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Dioden (29505)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Ss14-61he3j_a/h | - - - |  | 7442 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SS14 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 200 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||
 | Smpz3937b-e3/84a | - - - | | 9577 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-220aa | SMPZ39 | 500 MW | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 500 NA @ 25.1 V. | 33 v | 33 Ohm | |||||||||||
 | U1d-e3/5at | 0,4400 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | U1D | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 920 mv @ 1 a | 24 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||||
 | FEPB16CT-E3/45 | 0,8732 | | 4249 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Fepb16 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 8a | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
| BZG03C30-M3-18 | 0,5000 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG03C-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,67% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG03C30 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 22 V. | 30 v | 15 Ohm | |||||||||||
 | VSB1545-M3/73 | - - - | | 4190 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | P600, axial | B1545 | Schottky | P600 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSB1545M373 | Ear99 | 8541.10.0080 | 300 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 590 mv @ 15 a | 800 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 1290pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | VS-6CWQ04FNPBF | - - - | | 3561 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 6cwq04 | Schottky | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 3.5a | 530 mv @ 3 a | 2 ma @ 40 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
 | LS103B-GS08 | 0,4300 | | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | LS103 | Schottky | SOD-80 Quadromelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 600 MV @ 200 Ma | 10 ns | 5 µa @ 20 V | 125 ° C (max) | - - - | 50pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||
 | V12pm153-m3/h | 0,6600 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 850 mv @ 12 a | 150 µa @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 3.7a | 820pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
 | BZT52B27-E3-18 | 0,0415 | | 1726 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT52 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52B27 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 Na @ 20 V | 27 v | 30 Ohm | ||||||||||||
 | VT3080S-E3/4W | 1.3600 | | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | VT3080 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 950 mv @ 30 a | 1 ma @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - - - | ||||||||||
| BZG05C7V5-E3-tr | - - - | | 5449 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG05C | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 4,5 V. | 7,5 v | 3 Ohm | |||||||||||
| Vs-8eth03strlpbf | - - - | | 7730 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 8eth03 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Vs8eth03Strpbf | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,25 V @ 8 a | 27 ns | 20 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | ||||||||
 | RS3K-E3/9AT | 0,6600 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | RS3K | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 2,5 a | 500 ns | 10 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 34PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | V10K150Chm3/h | 0,3666 | | 6451 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-V10K150CHM3/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 3a | 1,08 V @ 5 a | 200 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
 | EGP10BHE3/73 | - - - | | 3771 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | EGP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 950 mv @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 22PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| BZG03C240-M3-08 | 0,5000 | | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG03C-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,83% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG03C240 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 180 V | 240 V | 850 Ohm | |||||||||||
 | MMSZ5228C-HE3_A-18 | 0,0566 | | 9773 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | 112-mmsz5228c-He3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 10 µa @ 1 V | 3,9 v | 23 Ohm | ||||||||||||||
| BZG05B9V1-E3-TR | - - - | | 5465 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG05B | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 1,98% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | Do-214AC | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6,8 V. | 9.1 v | 5 Ohm | ||||||||||||
 | VX60202PGWHM3/P. | 2.1632 | | 3622 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | Schottky | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-VX60202PGWHM3/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 30a | 920 mv @ 30 a | 100 µA @ 200 V. | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||
 | V10P45-M3/86a | 0,8100 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | V10p45 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 570 mv @ 10 a | 800 µA @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 4.4a | - - - | ||||||||||
 | BZT52B2V7-HE3_A-18 | 0,0533 | | 6464 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | Herunterladen | 112-BZT52B2V7-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 20 µa @ 1 V | 2,7 v | 83 Ohm | |||||||||||||||
 | UGE5HT-E3/45 | - - - | | 4650 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | Uge5 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,75 V @ 5 a | 25 ns | 30 µa @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | |||||||||
 | V6pwm10c-m3/i | 0,2940 | | 9998 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Schottky | Slimdpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 112-V6PWM10C-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 3a | 730 mv @ 3 a | 80 µa @ 100 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||
| VS-SD500N45MSC | - - - | | 7893 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | SD500 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSSD500N45MSC | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | ||||||||||||||||||||
 | TZM5259F-GS18 | - - - | | 7113 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5259 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 30 v | 39 v | 800 Ohm | ||||||||||||
| Sml4753ahe3_a/i | 0,2063 | | 6157 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4753 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 5 µa @ 27,4 V | 36 v | 50 Ohm | ||||||||||||
| VS-25ETS08STRL-M3 | 1.2022 | | 7145 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 25ETS08 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,14 V @ 25 a | 100 µa @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 25a | - - - | ||||||||||
| VS-3EMU06-M3/5AT | 0,4200 | | 81 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 3emu06 | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 3 a | 41 ns | 3 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||
 | UGF18DCT-E3/45 | - - - | | 7851 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | UGF18 | Standard | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 18a | 1,1 V @ 9 a | 30 ns | 10 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. |
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