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Dioden (29505)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AZ23C5v6-HE3-08 | 0,0436 |  | 9424 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, AZ23 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23C5v6 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 100 na @ 1 v | 5.6 v | 40 Ohm | ||||||||||||
 | MMSZ5233C-HE3_A-18 | 0,0566 | | 2768 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | 112-mmsz5233c-he3_a-18tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 3,5 V | 6 v | 7 Ohm | |||||||||||||||
| MMBZ5236B-G3-18 | - - - | | 4620 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5236 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 3 µa @ 6 V | 7,5 v | 6 Ohm | |||||||||||||
 | MPG06M-E3/53 | 0,4100 | | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | Mpg06, axial | MPG06 | Standard | MPG06 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 1 a | 600 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
 | 1N5240b-tr | 0,2300 | | 36 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | - - - | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5240 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µa @ 8 V | 10 v | 17 Ohm | ||||||||||||
 | VS-65EPS08L-M3 | - - - | | 8284 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | 65EPS08 | Standard | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-65EPS08L-M3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,12 V @ 65 a | 100 µa @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 65a | - - - | ||||||||||
 | Nsf8dthe3/45 | - - - | | 4446 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | NSF8 | Standard | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 8 a | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | |||||||||||
 | GLL4753A-E3/97 | 0,3168 | | 5353 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | GLL4753 | 1 w | Melf Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 5 µa @ 27,4 V | 36 v | 50 Ohm | |||||||||||||
 | S1B-E3/5AT | 0,3700 | | 67 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | S1B | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 1 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||
| SML4728AHE3/5A | - - - | | 2326 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4728 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 100 µa @ 1 V | 3.3 v | 10 Ohm | |||||||||||||
 | VS-8TQ100-N3 | - - - | | 7133 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | 8tq100 | Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS-8TQ100-N3GI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 720 mv @ 8 a | 550 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 500PF @ 5V, 1 MHz | ||||||||||
 | CGP30HE3/54 | - - - | | 7698 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | CGP30 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.400 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1400 v | 1,2 V @ 3 a | 15 µs | 5 µa @ 1400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 40pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
 | GDZ3V9B-G3-18 | 0,0445 | | 2640 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Gdz-g | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Gdz3v9 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 5 µa @ 1 V | 3,9 v | 100 Ohm | |||||||||||||
 | V5PA22HM3/i | 0,6600 | | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221BC, SMA Flat Leads Exponierte Pad | Schottky | DO-221BC (SMPA) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 14.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 900 mv @ 5 a | 50 µa @ 200 V. | -40 ° C ~ 175 ° C. | 2.3a | 240pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
 | ZMM5237B-13 | - - - | | 1215 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | Zmm52 | 500 MW | Do-213AA (GL34) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | ZMM5237B-13GI | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 3 µA @ 6,5 V. | 8.2 v | 8 Ohm | ||||||||||||
 | RGF1J-E3/5CA | 0,5400 | | 1828 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214ba | RGF1 | Standard | Do-214BA (GF1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8.5PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | BZD27C180P-M3-08 | 0,1733 | | 5191 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZD27-m | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27C180 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 130 V | 180 v | 400 Ohm | ||||||||||||
 | ZPY6V2-TAP | 0,3700 | | 25 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | ± 5% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | ZPY6V2 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 500 na @ 2 v | 6.2 v | 1 Ohm | |||||||||||||
 | BZT55B33-GS08 | 0,0433 | | 3586 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT55 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | BZT55B33 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 Na @ 24 V. | 33 v | 80 Ohm | ||||||||||||
 | Fepb6dthe3/81 | - - - | | 2854 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Fepb6 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 6a | 975 mv @ 3 a | 35 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
| GLL4737-E3/97 | 0,2970 | | 2170 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | GLL4737 | 1 w | Melf Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 10 µa @ 5 V | 7,5 v | 4 Ohm | |||||||||||||
| UB30CCT-E3/8W | - - - | | 6795 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | UB30 | Standard | To-263ab (d²pak) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 15a | 1,05 V @ 15 a | 45 ns | 20 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
| SMAZ5919B-E3/5A | 0,3900 | | 885 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SMAZ5919 | 500 MW | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 200 µa @ 3 V | 5.6 v | 5 Ohm | ||||||||||||
 | BZT03C62-TAP | 0,2640 | | 5869 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT03 | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 6,45% | 175 ° C (TJ) | K. Loch | SOD-57, axial | BZT03C62 | 1,3 w | SOD-57 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 25.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µa @ 47 V | 62 v | 80 Ohm | ||||||||||||
| Sml4743ahe3_a/i | 0,2063 | | 6245 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4743 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 5 µa @ 9,9 V | 13 v | 10 Ohm | |||||||||||||
| VS-MURB1620CTTRLP | - - - | | 6001 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Murb1620 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 8a | 975 mv @ 8 a | 35 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||
| 1N5252B-TAP | 0,2300 | | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | ± 5% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5252 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 Na @ 18 V. | 24 v | 33 Ohm | ||||||||||||
| 1N4448WS-E3-08 | 0,0342 | | 8200 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 1N4448 | Standard | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 15.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 720 mv @ 5 mA | 4 ns | 5 µa @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 150 Ma | - - - | ||||||||||
| MMBZ4699-HE3-08 | - - - | | 6366 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ4699 | 350 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 50 NA @ 9.1 V. | 12 v | ||||||||||||||
| V1F6HM3/h | 0,4300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | V1f6 | Schottky | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 600 mv @ 1 a | 270 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 135PF @ 4V, 1 MHz |
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