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Dioden (29505)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-8ETL06-1PBF | - - - |  | 2749 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | 8ETL06 | Standard | To-262-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,05 V @ 8 a | 250 ns | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||
 | RMPG06JHE3/54 | - - - | | 8167 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Mpg06, axial | RMPG06 | Standard | MPG06 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 6.6PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | VB20M120CHM3/i | - - - | | 2285 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | VB20M | Schottky | To-263ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 120 v | 10a | 910 mv @ 10 a | 700 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||
 | VS-VSUD505CW60 | 54,6000 | | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Kasten | Aktiv | Chassis -berg | To-244ab | Standard | To-244 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 112-VS-VSUD505CW60 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 600 V | 572a | 1.355 V @ 250 a | 179 ns | 820 µa @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||
 | 1N5393-E3/73 | 0,2700 | | 27 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N5393 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,4 V @ 1,5 a | 2 µs | 5 µa @ 200 V. | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | ESH2PBHE3/85A | - - - | | 1265 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-220aa | Esh2 | Standard | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 980 mv @ 2 a | 25 ns | 1 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 25pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
 | Es2ahe3_a/i | 0,1947 | | 1245 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Es2a | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 900 mv @ 2 a | 20 ns | 10 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 18PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | AZ23B11-HE3_A-08 | - - - | | 7211 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, AZ23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 112-AZ23B11-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 100 na @ 8 v | 11 v | 20 Ohm | |||||||||||||||
 | VS-3ECH02-M3/9AT | 0,2026 | | 2656 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | 3ech02 | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 900 mv @ 3 a | 2 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||
 | GL41B-E3/96 | 0,4500 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | GL41 | Standard | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | 1N5247C-TAP | 0,0288 | | 2939 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 2% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5247 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 13 v | 17 v | 19 Ohm | ||||||||||||
 | VS-6CSH02-M3/87A | 0,2701 | | 6026 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | 6csh02 | Standard | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 3a | 940 mv @ 3 a | 25 ns | 2 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
 | GI250-4-M3/73 | - - - | | 1270 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | * | Band & Box (TB) | Veraltet | GI250 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
| 1N4007/54 | - - - | | 9552 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4007 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 1 a | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | GF1DHE3/5CA | - - - | | 1296 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214ba | GF1 | Standard | Do-214BA (GF1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||
| Gp10je-e3/54 | 0,1840 | | 4865 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | GP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| SBLB1640CThe3_A/p | - - - | | 6465 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SBLB1640 | Schottky | To-263ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SBLB1640CThe3_B/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 8a | 550 mV @ 8 a | 500 µa @ 40 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||
 | 12CWQ03FNTRL | - - - | | 9822 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 12cwq | Schottky | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 6a | 470 mv @ 6 a | 3 ma @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
 | PLZ24A-HG3_A/H. | 0,3600 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Plz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ24 | 500 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 19 V | 24 v | 35 Ohm | ||||||||||||
| VS-MBR2545CT-1-M3 | 0,8623 | | 9099 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | MBR2545 | Schottky | To-262-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 15a | 820 MV @ 15 a | 200 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
| GP10-4003HM3/73 | - - - | | 7787 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | GP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | VS-85HFR100 | 12.0307 | | 1920 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 85HFR100 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,2 V @ 267 a | 9 ma @ 1000 v | -65 ° C ~ 180 ° C. | 85a | - - - | |||||||||||
| Irkj71/14a | - - - | | 6213 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Add-a-Pak (3) | Irkj71 | Standard | Add-a-Pak® | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 1400 v | 80a | 10 mA @ 1400 V | |||||||||||||
 | BZD27B47P-E3-08 | 0,1050 | | 8995 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZD27B | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27B47 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 36 V | 47 v | 45 Ohm | ||||||||||||
 | US1A-M3/5AT | 0,0825 | | 7820 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | US1A | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 1 a | 10 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||
| VS-12CWQ10FNTRLPBF | - - - | | 5151 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 12cwq10 | Schottky | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 6a | 800 mv @ 6 a | 1 ma @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
| VS-88-7323 | - - - | | 5002 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | 88-7323 | - - - | 112-VS-88-7323 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| AU2PMHM3/87A | - - - | | 5128 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Au2 | Lawine | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 2,5 V @ 2 a | 75 ns | 10 µa @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.3a | 29PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| RGP10J-M3/73 | - - - | | 2582 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | RGP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | GL41BHE3/96 | 0,4800 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | GL41 | Standard | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz |
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