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Dioden (29505)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX84B30-G3-08 | 0,2900 |  | 4639 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Bzx84-g | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84B30 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 50 na @ 21 v | 30 v | 80 Ohm | |||||||||||||
 | TZM5231B-GS08 | 0,2300 | | 70 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | - - - | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5231 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,1 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | |||||||||||||
 | SBLB1040-E3/45 | - - - | | 6452 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SBLB1040 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 600 mv @ 10 a | 1 ma @ 40 v | -40 ° C ~ 125 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||
| VS-HFA04TB60STRRP | - - - | | 4782 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Hexfred® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | HFA04 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,8 V @ 4 a | 42 ns | 3 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | - - - | ||||||||||
 | BZD27B8V2P-E3-18 | 0,1155 | | 9573 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZD27B | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27B8V2 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 50.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 3 V | 8.2 v | 2 Ohm | ||||||||||||
 | SE10DJHM3/i | 0,3960 | | 2136 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | SE10 | Standard | To-263ac (SMPD) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,15 V @ 10 a | 3 µs | 15 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 67PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | RS2GHE3/52T | - - - | | 5963 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | RS2 | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 1,5 a | 150 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 20pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||
| TLZ10C-GS08 | 0,2500 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Tlz | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Tlz10 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 40 NA @ 9.22 V. | 10 v | 8 Ohm | ||||||||||||
 | Egl41dhe3_a/i | - - - | | 7681 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | Egl41 | Standard | Do-213ab | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | Egl41dhe3_b/i | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
 | PTV10B-E3/84A | - - - | | 7231 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 6% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-220aa | PTV10 | 600 MW | DO-220AA (SMP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 10 µa @ 7 V. | 10.6 v | 6 Ohm | ||||||||||||
| Vs-12cdu06-m3/i | 1.3600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Fred Pt® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | 12cdu06 | Standard | To-263ac (SMPD) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 600 V | 6a | 1,3 V @ 6 a | 65 ns | 5 µa @ 600 V | 175 ° C (max) | ||||||||||
 | MMSZ4690-HE3-08 | 0,2800 | | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ4690 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 10 µa @ 4 V. | 5.6 v | ||||||||||||||
| Smzj3803bhm3/h | - - - | | 9480 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Smzj38 | 1,5 w | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 29.7 V. | 39 v | 45 Ohm | |||||||||||||
| VS-10TQ035SRR-M3 | 0,6838 | | 4050 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 10TQ035 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 570 mv @ 10 a | 2 ma @ 35 v | -50 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 900pf @ 5v, 1 MHz | |||||||||||
| V30d100chm3/i | 0,8087 | | 1510 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 leitete + tab) variante | V30D100 | Schottky | To-263ac (SMPD) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 112-V30D100CHM3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 15a | 820 mv @ 10 a | 500 µa @ 100 V. | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||
 | BZX384B10-E3-08 | 0,2700 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | BZX384 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384B10 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 7 V | 10 v | 20 Ohm | |||||||||||||
| MMBZ4682-G3-08 | - - - | | 3429 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ4682 | 350 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 1 µa @ 1 V | 2,7 v | ||||||||||||||
| BZX384B43-G3-08 | 0,0445 | | 4793 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Bzx384-g | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384B43 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 50 NA @ 30.1 V. | 43 v | 150 Ohm | |||||||||||||
 | SS3P4L-E3/87A | - - - | | 5773 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | SS3P4 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 470 mv @ 3 a | 250 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||
| VS-6TQ035STRL-M3 | 0,5613 | | 9889 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 6tq035 | Schottky | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 35 V | 600 mv @ 6 a | 800 µa @ 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 400PF @ 5V, 1 MHz | |||||||||||
 | MSS1P3HM3_A/H. | 0,3900 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | MicroSmp | MSS1P3 | Schottky | MicroSMP (Do-219AD) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 550 mV @ 1 a | 200 µA @ 30 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 50pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||
| U8dt-e3/4w | - - - | | 1193 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | U8 | Standard | To-263ab (d²pak) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,02 V @ 8 a | 20 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||
 | Vft4060c-e3/4w | 1.2067 | | 5160 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Vft4060 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 20a | 620 mv @ 20 a | 6 ma @ 60 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||
| AZ23C5V1-E3-18 | 0,3100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | AZ23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23C5V1 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 100 na @ 800 mv | 5.1 v | 60 Ohm | ||||||||||||
 | VS-70HFR160 | 15.3100 | | 6106 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 70HFR160 | Standard, Umgekehrte Polarität | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1600 v | 1,46 V @ 220 a | 4,5 mA @ 1600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 70a | - - - | |||||||||||
 | PLZ33D-G3/H | 0,3200 | | 28 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | PLZ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AC | PLZ33 | 500 MW | Do-219AC (microSMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.500 | 900 mv @ 10 mA | 200 Na @ 25 V. | 33 v | 65 Ohm | ||||||||||||
| SE10FD-M3/H | 0,4900 | | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SE10 | Standard | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,05 V @ 1 a | 780 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 7.5PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
 | VS-T70HF40 | 29.7800 | | 38 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | D-55 T-Modul | T70 | Standard | D-55 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 15 mA @ 400 V | 70a | - - - | |||||||||||||
| BZT52B10-HE3-18 | 0,0436 | | 5207 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52B10 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 Na @ 7,5 V. | 10 v | 5.2 Ohm | |||||||||||||
 | VS-SD403C08S10C | 60.4217 | | 7220 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Klemmen | DO-200AA, A-Puk | SD403 | Standard | DO-200AA, A-Puk | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,83 V @ 1350 a | 1 µs | 35 mA @ 800 V | 430a | - - - |
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