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Dioden (29505)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GBU6JL-5306M3/45 | - - - |  | 1628 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | GBU6 | Standard | GBU | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 a | 5 µa @ 600 V | 3.8 a | Einphase | 600 V | |||||||||||||||
| VS-74-7704 | - - - | | 7593 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | 74-7704 | - - - | 112-VS-74-7704 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TZM5223C-GS08 | - - - | | 7390 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5223 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,1 V @ 200 Ma | 75 µa @ 1 V | 2,7 v | 30 Ohm | ||||||||||||||
 | MBRB735-E3/45 | - - - | | 9887 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MBRB7 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 840 mv @ 15 a | 100 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | - - - | |||||||||||||
 | V20K150-M3/i | 0,3320 | | 5628 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-V20K150-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1,41 V @ 20 a | 250 µa @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3.1a | 970pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||
 | W08G-E4/51 | 0,8200 | | 516 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-kreiförmigerer Wog | W08 | Standard | Wog | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 V @ 1 a | 5 µa @ 800 V | 1,5 a | Einphase | 800 V | ||||||||||||||
 | G5SBA20L-M3/45 | - - - | | 8799 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | 4-SIP, GBU | G5SBA20 | Standard | GBU | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1,05 V @ 3 a | 5 µa @ 200 V. | 2.8 a | Einphase | 200 v | ||||||||||||||
 | V3P6HM3_A/H | 0,3900 | | 16 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | V3p6 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 630 mv @ 3 a | 900 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 250pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
| V20KM60-m3/h | 0,9600 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 650 mv @ 20 a | 400 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 165 ° C. | 4.7a | 2860PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
 | SRP100A-E3/54 | - - - | | 5971 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | SRP100 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,3 V @ 1 a | 100 ns | 10 µa @ 50 V | -50 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 12pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
 | GSD2004WS-G3-18 | 0,3800 | | 8674 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | GSD2004 | Standard | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 240 V | 1 V @ 100 mA | 50 ns | 100 NA @ 240 V | 150 ° C (max) | 225 Ma | 5PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
 | VS-30EPH06L-N3 | 2.8300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | 30eph06 | Standard | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-VS-30EPH06L-N3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,6 V @ 30 a | 35 ns | 50 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - - - | |||||||||||
| RGP10BEHE3/53 | - - - | | 7738 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | RGP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
 | MB6M-E3/45 | 0,6900 | | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,200 ", 5.08 mm) | MB6 | Standard | MBM | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 100 | 1 V @ 400 mA | 5 µa @ 600 V | 500 mA | Einphase | 600 V | ||||||||||||||
 | SMZG3792B-E3/52 | 0,2407 | | 9982 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | DO-215AA, SMB Möwenflügel | SMZG3792 | 1,5 w | SMBG (Do-215AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µa @ 9,9 V | 13 v | 7,5 Ohm | |||||||||||||||
 | KBU4M-E4/51 | 3.3700 | | 284 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, KBU | KBU4 | Standard | KBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | KBU4ME451 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 4 a | 5 µA @ 1000 V | 4 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||
| TLZ5V1B-GS18 | 0,2500 | | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Tlz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Tlz5v1 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 2 µa @ 2 V | 5.1 v | 20 Ohm | ||||||||||||||
 | V1fm12-m3/h | 0,0592 | | 6157 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | V1fm12 | Schottky | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-V1FM12-M3/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 120 v | 870 mv @ 1 a | 65 µa @ 120 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 95PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
 | GSIB2060-E3/45 | 2.8900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB2060 | Standard | GSIB-5S | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 10 a | 10 µa @ 600 V | 3.5 a | Einphase | 600 V | ||||||||||||||
 | MMSZ4710-HE3-08 | 0,0378 | | 4236 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ4710 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 10 na @ 19 V | 25 v | ||||||||||||||||
 | BZX84B24-HE3-08 | 0,0341 | | 2554 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84B24 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 50 Na @ 16,8 V. | 23,5 v | 70 Ohm | |||||||||||||||
 | SML4761-E3/61 | 0,4700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4761 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µa @ 56 V | 75 V | 175 Ohm | |||||||||||||||
 | V30100CI-M3/p | 1.4300 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | V30100 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-V30100Ci-M3/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 15a | 770 mv @ 15 a | 500 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
| V40100ci-m3/p | 1.7500 | | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | V40100 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 20a | 700 mV @ 20 a | 1 ma @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||
| 1N4731A-TAP | 0,3600 | | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | ± 5% | 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4731 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 1 V | 4.3 v | 9 Ohm | ||||||||||||||
| BZT52C47-G3-18 | 0,0409 | | 9335 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT52-G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52C47 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 na @ 35 V | 47 v | 70 Ohm | |||||||||||||||
| BZT52B22-G3-08 | 0,0483 | | 5829 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT52-G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52B22 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 na @ 17 v | 22 v | 25 Ohm | |||||||||||||||
| BZX84B47-E3-08 | 0,0324 | | 9388 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Bzx84 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84B47 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 50 NA @ 32.9 V. | 47 v | 170 Ohm | |||||||||||||||
 | ZGL41-170A-E3/96 | 0,2020 | | 3245 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | ZGL41 | 1 w | GL41 (Do-213AB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 129.2 V. | 170 v | 800 Ohm | ||||||||||||||
| DZ23C7V5-HE3_A-08 | - - - | | 3215 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, DZ23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 112-DZ23C7V5-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 na @ 5 v | 7,5 v | 4 Ohm |
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