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Dioden (29505)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Strom - Max | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BAS40L-G3-08 | 0,3000 |  | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 0402 (1006 Metrik) | Bas40 | Schottky | DFN1006-2A | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 1 V @ 40 mA | 10 µa @ 40 V | 150 ° C. | 200 ma | 2.9pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||||
 | BZD27C120p-HE3-18 | 0,1660 | | 4204 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZD27C | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27C120 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 50.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 91 V | 120 v | 250 Ohm | ||||||||||||||||
 | TZM5249B-GS08 | 0,2300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5249 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 14 v | 19 v | 23 Ohm | ||||||||||||||||
 | VS-60CPU04-N3 | 8.1300 | | 500 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | 60cpu04 | Standard | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 400 V | 30a | 1,3 V @ 30 a | 65 ns | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||
 | By251GP-E3/54 | - - - | | 7820 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | Bis 251 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 3 a | 3 µs | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 40pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||
 | 10tf04strl | - - - | | 6317 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 10tf04 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,2 V @ 10 a | 145 ns | 100 µa @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||||
 | 1N5266b-t | - - - | | 7185 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5266 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1N5266B-TGI | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 52 v | 68 v | 1600 Ohm | ||||||||||||||||
 | VSS8D3M6HM3/i | 0,4300 | | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | S8D3 | Schottky | Slimsmaw (Do-221ad) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 490 mV @ 1,5 a | 300 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 2.5a | 500PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||
 | UH6PDHM3_A/i | - - - | | 5026 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | UH6 | Standard | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,05 V @ 6 a | 25 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||
| MBRB2080CTTRR | - - - | | 3424 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRB20 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 80 v | 10a | 800 mV @ 10 a | 100 µa @ 80 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||
 | BA782-HG3-08 | - - - | | 8305 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 125 ° C (TJ) | SOD-123 | Ba782 | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 1,25PF @ 3V, 1 MHz | Pin - Single | 35 V | 700 MOHM @ 3MA, 1 GHz | ||||||||||||||||||
| BZT52C6V2-E3-08 | 0,2700 | | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT52 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52C6v2 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 2 v | 6.2 v | 4,8 Ohm | |||||||||||||||||
 | VS-80SQ035TR | - - - | | 3385 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Ar, axial | 80sq035 | Schottky | Do-204Ar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 530 mv @ 8 a | 2 ma @ 35 v | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | |||||||||||||||
 | US1AHE3/61T | - - - | | 8159 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | US1 | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 10 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
 | BZX55F2V7-TAP | - - - | | 9289 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 1% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 10 µa @ 1 V | 2,7 v | 85 Ohm | ||||||||||||||||
| ZMM5221B-7 | - - - | | 9890 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Zmm52 | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 2,4 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||
| MMSZ5244B-G3-08 | 0,0409 | | 9510 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5244 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 na @ 10 v | 14 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||
| SE15FJ-M3/i | 0,0781 | | 3556 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SE15 | Standard | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,05 V @ 1,5 a | 900 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1,5a | 10.5PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
| BZG05C22-M3-08 | 0,3900 | | 8140 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG05C-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,68% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05C22 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 16 V. | 22 v | 25 Ohm | ||||||||||||||||
 | VS-12TQ045PBF | - - - | | 5753 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-2 | 12TQ045 | Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 560 mv @ 15 a | 1,75 mA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - - - | |||||||||||||||
 | GI1403-E3/45 | 0,5298 | | 1781 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | GI1403 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 975 mv @ 8 a | 35 ns | 5 µa @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||||||
| UGE5JT-E3/45 | - - - | | 2654 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | Uge5 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,75 V @ 5 a | 25 ns | 30 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||||||
 | SE10DG-M3/i | 0,8900 | | 50 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | SE10 | Standard | To-263ac (SMPD) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,15 V @ 10 a | 3 µs | 15 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 67PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
| RGL41KHE3_A/i | - - - | | 8008 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | RGL41 | Standard | Do-213ab | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | RGL41KHE3_B/i | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||
 | GDZ2V7B-HG3-08 | 0,0509 | | 5418 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, GDZ-G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Gdz2v7 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 µa @ 1 V | 2,7 v | 110 Ohm | |||||||||||||||||
 | Es3g-e3/9at | 0,6300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Es3g | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 3 a | 50 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 30pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||
| MMSZ4686-HE3-18 | 0,0378 | | 8200 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ4686 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 5 µa @ 2 V. | 3,9 v | ||||||||||||||||||
 | AZ23C2V7-G3-08 | 0,0483 | | 5563 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | AZ23-G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23C2v7 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 2,7 v | 83 Ohm | |||||||||||||||||
| VS-12TQ045StrlHM3 | 1.0540 | | 9637 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 12TQ045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 560 mv @ 15 a | 1,75 mA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | 900pf @ 5v, 1 MHz | |||||||||||||||
| VS-ETX1506SRR-M3 | 0,7542 | | 8574 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | ETX1506 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSETX1506SRRM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 3,4 V @ 15 a | 20 ns | 36 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - - - |
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