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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AU2PDHM3/87A | - - - | ![]() | 5576 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Au2 | Lawine | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,9 V @ 2 a | 75 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.6a | 42pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | VS-30CTQ045SPBF | - - - | ![]() | 5072 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 30ctq045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 15a | 620 mv @ 15 a | 2 ma @ 45 v | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||
![]() | Bat82s-Tap | 0,0429 | ![]() | 1610 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Bat82 | Schottky | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 50.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 50 v | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 50 V | 125 ° C (max) | 30 ma | 1,6PF @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | BZT52C4V7-HE3-08 | 0,2800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52C4v7 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 4,7 v | 70 Ohm | ||||||||||||||||
AZ23B27-HE3-18 | 0,0534 | ![]() | 5012 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, AZ23 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23B27 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 100 na @ 20 V | 27 v | 80 Ohm | |||||||||||||||
![]() | ZM4758A-GS08 | 0,3900 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | ZM4758 | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 5 µA @ 42,6 V. | 56 v | 110 Ohm | |||||||||||||||
![]() | VS-91MT160KPBF | 96.3207 | ![]() | 1321 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | MT-K-Modul | 91MT160 | Standard | MT-K | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS91MT160KPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 90 a | DRIPHASE | 1,6 kv | |||||||||||||||
![]() | BZX55F2V4-tr | - - - | ![]() | 5652 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 1% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 50 µa @ 1 V | 2,4 v | 85 Ohm | ||||||||||||||
![]() | TZMC8V2-GS08 | 0,2300 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, TZM | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZMC8v2 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 NA @ 6.2 V. | 8.2 v | 7 Ohm | ||||||||||||||
![]() | V40PW60C-M3/i | 1.4900 | ![]() | 228 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | V40PW60 | Schottky | Slimdpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 20a | 680 mv @ 20 a | 2,4 mA @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||
![]() | V2PL63LHM3/H | 0,4100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-220aa | V2PL63 | Schottky | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 580 mv @ 2 a | 50 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 360pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | BZD27B5V1P-E3-18 | 0,1050 | ![]() | 6086 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZD27B | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27B5V1 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 50.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 5.1 v | 6 Ohm | ||||||||||||||
![]() | VIT2080S-E3/4W | 0,5858 | ![]() | 5565 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Vit2080 | Schottky | To-262aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 920 MV @ 20 a | 700 µa @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - - - | |||||||||||||
![]() | BZM55B3V0-TR3 | 0,0433 | ![]() | 5341 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZM55 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | 2-smd, Keine Frotung | BZM55B3V0 | 500 MW | Mikrokomelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 4 µa @ 1 V | 3 v | 600 Ohm | ||||||||||||||
![]() | 189nq135 | - - - | ![]() | 7470 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | D-67 Half-Pak | 189nq135 | Schottky | D-67 Half-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *189nq135 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 135 v | 1,07 V @ 180 a | 4,5 mA @ 135 V. | 180a | 4500PF @ 5V, 1 MHz | |||||||||||||
FES8JT-5410HE3/45 | - - - | ![]() | 8175 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | Fes8 | Standard | To-220ac | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,5 V @ 8 a | 50 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||
![]() | MBRF760-E3/45 | - - - | ![]() | 2098 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF7 | Schottky | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 750 mV @ 7,5 a | 500 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | - - - | |||||||||||||
![]() | BZT55A12-GS18 | - - - | ![]() | 2330 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 1% | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | BZT55 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 NA @ 9.1 V. | 12 v | 20 Ohm | ||||||||||||||
![]() | VS-10BQ100-M3/5BT | 0,4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | 10BQ100 | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 750 mV @ 1 a | 500 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 65PF @ 5V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | MBR2035CT-E3/45 | - - - | ![]() | 5828 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | MBR20 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 35 V | 10a | 650 mv @ 10 a | 100 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||
![]() | VS-88HF20 | 8.8342 | ![]() | 5204 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 88HF20 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VS88HF20 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,2 V @ 267 a | -65 ° C ~ 180 ° C. | 85a | - - - | |||||||||||||
![]() | VS-80-6008 | - - - | ![]() | 1935 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | 80-6008 | - - - | 112-VS-80-6008 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TZX2V7C-TAP | 0,2300 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, TZX | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Tzx2v7 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 500 mV | 2,7 v | 100 Ohm | ||||||||||||||
![]() | VSKC320-08 | - - - | ![]() | 5095 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | 3-magn-a-pak ™ | VSKC320 | Standard | Magn-a-Pak® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 800 V | 320a | 50 mA @ 800 V | |||||||||||||||
![]() | PB5010-E3/45 | 4.4200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ISOCINK+™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, pb | PB5010 | Standard | ISOCINK+™ PB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | PB5010-E3/45GI | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1,1 V @ 22.5 a | 10 µa @ 1000 V | 4.5 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||
![]() | BZX85B11-TAP | 0,0561 | ![]() | 2433 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | BZX85B11 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 25.000 | 500 NA @ 8.2 V. | 11 v | 8 Ohm | |||||||||||||||
![]() | S1flg-GS08 | 0,3400 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | S1f | Standard | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 10 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 700 Ma | 4PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | TZMB3V9-GS08 | 0,3100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, TZM | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZMB3V9 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 2 µa @ 1 V | 3,9 v | 90 Ohm | ||||||||||||||
![]() | G3SBA60-M3/45 | 0,8910 | ![]() | 5644 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | G3SBA60 | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 V @ 2 a | 5 µa @ 600 V | 2.3 a | Einphase | 600 V | ||||||||||||||
![]() | BZX384C2V7-G3-08 | 0,0389 | ![]() | 9300 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Bzx384-g | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384C2V7 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 20 µa @ 1 V | 2,7 v | 100 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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