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Dioden (29505)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | V40PWL63C-M3/i | 0,5747 |  | 1074 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Schottky | Slimdpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-V40PWL63C-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 20a | 680 mv @ 20 a | 400 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||
 | VSSAF5M10-m3/h | 0,4500 | | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS®, Slimsma ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221AC, SMA Flat Leads | SAF5M10 | Schottky | Do-221AC (Slimsma) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 790 mv @ 5 a | 400 µA @ 100 V. | -40 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 470pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
 | VS-400U80D | 68.6900 | | 16 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AB, Do-9, Stud | 400U80 | Standard | DO-205AB (DO-9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,62 V @ 1500 a | 15 mA @ 800 V | -40 ° C ~ 200 ° C. | 400a | - - - | |||||||||||||
 | TZM5243F-GS08 | - - - | | 1303 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5243 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 9.9 V. | 13 v | 600 Ohm | |||||||||||||||
 | Zpy10-tr | 0,3700 | | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | ZPY10 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 500 NA @ 7,5 V. | 10 v | 2 Ohm | |||||||||||||||
 | VS-20TF06THM3 | 1.6418 | | 6292 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | 20ETF06 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 20 a | 160 ns | 100 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - - - | ||||||||||||
 | VS-E5TX3012S2LHM3 | 3.0000 | | 50 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 3,3 V @ 30 a | 80 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - - - | |||||||||||||
 | SE30DT12-M3/i | 2.0700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | SE30DT12 | Standard | Smpd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,29 V @ 30 a | 3,4 µs | 10 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | 132pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
 | ZGL41-140A-E3/96 | 0,2020 | | 5074 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | ZGL41 | 1 w | GL41 (Do-213AB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 106,4 V | 140 v | 525 Ohm | ||||||||||||||
 | BZW03D39-TR | - - - | | 6896 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZW03 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | SOD-64, axial | BZW03 | 1,85 w | SOD-64 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,2 V @ 1 a | 2 µa @ 28 V | 39 v | 14 Ohm | ||||||||||||||
 | 3N256-E4/45 | - - - | | 3995 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, kbpm | 3n256 | Standard | Kbpm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 1,1 V @ 3.14 a | 5 µa @ 400 V | 2 a | Einphase | 400 V | ||||||||||||||
 | GBU8M-E3/51 | 2.1400 | | 734 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | GBU8 | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 8 a | 5 µA @ 1000 V | 3.9 a | Einphase | 1 kv | ||||||||||||||
 | VS-SD200R24PC | 72.7088 | | 6665 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | Do-205AC, Do-30, Stud | SD200 | Standard | DO-205AC (DO-30) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 2400 V | 1,4 V @ 630 a | 15 mA @ 2400 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 200a | - - - | |||||||||||||
 | SML4752A-E3/61 | 0,5000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SML4752 | 1 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µA @ 25,1 V. | 33 v | 45 Ohm | |||||||||||||||
| RGP02-17E-E3/73 | - - - | | 5294 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | RGP02 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1700 v | 1,8 V @ 100 mA | 300 ns | 5 µa @ 1700 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500 mA | - - - | ||||||||||||
 | PTV6.2B-M3/85A | 0,0825 | | 5438 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-220aa | Ptv6.2 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 20 µa @ 3 V | 6.6 v | 6 Ohm | ||||||||||||||
| TZMC30-M-08 | 0,0324 | | 8048 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, TZM-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZMC30 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 22 v | 30 v | 80 Ohm | ||||||||||||||
 | MMBZ5237B-G3-18 | - - - | | 8130 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5237 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 3 µA @ 6,5 V. | 8.2 v | 6 Ohm | |||||||||||||||
 | VSIB10A20-E3/45 | - - - | | 6453 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GSIB-5S | Vsib10 | Standard | GSIB-5S | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1 V @ 5 a | 10 µA @ 200 V. | 10 a | Einphase | 200 v | ||||||||||||||
 | VSSB410S-E3/52T | 0,4500 | | 22 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SB410 | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 770 mv @ 4 a | 250 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | 1.9a | 230pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
 | 1n5257b-tr | 0,1800 | | 26 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5257 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 Na @ 25 V. | 33 v | 58 Ohm | ||||||||||||||
| BZX84B2V7-HE3_A-18 | - - - | | 2115 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 112-BZX84B2V7-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 20 µa @ 1 V | 2,7 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||
| RGP10K-M3/73 | - - - | | 3773 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | RGP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| V40pwm63chm3/i | 0,6821 | | 5595 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Schottky | Slimdpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-V40PWM63CHM3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 20a | 740 mv @ 20 a | 30 µa @ 60 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||
| AZ23B3V9-G3-08 | 0,0594 | | 2964 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | AZ23-G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23B3V9 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 3,9 v | 95 Ohm | |||||||||||||||
| TLZ27C-GS18 | 0,0335 | | 2864 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Tlz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Tlz27 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 40 NA @ 24,3 V. | 27 v | 45 Ohm | ||||||||||||||
 | MBR1550CThe3/45 | - - - | | 8352 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | MBR15 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 50 v | 7.5a | 750 mV @ 7,5 a | 1 ma @ 50 v | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||
| Z47-BO123-HE3-08 | - - - | | 6859 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Z47-BO123 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
 | BZX884B13L-G3-08 | 0,3200 | | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZX884L | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 0402 (1006 Metrik) | 300 MW | DFN1006-2A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 13 v | 30 Ohm | |||||||||||||||
| BZT52C9V1-HE3_A-18 | 0,0533 | | 7736 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | Herunterladen | 112-BZT52C9V1-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 na @ 7 v | 9.1 v | 10 Ohm |
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