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Dioden (29505)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX584C27-HG3-08 | 0,0532 |  | 3983 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX584C | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZX584C | 200 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 50 na @ 18,9 v | 27 v | 25 Ohm | ||||||||||||||
 | SE40ND-M3/i | 0,5300 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 2-vdfn | Standard | DFN3820A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 4 a | 1,2 µs | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | 24PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
 | VS-MBRB3045CTTRLP | - - - | | 6662 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRB30 | Schottky | To-263ab (d²pak) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSMBRB3045CTTRLP | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 15a | 760 mv @ 30 a | 1 ma @ 45 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
 | TZX11D-TAP | 0,0287 | | 4718 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, TZX | Band & Box (TB) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | TZX11 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 8,2 V. | 11 v | 25 Ohm | |||||||||||||
| VS-25CTQ035STRRPBF | - - - | | 1291 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 25ctq035 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 35 V | 30a | 710 mv @ 30 a | 1,75 mA @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
 | W06G-E4/1 | - - - | | 1291 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-kreiförmigerer Wog | Standard | Wog | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 V @ 1 a | 5 µa @ 600 V | 1,5 a | Einphase | 600 V | ||||||||||||||
 | BZG05B22-HM3-08 | 0,2079 | | 7957 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZG05B-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05B22 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 16 V. | 22 v | 25 Ohm | |||||||||||||
 | VB20M120C-M3/i | 0,9123 | | 4023 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | VB20M120 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-VB20M120C-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 120 v | 10a | 910 mv @ 10 a | 700 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
 | SBYV26C-M3/54 | - - - | | 2488 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | SBYV26 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,5 V @ 1 a | 30 ns | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 45PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | Bzx55f6v2-tr | - - - | | 2306 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 1% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 2 v | 6.2 v | 10 Ohm | |||||||||||||
 | G2SB80-M3/45 | - - - | | 9754 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, gbl | G2SB80 | Standard | Gbl | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 112-G2SB80-M3/45TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | 1 V @ 750 mA | 5 µa @ 800 V | 1,5 a | Einphase | 800 V | ||||||||||||||
 | VS-100BGQ045 | 4.3500 | | 375 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Powertab ™, Powirtab ™ | 100BGQ045 | Schottky | Powirtab ™ | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 730 mv @ 100 a | 1 ma @ 45 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | 100a | - - - | ||||||||||||
| BZG03B20TR | - - - | | 3074 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZG03B | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG03 | 1,25 w | Do-214AC | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µa @ 15 V | 20 v | 15 Ohm | ||||||||||||||
 | GL41G-E3/97 | 0,4500 | | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | GL41 | Standard | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| EGP10CE-E3/54 | - - - | | 8042 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | EGP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 950 mv @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 22PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | MMBD6050-G3-08 | 0,0306 | | 7578 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBD6050 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 70 V | 1,1 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 50 V | 150 ° C (max) | 200 ma | - - - | |||||||||||
 | 80eff10 | - - - | | 7402 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-247-3 | 80eff10 | Standard | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,35 V @ 80 a | 480 ns | 100 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 80a | - - - | |||||||||||
| 15CTQ045Strl | - - - | | 1781 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 15ctq | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 7.5a | 550 MV @ 7,5 a | 800 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
 | MMSZ5238C-E3-18 | 0,0433 | | 3568 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5238 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 3 µA @ 6,5 V. | 8,7 v | 8 Ohm | ||||||||||||||
| MMSZ4682-E3-08 | 0,2700 | | 28 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ4682 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µa @ 1 V | 2,7 v | |||||||||||||||
| RGP30ML-6888E3/72 | - - - | | 8865 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | * | Band & Box (TB) | Veraltet | RGP30 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
| VS-12TQ045SPBF | - - - | | 2095 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 12TQ045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 560 mv @ 15 a | 1,75 mA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | 900pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||||
| BYG20J-M3/TR3 | 0,1518 | | 3269 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BYG20 | Lawine | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,4 V @ 1,5 a | 75 ns | 1 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | - - - | |||||||||||
 | VS-6FL40S02 | 5.5208 | | 8451 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | 6fl40 | Standard | DO-203AA (DO-4) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,4 V @ 6 a | 200 ns | 50 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 6a | - - - | |||||||||||
| SS25S-E3/61T | 0,4200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SS25 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 750 mV @ 2 a | 200 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||
 | SBLF10L30HE3/45 | - - - | | 7444 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBLF10L30 | Schottky | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 520 mv @ 10 a | 1 ma @ 30 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||
| 10TQ035Strl | - - - | | 4854 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 10TQ035 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 570 mv @ 10 a | 2 ma @ 35 v | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||
 | V10KM100CHM3/H | 0,3549 | | 8758 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-V10KM100CHM3/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 4.2a | 740 mv @ 5 a | 200 µA @ 100 V. | -40 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||
 | SS210-M3/52T | 0,1460 | | 8693 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SS210 | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,05 V @ 2 a | 2 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 42pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
 | RGL34J-E3/83 | 0,4500 | | 36 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | RGL34 | Standard | Do-213AA (GL34) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 9.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 500 mA | 250 ns | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500 mA | 4PF @ 4V, 1 MHz |
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