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Dioden (29505)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TZM5238B-GS18 | 0,0303 |  | 9812 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5238 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 6,5 V. | 8,7 v | 8 Ohm | ||||||||||||
 | MBRF2560CT/45 | - - - | | 1456 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF2560 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 15a | 750 mv @ 15 a | 1 ma @ 60 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
 | GF1B-E3/67A | 0,4900 | | 27 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214ba | GF1 | Standard | Do-214BA (GF1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||
 | AZ23B51-G3-18 | 0,0594 | | 2183 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | AZ23-G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23B51 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 100 Na @ 38 V. | 51 v | 100 Ohm | ||||||||||||
 | BYD33GGP-E3/54 | - - - | | 4124 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Byd33 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 400 V | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| AZ23C13-HE3-08 | 0,0436 | | 3269 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, AZ23 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23C13 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 100 na @ 10 v | 13 v | 25 Ohm | ||||||||||||
 | Tzx2v7a-tr | 0,2400 | | 30 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, TZX | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Tzx2v7 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 500 mV | 2,7 v | 100 Ohm | ||||||||||||
 | BZG05C91-E3-TR3 | - - - | | 9023 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG05C | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 68 V. | 91 V | 25 Ohm | ||||||||||||
 | BYWB29-150HE3_A/i | 0,9264 | | 4134 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | BYWB29 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1,3 V @ 20 a | 25 ns | 10 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||
 | MMSZ5261C-HE3-08 | 0,0454 | | 4735 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5261 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 na @ 36 v | 47 v | 105 Ohm | |||||||||||||
| MMSZ4707-HE3-18 | 0,0378 | | 1004 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ4707 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 10 Na @ 15,2 V. | 20 v | ||||||||||||||
| VBT1045CBP-E3/8W | 1.2400 | | 3492 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | VBT1045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 5a | 580 mv @ 5 a | 500 µa @ 45 V | 200 ° C (max) | |||||||||||
| MMBZ5266B-E3-18 | - - - | | 5212 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5266 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 na @ 52 v | 68 v | 230 Ohm | |||||||||||||
 | 6cwq06fntr | - - - | | 3013 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 6cwq06 | Schottky | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 3.5a | 610 mv @ 3 a | 2 ma @ 60 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
| SL13-M3/61T | 0,0860 | | 1168 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SL13 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 445 mv @ 1 a | 200 µA @ 30 V. | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1,5a | - - - | |||||||||||
 | 183NQ080 | - - - | | 3365 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | D-67 Half-Pak | 183NQ080 | Schottky | D-67 Half-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *183nq080 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 950 MV @ 180 a | 4,5 mA @ 80 V | 180a | 4150pf @ 5v, 1 MHz | |||||||||||
 | VS-VS24EDR16L | - - - | | 7249 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Vs24 | - - - | 112-VS-VS24edr16L | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | VS-3C06ET07T-M3 | 2.8800 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 112-VS-3C06ET07T-M3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 6 a | 0 ns | 35 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 255PF @ 1V, 1 MHz | |||||||||||
| BZX55F6V8-TAP | - - - | | 5245 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 1% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 3 v | 6,8 v | 8 Ohm | ||||||||||||
| DZ23C18-G3-08 | 0,0483 | | 1818 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | DZ23-G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 na @ 15 V | 18 v | 50 Ohm | ||||||||||||
 | MSS1P6HM3J/89A | - - - | | 9548 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | MicroSmp | MSS1P6 | Schottky | MicroSMP (Do-219AD) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 680 mv @ 1 a | 150 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 40pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
 | GP15M-E3/73 | 0,6000 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | GP15 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 1,5 a | 3,5 µs | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1,5a | - - - | ||||||||||
| BZG05C4V3-HE3-TR3 | - - - | | 5133 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZG05C | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 3 µa @ 1 V | 4.3 v | 13 Ohm | ||||||||||||
| Sml4740he3_a/i | 0,1434 | | 3433 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4740 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 10 µa @ 7,6 V | 10 v | 7 Ohm | |||||||||||||
| TZM5255F-GS18 | - - - | | 9819 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5255 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 21 V | 28 v | 600 Ohm | |||||||||||||
 | VS-MUR1020CTPBF | - - - | | 8271 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-3 | Mur1020 | Standard | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 5a | 990 mv @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
| SD101A-tr | 0,3700 | | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | SD101 | Schottky | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 60 v | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 50 V | 125 ° C (max) | 30 ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||
| MBRB1660-E3/81 | 1.4600 | | 377 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRB1660 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 750 mv @ 16 a | 1 ma @ 60 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - - - | |||||||||||
| VS-6CWQ10FNTR-M3 | 0,8100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 6cwq10 | Schottky | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 3.5a | 810 mv @ 3 a | 1 ma @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
 | BYW74TR | 0,5346 | | 5967 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | SOD-64, axial | BYW74 | Lawine | SOD-64 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 12.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 3 a | 200 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - |
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