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Dioden (29505)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | UGE8HT-E3/45 | - - - |  | 2189 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | Uge8 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,75 V @ 8 a | 25 ns | 30 µa @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | |||||||||
 | BZX85B10-TAP | 0,3800 | | 18 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | BZX85B10 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 500 NA @ 7,5 V. | 10 v | 7 Ohm | ||||||||||||
 | BYG21M/54 | - - - | | 3000 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BYG21 | Lawine | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,6 V @ 1,5 a | 120 ns | 1 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | - - - | |||||||||
 | VS-MUD620CTTRLPBF | - - - | | 2775 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Murd620 | Standard | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 3a | 1 V @ 3 a | 35 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||
 | VS-HFA60FA120P | - - - | | 6679 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Hexfred® | Tablett | Veraltet | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | HFA60 | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | VSHFA60FA120P | Ear99 | 8541.10.0080 | 180 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 1200 V | 30a (DC) | 3 V @ 30 a | 123 ns | 75 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
| SL13HE3/61T | - - - | | 2299 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SL13 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 445 mv @ 1 a | 200 µA @ 30 V. | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1,5a | - - - | ||||||||||
 | STPS20L15G | - - - | | 8099 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | STPS20 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 15 v | 410 mv @ 19 a | 10 mA @ 15 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 20a | - - - | ||||||||||
 | NSF8GThe3/45 | - - - | | 3847 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | NSF8 | Standard | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 8 a | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||
 | Byt28-400-e3/45 | - - - | | 3655 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | Byt28 | Standard | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 400 V | 5a | 1,3 V @ 5 a | 50 ns | 10 µa @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
| Cs1k-e3/i | - - - | | 3946 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | CS1 | Standard | Do-214AC (SMA) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 1 a | 1,5 µs | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 6PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | VSKJ320-08 | - - - | | 4960 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | 3-magn-a-pak ™ | VSKJ320 | Standard | Magn-a-Pak® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 800 V | 320a | 50 mA @ 800 V | ||||||||||||
 | S3ghe3_a/h | 0,4800 | | 765 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | S3g | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,15 V @ 2,5 a | 2,5 µs | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
 | V2FL45HM3/i | 0,0825 | | 9171 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | V2FL45 | Schottky | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 560 mv @ 2 a | 570 µa @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 270pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| VS-MBR2545CTPBF | - - - | | 1958 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-3 | MBR25 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 15a | 820 mv @ 30 a | 200 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
 | VS-18TQ045PBF | - - - | | 4203 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-2 | 18TQ045 | Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 600 mv @ 18 a | 2,5 mA @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 18a | - - - | ||||||||||
| VS-10ETS12PBF | - - - | | 9845 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-2 | 10ets12 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,1 V @ 10 a | 50 µa @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||
 | VS-6FL60S02 | 6.0812 | | 1717 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | 6fl60 | Standard | DO-203AA (DO-4) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,4 V @ 6 a | 200 ns | 50 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - - - | |||||||||
| VS-1N3890R | 6.9900 | | 60 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N3890 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AA (DO-4) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,4 V @ 12 a | 300 ns | 25 µa @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - - - | |||||||||
| BZG05C62TR3 | - - - | | 7625 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | - - - | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 47 V | 62 v | 2000 Ohm | |||||||||||
| SL42-E3/57T | 0,9100 | | 440 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | SL42 | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 420 mv @ 4 a | 500 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 4a | - - - | ||||||||||
 | VI20150SHM3/4W | - - - | | 4393 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | VI20150 | Schottky | To-262aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1,43 V @ 20 a | 250 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - - - | ||||||||||
 | BAS40-02V-HG3-08 | 0,3400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | Bas40 | Standard | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 100 na @ 30 v | 125 ° C. | 120 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||
 | VS-3EYH01HM3/I. | 0,5400 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | 3EYH01 | Standard | Slimsmaw (Do-221ad) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 950 mv @ 3 a | 30 ns | 2 µa @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||
 | BZT52C3V3-HE3-18 | 0,0368 | | 2708 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52C3V3 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 3.3 v | 80 Ohm | |||||||||||||
 | TLZ33B-GS18 | 0,0335 | | 9756 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Tlz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Tlz33 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 40 NA @ 28,8 V. | 33 v | 65 Ohm | |||||||||||
 | 20ETF10FP | - - - | | 7551 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 Full Pack | 20TF10 | Standard | To-220AC Full Pack | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,31 V @ 20 a | 400 ns | 100 µA @ 1000 V | 20a | - - - | ||||||||||
 | SS2P2HM3/84A | 0,1445 | | 9486 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | SS2P2 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 550 mV @ 2 a | 150 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 110PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| GP10-4005E-E3/53 | - - - | | 2276 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | GP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| SL13HE3/5AT | - - - | | 6424 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SL13 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 445 mv @ 1 a | 200 µA @ 30 V. | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1,5a | - - - | ||||||||||
| SBL2040CT-E3/45 | - - - | | 6240 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | SBL2040 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 10a | 600 mv @ 10 a | 1 ma @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C. |
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