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Dioden (29505)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AZ23C20-HE3-18 | 0,0436 |  | 8586 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, AZ23 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23C20 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 100 na @ 15 V | 20 v | 50 Ohm | ||||||||||||||
 | 111CNQ045M | - - - | | 8226 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | D-61-8-sm | 111CNQ045 | Schottky | D-61-8-sm | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *111CNQ045M | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 55a | 610 mv @ 55 a | 1,5 mA @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||
 | GLL4761-E3/96 | 0,3053 | | 1866 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | GLL4761 | 1 w | Melf Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 5 µa @ 56 V | 75 V | 175 Ohm | |||||||||||||||
 | VLZ6V8C-GS18 | - - - | | 9244 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | VLZ6V8 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 2 µa @ 4 V. | 6,84 v | 8 Ohm | ||||||||||||||
 | UH2B-M3/5BT | - - - | | 6614 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | UH2 | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 7.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,05 V @ 2 a | 35 ns | 2 µa @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2a | 42pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||
 | BZT52C16-HE3-18 | 0,0378 | | 9195 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52C16 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 Na @ 12 V. | 16 v | 13 Ohm | |||||||||||||||
| BZX84C75-HE3-08 | 0,0323 | | 8995 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84C75 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 50 NA @ 52,5 V. | 75 V | 255 Ohm | |||||||||||||||
 | PTV22B-E3/85A | - - - | | 3397 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 6% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-220aa | PTV22 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 10 µa @ 17 V | 23.3 v | 14 Ohm | ||||||||||||||
 | DF04S-E3/77 | 0,8000 | | 289 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DF04 | Standard | DFS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,1 V @ 1 a | 5 µa @ 400 V | 1 a | Einphase | 400 V | ||||||||||||||
 | MMSZ5254B-HE3_A-18 | 0,0549 | | 9634 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | 112-mmsz5254b-he3_a-18tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 21 V | 27 v | 41 Ohm | |||||||||||||||||
 | 1N4946GPHE3/73 | - - - | | 2462 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4946 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 1 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
| Edf1as-e3/77 | 1.2300 | | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | EDF1 | Standard | DFS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,05 V @ 1 a | 5 µa @ 50 V | 1 a | Einphase | 50 v | ||||||||||||||
| DZ23C3V0-HE3_A-08 | - - - | | 4388 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, DZ23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 112-DZ23C3V0-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 3 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||
| BZX84B12-HE3_A-08 | 0,0498 | | 7356 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX84 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 112-BZX84B12-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 na @ 8 v | 12 v | 25 Ohm | ||||||||||||||||||
 | 1N4728a-t | - - - | | 9169 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4728 | 1,3 w | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 3.3 v | 400 Ohm | |||||||||||||||
| VS-S1059 | - - - | | 8958 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | S1059 | - - - | 112-VS-S1059 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| MMSZ4687-E3-18 | 0,2700 | | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ4687 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 4 µa @ 2 V. | 4.3 v | ||||||||||||||||
 | VF10150C-M3/4W | 0,5095 | | 8323 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | VF10150 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 5a | 1,41 V @ 5 a | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||
 | PLZ3V3B-G3/H | 0,2800 | | 43 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | PLZ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3,07% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ3V3 | 960 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 10 µa @ 1 V | 3.43 v | 70 Ohm | ||||||||||||||
| GP10M-7009M3/54 | - - - | | 9467 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | GP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,2 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 7pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
 | Rs1flm-m3/h | 0,3400 | | 30 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Standard | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,2 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 7pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||
| 1N4752a-t | - - - | | 2719 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4752 | 1,3 w | Do-41 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 25,1 V. | 33 v | 1000 Ohm | |||||||||||||||
 | TZM5240C-GS08 | - - - | | 5615 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5240 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,1 V @ 200 Ma | 3 µa @ 8 V | 10 v | 17 Ohm | ||||||||||||||
| MURS360S-M3/52T | 0,1280 | | 9211 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Murs360 | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,45 V @ 3 a | 75 ns | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1,5a | - - - | ||||||||||||
 | BZG05C5v6-E3-tr | - - - | | 5688 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZG05C | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 2 V. | 5.6 v | 7 Ohm | ||||||||||||||
| Smzj3795bhm3/i | - - - | | 2892 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Smzj37 | 1,5 w | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.200 | 5 µa @ 13,7 V | 18 v | 12 Ohm | |||||||||||||||
| Au1fmhm3/i | 0,0980 | | 7998 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | Lawine | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 112-au1fmhm3/itr | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,85 V @ 1 a | 75 ns | 1 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8.2pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
| BZT52B7V5-E3-08 | 0,3100 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZT52 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52B7V5 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 5 v | 7,5 v | 4 Ohm | |||||||||||||||
 | 20CTQ035Strl | - - - | | 8888 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 20ctq | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 35 V | 10a | 640 mv @ 10 a | 2 ma @ 35 v | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||
 | AS4PJ-M3/87A | 0,3036 | | 3783 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | As4 | Lawine | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 962 mv @ 2 a | 1,8 µs | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2.4a | 60pf @ 4v, 1 MHz |
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