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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5617GPHE3/54 | - - - | ![]() | 2636 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 1N5617 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,2 V @ 1 a | 150 ns | 500 NA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | 1N4148W-G3-08 | 0,2800 | ![]() | 106 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 1N4148 | Standard | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 150 Ma | - - - | ||||||||||||
![]() | VS-10ETS10SPBF | - - - | ![]() | 2274 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 10ETS10 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS10ETS10SPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 10 a | 50 µa @ 1000 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||
![]() | P600J-E3/54 | 0,9200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | P600, axial | P600 | Standard | P600 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 900 mv @ 6 a | 2,5 µs | 5 µa @ 600 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 150pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | VS-30CTQ100G-1PBF | - - - | ![]() | 2596 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | 30ctq100 | Schottky | To-262-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | VS30CTQ100G1PBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 15a | 1,05 V @ 30 a | 550 µa @ 100 V. | 175 ° C (max) | |||||||||||||
![]() | VI30100SHM3/4W | - - - | ![]() | 6291 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | VI30100 | Schottky | To-262aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 910 mv @ 30 a | 1 ma @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - - - | |||||||||||||
![]() | TZMC6V2-M-18 | 0,0324 | ![]() | 7846 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, TZM-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Tzmc6v2 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 2 v | 6.2 v | 10 Ohm | ||||||||||||||
![]() | AS1PB-M3/85A | - - - | ![]() | 9785 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | As1 | Lawine | DO-220AA (SMP) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,15 V @ 1,5 a | 1,5 µs | 5 µa @ 100 V. | - - - | 1,5a | - - - | ||||||||||||
![]() | BZG04-68-HM3-08 | 0,2079 | ![]() | 6739 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZG04-m | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG04-68 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 5 µa @ 68 V | 82 v | |||||||||||||||
![]() | Lve2560-m3/p | - - - | ![]() | 5636 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GSIB-5S | LVE2560 | Standard | GSIB-5S | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 920 MV @ 12.5 a | 10 µa @ 600 V | 3.5 a | Einphase | 600 V | |||||||||||||||||
![]() | Fesb16cthe3_a/p | 1.3530 | ![]() | 2656 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Fesb16 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 975 mv @ 16 a | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 175PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | VS-VSKD270-04PBF | 201.1700 | ![]() | 4332 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | 3-magn-a-pak ™ | VSKD270 | Standard | Magn-a-Pak® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSVSKD27004PBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 400 V | 135a | 50 mA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||
![]() | TLZ10B-GS08 | 0,2500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Tlz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Tlz10 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 40 NA @ 8.94 V. | 10 v | 8 Ohm | ||||||||||||||
![]() | UGB8JT-E3/45 | - - - | ![]() | 5805 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | UGB8 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,75 V @ 8 a | 50 ns | 30 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||||
By251p-e3/54 | 0,4700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Bis 251 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 3 a | 3 µs | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 40pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | IRKC56/08A | - - - | ![]() | 3190 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Add-a-Pak (3) | IRKC56 | Standard | Add-a-Pak® | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 800 V | 60a | 10 mA @ 800 V | |||||||||||||||
![]() | S07D-GS08 | 0,4400 | ![]() | 59 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | S07 | Standard | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 700 Ma | 4PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
BZX84B33-HE3_A-18 | 0,0498 | ![]() | 6701 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 112-BZX84B33-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 50 na @ 23.1 v | 33 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | M10H100HE3_A/P. | - - - | ![]() | 2103 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | M10H100 | Schottky | To-220ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 880 mv @ 20 a | 4,5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||||||
![]() | AS4PM-M3/86A | 0,7300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | As4 | Lawine | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 962 mv @ 2 a | 1,8 µs | 10 µa @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2.4a | 60pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | VS-30CTQ100HN3 | 1.1798 | ![]() | 6845 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-30CTQ100HN3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 15a | 860 mv @ 15 a | 550 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||
UG4A-E3/73 | - - - | ![]() | 3719 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Ug4 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 950 mv @ 4 a | 30 ns | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | PTV8.2B-M3/85A | 0,1721 | ![]() | 7531 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-220aa | PTV8.2 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 20 µa @ 5 V | 8,8 v | 4 Ohm | ||||||||||||||
![]() | MMSZ4681-G3-08 | 0,0409 | ![]() | 6871 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ4681 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 2 µa @ 1 V | 2,4 v | ||||||||||||||||
![]() | Ss3p3lhm3_a/i | 0,2163 | ![]() | 4060 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | SS3P3 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 470 mv @ 3 a | 250 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||
![]() | VS-STPS30L60CWPBF | - - - | ![]() | 4077 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-247-3 | STPS30 | Schottky | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 15a | 800 mv @ 30 a | 480 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||
AZ23C4V7-HE3-18 | 0,0436 | ![]() | 5365 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, AZ23 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23C4v7 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 4,7 v | 78 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | VX6060CHM3/P. | 1.2606 | ![]() | 1755 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-VX6060Chm3/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 30a | 620 mv @ 30 a | 3,5 mA @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||
![]() | MBRF10H50HE3/45 | - - - | ![]() | 2810 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF10 | Schottky | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 710 mv @ 10 a | 100 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||||
![]() | Gf1ahe3/67a | - - - | ![]() | 2954 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214ba | GF1 | Standard | Do-214BA (GF1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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