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Dioden (29505)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZG03B43-HM3-18 | 0,2310 |  | 7554 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZG03B-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG03B43 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 33 V | 43 v | 45 Ohm | |||||||||||||
 | SMZJ3806B-E3/5B | 0,1546 | | 1449 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMZJ3806 | 1,5 w | Do-214AA (SMBJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.200 | 5 µA @ 38,8 V | 51 v | 70 Ohm | ||||||||||||||
 | MMBZ5235C-HE3-18 | - - - | | 8873 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5235 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 3 µa @ 5 V | 6,8 v | 5 Ohm | ||||||||||||||
 | MMSZ5233B-G3-18 | 0,0409 | | 6385 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5233 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 5 µa @ 3,5 V | 6 v | 7 Ohm | ||||||||||||||
 | VSSAF3M6-M3/i | 0,1188 | | 8344 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS®, Slimsma ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | SAF3M6 | Schottky | Do-221AC (Slimsma) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 620 mv @ 3 a | 300 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 500PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
 | VS-30EPH03-N3 | 6.2500 | | 405 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | 30eph03 | Standard | To-247AC Modifiziert | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,25 V @ 30 a | 38 ns | 60 µa @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - - - | |||||||||||
 | VS-4CSH01HM3/87A | 0,2828 | | 5615 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | 4csh01 | Standard | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 2a | 950 mV @ 2 a | 24 ns | 2 µa @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||
| BZT52B27-E3-08 | 0,3100 | | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT52 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52B27 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 20 V | 27 v | 30 Ohm | ||||||||||||||
| SML4759HE3/5A | - - - | | 6940 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4759 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 5 µA @ 47,1 V. | 62 v | 125 Ohm | ||||||||||||||
 | VLZ3V6B-GS08 | - - - | | 5590 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | Vlz3v6 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 3.72 V | 60 Ohm | |||||||||||||
| VS-80-7726 | - - - | | 3635 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | 80-7726 | - - - | 112-VS-80-7726 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | Vs-4evh02-m3/i | 0,6100 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 4evh02 | Standard | Slimdpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 4 a | 25 ns | 3 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - - - | |||||||||||
 | Smzj3788bhm3_a/i | - - - | | 7483 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Smzj3788 | 1,5 w | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.200 | 50 µa @ 7 V | 9.1 v | 4 Ohm | ||||||||||||||
 | Tzx4v7d-tr | 0,2100 | | 18 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, TZX | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Tzx4v7 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 4,7 v | 100 Ohm | |||||||||||||
| TY056S200S6OT | - - - | | 6118 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | Sterben | Ty056 | Schottky | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,2 V @ 3 a | 60 µA @ 200 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||
 | Gbla02-e3/45 | 0,6630 | | 1161 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, gbl | Gbla02 | Standard | Gbl | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | 1,1 V @ 4 a | 5 µa @ 200 V. | 3 a | Einphase | 200 v | |||||||||||||
 | VS-10CDU06HM3/i | 1.6600 | | 3501 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | 10cdu06 | Standard | To-263ac (SMPD) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 600 V | 5a | 1,5 V @ 5 a | 45 ns | 3 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||
| BZT52C47-HE3-18 | 0,0378 | | 1202 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52C47 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 na @ 35 V | 47 v | 70 Ohm | ||||||||||||||
 | 1N4933GP-M3/54 | - - - | | 4425 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4933 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| Sml4750ahe3_a/i | 0,2063 | | 3330 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4750 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 5 µa @ 20,6 V | 27 v | 35 Ohm | ||||||||||||||
| 1N4004e-e3/73 | - - - | | 5397 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4004 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
 | FESB16DT-E3/45 | 1.7400 | | 169 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Fesb16 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 975 mv @ 16 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 175PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| MMBZ4624-E3-18 | - - - | | 2572 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ4624 | 350 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 10 µa @ 3 V | 4,7 v | 1550 Ohm | ||||||||||||||
 | VS-26MB10A | 8.9500 | | 7776 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, D-34 | 26MB10 | Standard | D-34 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 10 µa @ 100 V. | 25 a | Einphase | 100 v | ||||||||||||||
 | VS-SD1100C08L | 103.5233 | | 8984 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-200AA, A-Puk | SD1100 | Standard | B-43, Hockey Puk | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,31 V @ 1500 a | 15 mA @ 800 V | 1170a | - - - | |||||||||||||
 | 1N5399GP-E3/54 | 0,3600 | | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 1N5399 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,4 V @ 1,5 a | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1,5a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| Smzj3789a-e3/5b | - - - | | 9700 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Smzj37 | 1,5 w | Do-214AA (SMBJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.200 | 50 µa @ 7,6 V | 10 v | 5 Ohm | ||||||||||||||
| VS-S1131A | - - - | | 3457 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | S1131a | - - - | 112-VS-S1131A | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | TZMB5V1-GS08 | 0,3100 | | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, TZM | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZMB5V1 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 v | 5.1 v | 60 Ohm | |||||||||||||
| By229b-400he3/45 | - - - | | 3222 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Bis 229 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,85 V @ 20 a | 145 ns | 10 µa @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - |
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