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Dioden (29505)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SMZJ3803BHE3/52 | - - - |  | 7169 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Smzj38 | 1,5 w | Do-214AA (SMBJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 29.7 V. | 39 v | 45 Ohm | ||||||||||||
 | EGL41BHE3_A/H | - - - | | 4310 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | Egl41 | Standard | Do-213ab | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | EGL41BHE3_B/H | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 20pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
 | TZMC3V6-M-08 | 0,0324 | | 8391 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, TZM-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZMC3v6 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 2 µa @ 1 V | 3.6 V | 90 Ohm | |||||||||||
 | VS-VSKC91/08 | 38.5600 | | 1568 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Add-a-Pak (3) | VSKC91 | Standard | Add-a-Pak® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSVSKC9108 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 800 V | 50a | 10 mA @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
 | VS-20TF06FP-M3 | 3.6000 | | 2634 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | 20ETF06 | Standard | To-220-2 Full Pack | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,67 V @ 60 a | 160 ns | 100 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - - - | |||||||||
| BZX55F30-TR | - - - | | 3207 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 1% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 22 v | 30 v | 80 Ohm | |||||||||||
 | VS-SD553C30S50L | 162.0800 | | 1641 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Klemmen | Do-200ab, B-Puk | SD553 | Standard | Do-200ab, B-Puk | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 3000 v | 3,24 V @ 1500 a | 5 µs | 75 mA @ 3000 V. | 560a | - - - | ||||||||||
| TLZ6V8B-GS08 | 0,2500 | | 572 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Tlz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Tlz6v8 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 2 µa @ 4 V. | 6,8 v | 8 Ohm | |||||||||||
 | BZX384B8V2-HE3-08 | 0,2800 | | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384B8V2 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 700 NA @ 5 V. | 8.2 v | 15 Ohm | ||||||||||||
 | 30ctq035s | - - - | | 4668 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 30ctq | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *30ctq035s | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 35 V | 15a | 620 mv @ 15 a | 2 ma @ 35 v | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||
 | VS-8EWF02STR-M3 | 2.0160 | | 8051 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 8EWF02 | Standard | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Vs8ewf02strm3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,2 V @ 8 a | 55 ns | 100 µA @ 200 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||||||
| VS-74-7323 | - - - | | 3841 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | 74-7323 | - - - | 112-VS-74-7323 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | VS-50 sq100 | - - - | | 1761 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-204Ar, axial | 50 sq100 | Schottky | Do-204Ar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 300 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 660 mv @ 5 a | 550 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||
| 12TQ045Strr | - - - | | 9629 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 12TQ045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 560 mv @ 15 a | 1,75 mA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - - - | ||||||||||
 | PLZ3V0B-G3/H | 0,2800 | | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | PLZ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3,37% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ3V0 | 960 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 20 µa @ 1 V | 3.12 v | 80 Ohm | |||||||||||
 | VS-11DQ10TR | - - - | | 2762 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 11dq10 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 850 mV @ 1 a | 500 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1.1a | - - - | ||||||||||
| RGP10Jehe3/53 | - - - | | 6624 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | RGP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| GP10-4002-E3/54 | 0,1780 | | 5297 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | GP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | - - - | 1a | - - - | ||||||||||||
 | AR4PDHM3_A/H | 0,6699 | | 8201 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | AR4 | Lawine | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,6 V @ 4 a | 140 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 77PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | VS-30CTQ035-N3 | - - - | | 6101 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | 30ctq035 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS30CTQ035N3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 35 V | 30a | 760 mv @ 30 a | 2 ma @ 35 v | 175 ° C (max) | |||||||||
 | VS-1N1189A | - - - | | 6142 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1189 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,3 V @ 126 a | 2,5 mA @ 500 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40a | - - - | ||||||||||
 | BZX55C5V6-TR | 0,2300 | | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX55 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55C5v6 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 v | 5.6 v | 25 Ohm | |||||||||||
 | BZT03D12-tr | - - - | | 7855 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT03 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5,42% | 175 ° C (TJ) | K. Loch | SOD-57, axial | BZT03 | 1,3 w | SOD-57 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25.000 | 1,2 V @ 500 mA | 3 µa @ 9,1 V | 12 v | 7 Ohm | |||||||||||
 | MMSZ4691-HE3-08 | 0,0378 | | 3499 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ4691 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 10 µa @ 5 V | 6.2 v | |||||||||||||
 | 1N5625GP-E3/54 | - - - | | 7881 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | 1N5625 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1 V @ 3 a | 5 µs | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 40pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
 | GI814-E3/54 | - - - | | 2932 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | GI814 | Standard | DO-204AC (Do-15) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,2 V @ 1 a | 750 ns | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||||||
| SD103BWS-HE3-18 | 0,0606 | | 7906 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | SD103 | Schottky | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 600 MV @ 200 Ma | 10 ns | 5 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 350 Ma | 50pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||
 | Sl44he3_b/i | 0,4125 | | 8087 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | SL44 | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 8 a | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||
| LL4154-M-18 | 0,0305 | | 8106 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | LL4154 | Standard | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 1 V @ 30 mA | 4 ns | 100 Na @ 25 V. | 175 ° C (max) | 300 ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||
| VS-1N2138RA | - - - | | 5576 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N2138 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 188 a | 10 mA @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 60a | - - - |
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