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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | DATENBLATT | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-MBRD650CT-M3 | 0,3353 | ![]() | 2717 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MBRD650 | Schottky | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSMBRD650CTM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 50 v | 3a | 700 mv @ 3 a | 100 µa @ 50 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||
MMBZ5248C-HE3-08 | - - - | ![]() | 5987 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5248 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 na @ 14 v | 18 v | 21 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | BZG05B27-HM3-08 | 0,2079 | ![]() | 2423 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZG05B-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05B27 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 20 V | 27 v | 30 Ohm | ||||||||||||||
MMBZ4625-HE3-18 | - - - | ![]() | 1075 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ4625 | 350 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 10 µa @ 3 V | 5.1 v | 1500 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | 1n5244b-tr | 0,1900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | - - - | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5244 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 10 v | 14 v | 15 Ohm | ||||||||||||||
![]() | SL13-E3/61T | 0,5000 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SL13 | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 445 mv @ 1 a | 200 µA @ 30 V. | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1,5a | - - - | |||||||||||||
![]() | BZT55C16-GS08 | 0,2100 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT55 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | BZT55C16 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 Na @ 12 V. | 16 v | 40 Ohm | ||||||||||||||
BZT52B16-HE3_A-18 | 0,0533 | ![]() | 6245 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZT52 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | Herunterladen | 112-BZT52B16-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 100 Na @ 12 V. | 16 v | 40 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | BYG10GHM3_A/H. | 0,1551 | ![]() | 1161 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BYG10 | Lawine | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,15 V @ 1,5 a | 4 µs | 1 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | - - - | ||||||||||||
![]() | 60EPS08 | - - - | ![]() | 4354 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-247-2 | 60EPS08 | Standard | To-247AC Modifiziert | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 60 a | 100 µa @ 800 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 60a | - - - | |||||||||||||
![]() | MMSZ5239C-HE3_A-18 | 0,0566 | ![]() | 2048 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | 112-mmsz5239c-He3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 7 V. | 9.1 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | BZG04-30-HM3-18 | 0,2079 | ![]() | 3904 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZG04-m | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG04-30 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 5 µa @ 30 V | 36 v | |||||||||||||||
![]() | ZMY13-GS08 | 0,4200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | Zmy13 | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 na @ 10 v | 13 v | 9 Ohm | |||||||||||||||
![]() | RGP15M-E3/73 | - - - | ![]() | 4641 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Superectifier® | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | RGP15 | Standard | DO-204AC (Do-15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 1,5 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1,5a | - - - | ||||||||||||
![]() | MMSZ5229C-HE3_A-18 | 0,0566 | ![]() | 3585 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | 112-mmsz5229c-He3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 1 V | 4.3 v | 22 Ohm | |||||||||||||||||
MUR420-M3/73 | - - - | ![]() | 5592 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Mur420 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 890 mv @ 4 a | 35 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - - - | |||||||||||||
![]() | V10p15-m3/h | 0,6600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP®, TMBS® | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | V10p15 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 1,08 V @ 10 a | 200 µA @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||||
![]() | BZX85B100-TR | - - - | ![]() | 6761 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZX85 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | BZX85B100 | 1,3 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 500 NA @ 75 V | 100 v | 350 Ohm | |||||||||||||||
DZ23C33-E3-08 | 0,0415 | ![]() | 7945 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | DZ23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 Na @ 25 V. | 33 v | 80 Ohm | |||||||||||||||
AZ23C51-E3-08 | 0,0415 | ![]() | 9331 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | AZ23 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23C51 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 100 Na @ 38 V. | 51 v | 100 Ohm | |||||||||||||||
![]() | 1N5253B-TAP | 0,2300 | ![]() | 4593 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | ± 5% | 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5253 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 30.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 19 V | 25 v | 35 Ohm | ||||||||||||||
![]() | ZMY82-GS08 | - - - | ![]() | 8856 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | Zmy82 | 1 w | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 NA @ 61 V | 82 v | 160 Ohm | |||||||||||||||
![]() | GP10AHM3/54 | - - - | ![]() | 3245 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | GP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | GDZ30B-HE3-08 | 0,0378 | ![]() | 9357 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, GDZ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Gdz30 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 100 na @ 23 v | 30 v | 200 Ohm | |||||||||||||||
![]() | VS-VSKCS330/030 | - - - | ![]() | 5904 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | Chassis -berg | Add-a-Pak (3) | VSKCS330 | Schottky | Add-a-Pak® | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | VSVSKCS330030 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | - - - | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 165a | - - - | |||||||||||||||
![]() | 1N4004GPHM3/54 | - - - | ![]() | 3126 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4004 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 5 µa @ 400 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | FESB8CT-E3/81 | 0,7496 | ![]() | 6481 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Fesb8 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||||
![]() | VS-90SQ030 | - - - | ![]() | 4973 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-204Ar, axial | 90sq030 | Schottky | Do-204Ar | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 300 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 480 mv @ 9 a | 1,75 mA @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | 9a | - - - | |||||||||||||
![]() | BZG03B24TR | - - - | ![]() | 8927 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, BZG03B | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG03 | 1,25 w | Do-214AC | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 500 mA | 1 µa @ 18 V | 24 v | 15 Ohm | |||||||||||||||
![]() | 2KBP06ML-36E4/51 | - - - | ![]() | 6394 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Tablett | Veraltet | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, kbpm | 2KBP06 | Standard | Kbpm | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1,1 V @ 3.14 a | 5 µa @ 600 V | 2 a | Einphase | 600 V |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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