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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EGP30FHE3/73 | - - - | ![]() | 3909 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-201aa, Do-27, axial | EGP30 | Standard | GP20 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,25 V @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||
![]() | SML4748HE3/5A | - - - | ![]() | 6639 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 10% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4748 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 5 µa @ 16,7 V | 22 v | 23 Ohm | ||||||||||||
![]() | VS-6CWQ06FNTRLPBF | - - - | ![]() | 2537 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 6cwq06 | Schottky | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 3.5a | 610 mv @ 3 a | 2 ma @ 60 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
![]() | GDZ6V2B-HG3-08 | 0,0509 | ![]() | 4790 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, GDZ-G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Gdz6v2 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 1 µa @ 3 V | 6.2 v | 60 Ohm | ||||||||||||
![]() | BZX384C68-E3-18 | 0,0324 | ![]() | 6477 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZX384 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384C68 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 50 NA @ 47.6 V. | 68 v | 240 Ohm | ||||||||||||
![]() | FEP6CT-E3/45 | - - - | ![]() | 7628 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | Fep6 | Standard | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 6a | 975 mv @ 3 a | 35 ns | 5 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
![]() | BAT54W-HG3-18 | 0,2700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | Bat54 | Schottky | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | 125 ° C. | 200 ma | 10pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||
![]() | 1n5236b-t | - - - | ![]() | 9816 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5236 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µa @ 6 V | 7,5 v | 500 Ohm | ||||||||||||
![]() | VS-20CTQ150-1HM3 | 1.1951 | ![]() | 2952 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | 20CTQ150 | Schottky | To-262-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 10a | 880 mv @ 10 a | 25 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
![]() | RGL41J-E3/96 | 0,4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | RGL41 | Standard | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | VS-70HFR60M | 17.0803 | ![]() | 3908 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 70HFR60 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS70HFR60M | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,35 V @ 220 a | -65 ° C ~ 180 ° C. | 70a | - - - | ||||||||||
![]() | LL4148-GS18 | 0,1700 | ![]() | 116 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | LL4148 | Standard | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 75 V | 1 V @ 50 Ma | 4 ns | 5 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 300 ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | SE50PAG-M3/i | 0,5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221BC, SMA Flat Leads Exponierte Pad | SE50 | Standard | DO-221BC (SMPA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,16 V @ 5 a | 2 µs | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 32pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | SMZJ3791BHE3/5B | - - - | ![]() | 2112 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Smzj37 | 1,5 w | Do-214AA (SMBJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.200 | 5 µa @ 9,1 V | 12 v | 7 Ohm | ||||||||||||
![]() | VS-SD1053C18S20L | 137.5767 | ![]() | 6513 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Klemmen | Do-200ab, B-Puk | SD1053 | Standard | Do-200ab, B-Puk | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1800 v | 1,9 V @ 1500 a | 2 µs | 50 mA @ 1800 V | 1050a | - - - | ||||||||||
![]() | V61103C-M3/p | 2.0800 | ![]() | 4112 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | V61103 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-V61103C-M3/p | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 30a | 740 mv @ 30 a | 2 ma @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
BZX84C3V0-HE3-08 | 0,0323 | ![]() | 9330 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84C3V0 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 10 µa @ 1 V | 3 v | 95 Ohm | |||||||||||||
![]() | M20H100CThe3_A/p | - - - | ![]() | 6093 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | M20H100 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 10a | 770 mv @ 10 a | 4,5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
![]() | RGP02-14HEHEHEHE3/53 | - - - | ![]() | 7226 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | RGP02 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1400 v | 1,8 V @ 100 mA | 300 ns | 5 µa @ 1400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500 mA | - - - | |||||||||
![]() | AR3PK-M3/87A | 0,3465 | ![]() | 9980 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | AR3 | Lawine | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,9 V @ 3 a | 120 ns | 10 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.6a | 34PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | TZQ5252B-GS08 | 0,0303 | ![]() | 4998 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | TZQ5252 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 Na @ 18 V. | 24 v | 33 Ohm | |||||||||||
![]() | BZX85B100-TAP | - - - | ![]() | 3531 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | ± 2% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | BZX85B100 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 25.000 | 500 NA @ 75 V | 100 v | 350 Ohm | ||||||||||||
![]() | MMSZ4702-E3-08 | 0,2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ4702 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 na @ 11.4 v | 15 v | |||||||||||||
![]() | V15K202Chm3/i | 0,7996 | ![]() | 6016 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-V15K202Chm3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 3a | 900 mV @ 7,5 a | 50 µa @ 200 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
![]() | S2A-E3/52T | 0,4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | S2a | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,15 V @ 1,5 a | 2 µs | 1 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 16PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | ZMM5246B-7 | - - - | ![]() | 4098 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Zmm52 | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 Na @ 12 V. | 16 v | 17 Ohm | ||||||||||||
![]() | MMSZ4712-HE3_A-18 | 0,0533 | ![]() | 1029 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | 112-mmsz4712-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 10 Na @ 21,2 V. | 28 v | |||||||||||||||
![]() | BYM13-40HE3/97 | - - - | ![]() | 1140 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | BYM13 | Schottky | GL41 (Do-213AB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BYM13-40HE3_A/i | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 110PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | MMSZ5242B-G3-08 | 0,3100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5242 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µa @ 9,1 V | 12 v | 30 Ohm | ||||||||||||
![]() | SMAZ5932B-E3/61 | 0,1219 | ![]() | 5104 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SMAZ5932 | 500 MW | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 15,2 V. | 20 v | 14 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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