030strrhm3 | 1.4113 | | 1897 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 32ctq030 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 15a | 490 mv @ 15 a | 1,75 mA @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
 | AR4PJHM3/86A | - - - | | 2668 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | AR4 | Lawine | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,6 V @ 4 a | 140 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 77PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | VS-305UA160 | - - - | | 6941 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | 305UA160 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | |||||||||||||||||||||||
 | BYG20J-M3/TR3 | 0,1518 | | 3269 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BYG20 | Lawine | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,4 V @ 1,5 a | 75 ns | 1 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | - - - | |||||||||
 | VS-6FL40S02 | 5.5208 | | 8451 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | 6fl40 | Standard | DO-203AA (DO-4) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,4 V @ 6 a | 200 ns | 50 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - - - | |||||||||
 | MMBD6050-G3-08 | 0,0306 | | 7578 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBD6050 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 70 V | 1,1 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 50 V | 150 ° C (max) | 200 ma | - - - | |||||||||
| MMSZ5256B-G3-08 | 0,0409 | | 7682 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5256 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 na @ 23 v | 30 v | 49 Ohm | ||||||||||||
 | 1N4001-E3/73 | 0,2400 | | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4001 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,1 V @ 1 a | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | RGP20AHE3/54 | - - - | | 7458 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201aa, Do-27, axial | RGP20 | Standard | GP20 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,3 V @ 2 a | 150 ns | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - - - | |||||||||
 | TZM5225C-GS18 | - - - | | 2021 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5225 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 50 µa @ 1 V | 3 v | 29 Ohm | |||||||||||
| VS-8ETX06STRRPBF | - - - | | 9690 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 8ETX06 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS8ETX06STRRPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 3 V @ 8 a | 17 ns | 50 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | ||||||||
| BYS11-90HE3_A/I. | 0,1193 | | 8970 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BYS11 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 750 mV @ 1 a | 100 µa @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | - - - | |||||||||||
| EGP10C-M3/54 | - - - | | 3748 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | EGP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 950 mv @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 22PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | MPG06G-E3/73 | 0,4200 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | Mpg06, axial | MPG06 | Standard | MPG06 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 600 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
 | VS-60EPU06P-S1 | - - - | | 9522 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-247-3 | 60EPU06 | Standard | To-247ac | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,68 V @ 60 a | 81 ns | 50 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 60a | - - - | |||||||||
 | P300m-E3/54 | 0,4700 | | 6511 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | P300 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,2 V @ 3 a | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 30pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
 | V3F6HM3/i | 0,0875 | | 3185 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | V3f6 | Schottky | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 620 mv @ 3 a | 600 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 310pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
 | Byv27-100-tr | 0,7400 | | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | SOD-57, axial | Byv27 | Lawine | SOD-57 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,07 V @ 3 a | 25 ns | 1 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - - - | |||||||||
| SS12P4S-M3/87A | 0,5042 | | 2526 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | SS12P4 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 600 mv @ 12 a | 800 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 12a | 750pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | HFA15TB60 | - - - | | 6268 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Hexfred® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | HFA15 | Standard | To-220ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 15 a | 60 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - - - | |||||||||
 | VS-MBRD650CTTRLPBF | - - - | | 3960 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MBRD6 | Schottky | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 50 v | 3a | 650 mv @ 3 a | 100 µa @ 50 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
| VS-42HFR100 | 6.5000 | | 4209 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 42HFR100 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS42HFR100 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 125 a | -65 ° C ~ 190 ° C. | 40a | - - - | ||||||||||
| VB20M120C-E3/4W | 0,7202 | | 4777 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | VB20M120 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 120 v | 10a | 910 mv @ 10 a | 700 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
 | SSB44HM3_A/i | 0,4800 | | 2594 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SSB44 | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 490 mv @ 4 a | 400 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 4a | - - - | ||||||||||
| BZT03C16-TAP | 0,2970 | | 9332 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT03 | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 5,63% | 175 ° C (TJ) | K. Loch | SOD-57, axial | BZT03C16 | 1,3 w | SOD-57 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µa @ 12 V | 16 v | 15 Ohm | |||||||||||
| BZT52B4V3-E3-18 | 0,0415 | | 6081 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT52 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52B4V3 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 4.3 v | 80 Ohm | |||||||||||||
 | SMBZ5926B-E3/52 | 0,1676 | | 8644 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBZ5926 | 3 w | Do-214AA (SMBJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µa @ 8,4 V | 11 v | 5,5 Ohm | |||||||||||
 | BZX55A20-TAP | - - - | | 9304 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 1% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 15 V | 20 v | 55 Ohm |
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