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Dioden (29505)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Strom - Max | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BYVB32-50-E3/45 | 0,8940 |  | 8652 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | BYVB32 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 50 v | 18a | 1,15 V @ 20 a | 25 ns | 10 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||
 | VLZ30-GS18 | - - - | | 4511 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | VLZ30 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 30 v | 55 Ohm | |||||||||||||||||
 | BZT52B13-G3-08 | 0,0483 | | 1420 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT52-G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52B13 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 na @ 10 v | 13 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||
 | BZG05C5V1-E3-TR3 | - - - | | 3086 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG05C | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 1,5 V | 5.1 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||
| BYS10-45HM3_A/i | 0,0884 | | 3021 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BYS10 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-BYS10-45HM3_A/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 500 mV @ 1 a | 500 µa @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | - - - | ||||||||||||||
 | V30K45-m3/h | 0,9300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | V30K45 | Schottky | Flatpak (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 630 mv @ 30 a | 2 ma @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | 30a | 4000pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||
| MURB2020CTTRR | - - - | | 5610 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Murb2020 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 10a | 850 mv @ 8 a | 35 ns | 15 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||
 | ZMM5252B-7 | - - - | | 9759 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Zmm52 | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 Na @ 18 V. | 24 v | 33 Ohm | |||||||||||||||||
| VS-VSKE250-20PBF | 136.5050 | | 4616 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | 3-magn-a-pak ™ | Vske250 | Standard | Magn-a-Pak® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSVSKE25020PBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2000 v | 50 mA @ 2000 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 250a | - - - | |||||||||||||||
 | VS-E4PH3006LHN3 | 1.5396 | | 7626 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, Fred Pt® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | E4PH3006 | Standard | To-247ad | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2 V @ 30 a | 55 ns | 50 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - - - | |||||||||||||||
 | SB340S-E3/54 | - - - | | 7255 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | SB340 | Schottky | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 500 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||
 | IRD3902 | - - - | | 7745 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | IRD3902 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRD3902 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,65 V @ 62.8 a | 350 ns | 50 µa @ 300 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 20a | - - - | |||||||||||||
 | MBRF16H45-E3/45 | - - - | | 5789 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF16 | Schottky | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 660 mv @ 16 a | 100 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - - - | |||||||||||||||
 | VS-8EWF06STR-M3 | 3.4300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 8EWF06 | Standard | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,2 V @ 8 a | 55 ns | 100 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||||||
 | AZ23C3V3-E3-18 | 0,3100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | AZ23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23C3V3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 3.3 v | 95 Ohm | |||||||||||||||||
 | M6060C-E3/45 | - - - | | 4913 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | M6060 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 30a | 650 mv @ 30 a | 700 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||
| VS-1N1186 | - - - | | 6806 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1186 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,7 V @ 110 a | 10 mA @ 200 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 35a | - - - | |||||||||||||||
| DZ23C10-E3-18 | 0,0415 | | 3794 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | DZ23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 Na @ 7,5 V. | 10 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||
| FEPF16CT-E3/45 | - - - | | 4394 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | FEPF16 | Standard | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 8a | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||
| SML4748-E3/5A | 0,1733 | | 3344 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4748 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 5 µa @ 16,7 V | 22 v | 23 Ohm | |||||||||||||||||
 | V10K150Chm3/h | 0,3666 | | 6451 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-V10K150CHM3/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 3a | 1,08 V @ 5 a | 200 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||
 | UGE5HT-E3/45 | - - - | | 4650 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | Uge5 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,75 V @ 5 a | 25 ns | 30 µa @ 500 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||||||
| VS-SD500N45MSC | - - - | | 7893 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | SD500 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSSD500N45MSC | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | |||||||||||||||||||||||||
| BAV21W-E3-18 | 0,2800 | | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BAV21 | Standard | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 100 mA | 50 ns | 100 NA @ 150 V | 175 ° C (max) | 250 Ma | 1,5PF @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||
| S392D-HG3-08 | - - - | | 4821 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 125 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | S392 | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.000 | 50 ma | 0,5PF @ 0V, 100 MHz | Pin - 1 Paar Serie Verbindung | 30V | 60OHM @ 1,5 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
| BZG03B75-HM3-08 | 0,2310 | | 5250 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZG03B-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG03B75 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µA @ 56 V | 75 V | 100 Ohm | ||||||||||||||||
| IMBD4148-HE3-18 | 0,0312 | | 4966 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | IMBD4148 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 2,5 µa @ 70 V | 150 ° C (max) | 150 Ma | - - - | ||||||||||||||
 | GI250-1-E3/73 | - - - | | 9475 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | GI250 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 3,5 V @ 250 mA | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 250 Ma | 3PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
 | BZX384C56-E3-08 | 0,2400 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZX384 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384C56 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 NA @ 39.2 V. | 56 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||
 | V12p15-m3/i | 0,3300 | | 9283 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | V12p15 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1,08 V @ 12 a | 250 µa @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 12a | - - - |
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