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Dioden (29505)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | V20100SGHM3/4W | - - - |  | 6801 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | V20100 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,07 V @ 20 a | 350 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - - - | ||||||||||||
 | US1GHE3_A/i | 0,4300 | | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | US1 | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1 V @ 1 a | 50 ns | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | BZX84C62-E3-08 | 0,0306 | | 1937 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Bzx84 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84C62 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 50 na @ 43.4 v | 62 v | 215 Ohm | ||||||||||||||
 | GLL4740-E3/97 | 0,2970 | | 8321 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | GLL4740 | 1 w | Melf Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 10 µa @ 7,6 V | 10 v | 7 Ohm | ||||||||||||||
 | GP02-20-E3/53 | - - - | | 3255 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | GP02 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2000 v | 3 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 2000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 250 Ma | 3PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | VS-80-7768 | - - - | | 3461 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | 80-7768 | - - - | 112-VS-80-7768 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | PTV13B-M3/85A | 0,1153 | | 2361 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-220aa | PTV13 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 10 µa @ 10 V | 14.2 v | 10 Ohm | |||||||||||||
| GBL06L-5701E3/51 | - - - | | 7430 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, gbl | Gbl06 | Standard | Gbl | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 4 a | 5 µa @ 600 V | 3 a | Einphase | 600 V | ||||||||||||||
 | BZD27C20P-M-08 | - - - | | 6072 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZD27-m | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 15 V | 20 v | 15 Ohm | |||||||||||||
 | VBT2045C-M3/8W | 0,9758 | | 3039 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | VBT2045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 10a | 580 mv @ 10 a | 2 ma @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
 | Tzx11b-tr | 0,2300 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, TZX | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | TZX11 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 8,2 V. | 11 v | 25 Ohm | |||||||||||||
 | BZT03C7V5-tr | 0,7200 | | 23 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT03 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | 175 ° C (TJ) | K. Loch | SOD-57, axial | BZT03C7V5 | 1,3 w | SOD-57 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1,2 V @ 500 mA | 750 µA @ 5,6 V | 7,5 v | 2 Ohm | |||||||||||||
| VS-43CTQ100-1-011P | - - - | | 3842 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | 43ctq100 | - - - | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 900 | |||||||||||||||||||||||||
| BZG05C6V8-HM3-08 | 0,4200 | | 6288 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZG05C-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,88% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05C6V8 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 4 V. | 6,8 v | 3,5 Ohm | |||||||||||||
 | TLZ8V2A-GS18 | 0,0335 | | 6204 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Tlz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Tlz8v2 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 7,5 µa Bei 7,15 V | 8.2 v | 8 Ohm | |||||||||||||
 | VS-2KBB20 | 1.6800 | | 537 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, 2KBB | 2KBB20 | Standard | 2KBB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V @ 1,9 a | 1.9 a | Einphase | 200 v | ||||||||||||||
 | V10pw10c-m3/i | 0,3656 | | 9482 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Schottky | Slimdpak | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-V10PW10C-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 5a | 730 mv @ 5 a | 200 µA @ 100 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||
 | PLZ6V8B-G3/H | 0,2800 | | 554 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | PLZ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,55% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ6V8 | 960 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 3,5 V | 6.66 v | 8 Ohm | |||||||||||||
 | SE40PBHM3/86A | - - - | | 1110 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | SE40 | Standard | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 920 mv @ 2 a | 2,2 µs | 10 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2.4a | 28PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| SML4734AHE3/61 | - - - | | 5500 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4734 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 10 µa @ 2 V | 5.6 v | 5 Ohm | ||||||||||||||
| Sml4757ahe3_a/i | 0,2063 | | 7339 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4757 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 5 µA @ 38,8 V | 51 v | 95 Ohm | ||||||||||||||
 | Smzj3793bhe3_a/h | 0,1597 | | 6888 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Smzj3793 | 1,5 w | Do-214AA (SMBJ) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µa @ 11,4 V | 15 v | 9 Ohm | ||||||||||||||
 | BZT52C4V3-HE3-08 | 0,0378 | | 5653 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52C4V3 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 4.3 v | 95 Ohm | |||||||||||||||
 | EGF1B-1HE3_A/I. | - - - | | 5248 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214ba | EGF1 | Standard | Do-214BA (GF1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
 | VS-65EPS16LHM3 | 5.6200 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | 65EPS16 | Standard | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1600 v | 1,17 V @ 65 a | 100 µa @ 1600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 65a | - - - | ||||||||||||
 | VS-1N2133A | - - - | | 3842 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N2133 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,3 V @ 188 a | 10 mA @ 300 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 60a | - - - | ||||||||||||
| SS3P3HE3/84A | - - - | | 9500 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q100, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-220aa | SS3P3 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 580 mv @ 3 a | 200 µA @ 30 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||
| Fepb6bThe3/81 | - - - | | 6504 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Fepb6 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 6a | 975 mv @ 3 a | 35 ns | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
| V15p15-m3/h | 0,8500 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | V15p15 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1,08 V @ 15 a | 300 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - - - | ||||||||||||
 | RS3JHE3/57T | - - - | | 8707 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | RS3 | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 2,5 a | 250 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 34PF @ 4V, 1 MHz |
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