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Dioden (29505)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GBPC1504-E4/51 | 5.1500 |  | 200 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, GBPC | GBPC1504 | Standard | GBPC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | GBPC1504E451 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 7,5 a | 5 µa @ 400 V | 15 a | Einphase | 400 V | ||||||||||||
 | BZM55B39-TR3 | 0,0433 | | 3574 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZM55 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Keine Frotung | BZM55B39 | 500 MW | Mikrokomelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 30 v | 39 v | 500 Ohm | |||||||||||||
 | RS1FG-M3/i | 0,0483 | | 5090 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Standard | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-RS1FG-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,25 V @ 1 a | 500 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 5PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
 | VS-12CWQ10FNTRRPBF | - - - | | 8805 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 12cwq10 | Schottky | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 6a | 800 mv @ 6 a | 1 ma @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
 | RGP02-17E-E3/53 | - - - | | 5252 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | RGP02 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1700 v | 1,8 V @ 100 mA | 300 ns | 5 µa @ 1700 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500 mA | - - - | |||||||||||
 | SS2PH10-E3/85A | - - - | | 9046 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-220aa | SS2PH10 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 800 mV @ 2 a | 1 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 65PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
 | 12TQ035s | - - - | | 3895 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 12TQ035 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *12TQ035s | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 560 mv @ 15 a | 1,75 mA @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - - - | |||||||||||
 | BZX55B6V2-TAP | 0,2200 | | 92 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55B6V2 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 2 v | 6.2 v | 10 Ohm | |||||||||||||
 | VS-3C40CP07L-M3 | 16.9500 | | 494 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | VS-3C40 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-3C40CP07L-M3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 650 V | 20a (DC) | 1,5 V @ 20 a | 0 ns | 100 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
 | V12PL63-M3/h | 0,8100 | | 8676 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | V12PL63 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 580 mv @ 12 a | 450 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 12a | 2600pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
| V10P10HE3/86A | - - - | | 9800 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | V10p10 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 680 mv @ 10 a | 150 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||
 | GDZ10B-G3-08 | 0,0445 | | 4646 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Gdz-g | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Gdz10 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 na @ 7 v | 10 v | 30 Ohm | ||||||||||||||
 | VS-65APS16LHM3 | 5.6200 | | 8070 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | 65APS16 | Standard | To-247ad (to-3p) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1600 v | 1,17 V @ 65 a | 100 µa @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 65a | - - - | ||||||||||||
 | SML4761HE3/61 | - - - | | 3236 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4761 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µa @ 56 V | 75 V | 175 Ohm | ||||||||||||||
 | US1J-M3S/61T | - - - | | 4250 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Standard | Do-214AC (SMA) | - - - | 1 (unbegrenzt) | 112-US1J-M3S/61TTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.400 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 1 a | 75 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||
| VS-HFA04TB60SR-M3 | 0,3635 | | 9344 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Hexfred® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | HFA04 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,2 V @ 8 a | 42 ns | 3 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | - - - | |||||||||||
 | SE50PAGHM3/i | 0,5000 | | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221BC, SMA Flat Leads Exponierte Pad | SE50 | Standard | DO-221BC (SMPA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,16 V @ 5 a | 2 µs | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 32pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| ESH1PB-M3/84A | 0,4600 | | 1504 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | Esh1 | Standard | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 900 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
 | RMPG06B-E3/54 | 0,1016 | | 7900 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Mpg06, axial | RMPG06 | Standard | MPG06 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 6.6PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | ESH3C-M3/57T | 0,2454 | | 9820 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Esh3 | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 900 mv @ 3 a | 40 ns | 5 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 70pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| SS1H9HE3/5AT | - - - | | 9297 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SS1H9 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 770 mv @ 1 a | 1 µa @ 90 V | 175 ° C (max) | 1a | - - - | ||||||||||||
| VS-10MQ040HM3/5AT | 0,4300 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 10mq040 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 540 mv @ 1 a | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 38PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||
 | VS-80PFR80 | 6.6000 | | 89 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 80PFR80 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS80PFR80 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,4 V @ 220 a | -55 ° C ~ 180 ° C. | 80a | - - - | ||||||||||||
| Vs-8eth06strlpbf | - - - | | 3661 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 8eth06 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Vs8eth06strlpbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,4 V @ 8 a | 25 ns | 50 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||
 | TZMC12-GS08 | 0,2300 | | 21 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, TZM | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZMC12 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 NA @ 9.1 V. | 12 v | ||||||||||||||
 | SL23HM3_A/H | 0,1779 | | 4906 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SL23 | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-SL23HM3_A/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 440 mv @ 2 a | 400 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - - - | |||||||||||
 | EGF1DHE3/5CA | - - - | | 1041 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214ba | EGF1 | Standard | Do-214BA (GF1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | VS-51MT120KPBF | 105.5500 | | 1758 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | MT-K-Modul | 51MT120 | Standard | MT-K | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS51MT120KPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 55 a | DRIPHASE | 1,2 kv | ||||||||||||||
 | BZX884B15L-HG3-08 | 0,3600 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX884L | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 0402 (1006 Metrik) | 300 MW | DFN1006-2A | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 10,5 V. | 15 v | 30 Ohm | |||||||||||||||
| BZG03C82-HM3-08 | 0,5200 | | 5968 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZG03C-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,1% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG03C82 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µa @ 62 V | 82 v | 100 Ohm |
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