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Dioden (29505)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PLZ7V5A-HG3_A/H. | 0,3600 |  | 23 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Plz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,63% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ7V5 | 960 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 500 na @ 4 v | 7.04 v | 8 Ohm | |||||||||||
 | BZD27B39P-M3-08 | 0,4200 | | 7981 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZD27B-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27B39 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 30 V | 39 v | 40 Ohm | |||||||||||
 | VS-307U250 | - - - | | 1036 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | 307U250 | Standard | DO-205AB (DO-9) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS307U250 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2500 V | 1,46 V @ 942 a | -40 ° C ~ 180 ° C. | 300a | - - - | ||||||||||
 | V40D120C-M3/i | 2.4750 | | 5298 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | V40D120 | Schottky | Smpd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 120 v | 20a | 890 mv @ 20 a | 500 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
 | EGP51B-E3/D. | - - - | | 9747 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | EGP51 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 960 mv @ 5 a | 50 ns | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 117pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | BZX884B6V2L-G3-08 | 0,3200 | | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZX884L | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 0402 (1006 Metrik) | 300 MW | DFN1006-2A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 4 V. | 6.2 v | 10 Ohm | ||||||||||||
 | MMSZ5246C-HE3-18 | 0,0454 | | 8224 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5246 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 Na @ 12 V. | 16 v | 17 Ohm | ||||||||||||
 | SRP300A-E3/73 | - - - | | 3588 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | SRP300 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,3 V @ 3 a | 100 ns | 10 µa @ 50 V | -50 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 28PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| PLZ39A-G3/H | 0,3100 | | 21 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | PLZ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ39 | 500 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 30 v | 39 v | 85 Ohm | |||||||||||
 | BZX384B33-HE3-08 | 0,0378 | | 1168 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX384 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384B33 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 50 na @ 23.1 v | 33 v | 80 Ohm | ||||||||||||
 | V12PM15HM3/H | 0,8800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | V12PM15 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1,08 V @ 12 a | 250 µa @ 150 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 12a | 860PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| AS3PGHM3/86A | - - - | | 2980 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | As3 | Lawine | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 920 MV @ 1,5 a | 1,2 µs | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2.1a | 37pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
 | SMZJ3806AHE3/52 | - - - | | 9235 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Smzj38 | 1,5 w | Do-214AA (SMBJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 38,8 V | 51 v | 70 Ohm | ||||||||||||
 | GPP15M-E3/54 | - - - | | 8345 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | GPP15 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 1,5 a | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 8PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | VS-C5TX3012-M3 | 2.4600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | C5TX3012 | Standard | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-C5TX3012-M3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 3,3 V @ 15 a | 44 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
 | MPG06K-E3/100 | 0,1487 | | 9271 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Mpg06, axial | MPG06 | Standard | MPG06 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 1 a | 600 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||
| BZT52B11-G3-08 | 0,0483 | | 9548 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT52-G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52B11 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 Na @ 8,5 V. | 11 v | 6 Ohm | ||||||||||||
 | VSS8D2M12-M3/i | 0,4100 | | 23 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | S8D2 | Schottky | Slimsmaw (Do-221ad) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 120 v | 600 mv @ 1 a | 250 µa @ 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 1.9a | 220pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | BZX84B24-G3-18 | 0,0389 | | 4892 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Bzx84-g | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84B24 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 50 Na @ 16,8 V. | 23,5 v | 70 Ohm | ||||||||||||
| GP10D-5400M3/54 | - - - | | 1696 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | GP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||
 | VS-8EWS10STR-M3 | 0,4950 | | 6418 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 8ews10 | Standard | D-Pak (to-252aa) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 8 a | 50 µa @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||
| V20120C-E3/4W | 1.5300 | | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | V20120 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 120 v | 10a | 900 mv @ 10 a | 700 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
 | VB30120C-E3/4W | 0,9933 | | 8894 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | VB30120 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 120 v | 15a | 970 mv @ 15 a | 800 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
| VSS8D5M6HM3/H | 0,4400 | | 19 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | S8d5 | Schottky | Slimsmaw (Do-221ad) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 500 mV @ 2,5 a | 350 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 2.7a | 620pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | TLZ12B-GS18 | 0,0335 | | 9902 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Tlz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Tlz12 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 40 na @ 10.9 v | 12 v | 12 Ohm | |||||||||||
| VS-6CWQ10FNTRR-M3 | 0,3465 | | 6477 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 6cwq10 | Schottky | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS6CWQ10FNTRRM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 3.5a | 810 mv @ 3 a | 1 ma @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||
 | SE10PJ-M3/85A | 0,0899 | | 7222 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | SE10 | Standard | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,05 V @ 1 a | 780 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | |||||||||
| GDZ2V4B-G3-18 | 0,0445 | | 5004 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Gdz-g | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Gdz2v4 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 120 µa @ 1 V | 2,4 v | 100 Ohm | ||||||||||||
| Mb10h90cthe3_a/p | - - - | | 8069 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MB10H90 | Schottky | To-263ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 90 v | 5a | 760 mv @ 5 a | 3,5 µa @ 90 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
 | 1N4935-E3/73 | - - - | | 8174 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4935 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 200 V. | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 12pf @ 4v, 1 MHz |
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