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Dioden (29505)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Rs2dhe3_a/i | 0,1650 |  | 1964 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | RS2D | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 1,5 a | 150 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
 | BZG03C82-HM3-08 | 0,5200 | | 5968 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZG03C-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,1% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG03C82 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µa @ 62 V | 82 v | 100 Ohm | |||||||||||
 | ESH3C-M3/57T | 0,2454 | | 9820 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Esh3 | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 900 mv @ 3 a | 40 ns | 5 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 70pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | Byt51j-tr | 0,2772 | | 7075 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | SOD-57, axial | Byt51 | Lawine | SOD-57 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 1 a | 4 µs | 1 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1,5a | - - - | |||||||||
 | BZT52B20-HE3_A-08 | 0,0533 | | 1257 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | Herunterladen | 112-BZT52B20-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 na @ 15 V | 20 v | 50 Ohm | |||||||||||||||
 | SS2PH10-E3/85A | - - - | | 9046 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-220aa | SS2PH10 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 800 mV @ 2 a | 1 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 65PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | BZW03C120-TAP | - - - | | 2072 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZW03 | Band & Box (TB) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | SOD-64, axial | BZW03 | 1,85 w | SOD-64 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,2 V @ 1 a | 2 µa @ 91 V | 120 v | 170 Ohm | |||||||||||
 | VI20202C-M3/4W | 2.2300 | | 8567 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Vi20202 | Schottky | To-262aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 10a | 900 mv @ 10 a | 150 µa @ 200 V. | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
| VS-10MQ040HM3/5AT | 0,4300 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 10mq040 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 540 mv @ 1 a | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 38PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||||
 | 1N5222C-TAP | 0,0373 | | 3018 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5222 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 2,5 v | 30 Ohm | |||||||||||
 | V40PW45C-M3/i | 1.4700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | V40PW45 | Schottky | Slimdpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 20a | 640 mv @ 20 a | 1,2 mA @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
 | GI852-E3/54 | - - - | | 2466 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | GI852 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,25 V @ 3 a | 200 ns | 10 µA @ 200 V. | -50 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 28PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | MBRB20H100CT/45 | - - - | | 4464 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRB20 | Schottky | To-263ab (d²pak) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 10a | 770 mv @ 10 a | 4,5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
| 20CTQ035Strr | - - - | | 5996 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 20ctq | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 35 V | 10a | 640 mv @ 10 a | 2 ma @ 35 v | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
 | VT1060C-M3/4W | 0,6331 | | 8855 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | VT1060 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VT1060CM34W | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 5a | 700 mv @ 5 a | 700 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
 | IRD3909 | - - - | | 4291 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | IRD3909 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRD3909 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,8 V @ 62.8 a | 350 ns | 80 µa @ 50 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 30a | - - - | ||||||||
 | VS-MBR2535CTPBF | - - - | | 6491 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-3 | MBR25 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 35 V | 15a | 820 mv @ 30 a | 200 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
 | VS-45LR60 | 39.8600 | | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Bolzenhalterung | Do-205AC, Do-30, Stud | 45LR60 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-205AC (DO-30) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,33 V @ 471 a | -40 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - - - | |||||||||||
 | BZT55C16-GS18 | 0,0283 | | 1022 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT55 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | BZT55C16 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 Na @ 12 V. | 16 v | 40 Ohm | |||||||||||
 | VS-12F10 | 4.8300 | | 4073 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | 12f10 | Standard | DO-203AA (DO-4) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,26 V @ 38 a | 12 mA @ 100 v | -65 ° C ~ 175 ° C. | 12a | - - - | ||||||||||
| Fepe16ht-e3/45 | - - - | | 5820 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | Fepe16 | Standard | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 500 V | 8a | 1,5 V @ 8 a | 50 ns | 10 µa @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
 | SB140A-E3/73 | - - - | | 6472 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | SB140 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 480 mv @ 1 a | 500 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||
 | SS8P3LHM3_A/i | 0,6400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | SS8P3 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 570 mv @ 8 a | 200 µA @ 30 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 330pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| AR1PMHM3/85A | 0,2030 | | 8613 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | AR1 | Lawine | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,6 V @ 1 a | 120 ns | 1 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8.5PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| BYG10YHE3_A/H | 0,4200 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BYG10 | Lawine | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1600 v | 1,15 V @ 1,5 a | 4 µs | 1 µa @ 1600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | - - - | |||||||||
| RS1D-M3/5AT | 0,0682 | | 5264 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RS1D | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
 | BYW29-50HE3/45 | - - - | | 5008 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | BYW29 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,3 V @ 20 a | 25 ns | 10 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 8a | 45PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | HFA180MD60C | - - - | | 4943 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | To-244ab | HFA180 | Standard | To-244ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 600 V | - - - | 140 ns | ||||||||||||
 | V15K60C-M3/i | 0,4519 | | 2031 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-V15K60C-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 5a | 590 mV @ 7,5 a | 1,1 mA @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
| 1N5391-E3/54 | 0,0490 | | 4751 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5391 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,4 V @ 1,5 a | 2 µs | 5 µa @ 50 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 15PF @ 4V, 1 MHz |
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