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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
WNSC6D04650Q | 0,9000 | ![]() | 8930 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | WNSC6 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 1740-WNSC6D04650Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,4 V @ 4 a | 0 ns | 30 µA @ 650 V | 175 ° C. | 4a | 233pf @ 1V, 1 MHz | ||||||
BYV410X-600,127 | 1.7500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Byv410 | Standard | To-220f | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 600 V | 10a | 2,1 V @ 10 a | 35 ns | 50 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | ||||||
![]() | WNC3060D45160WQ | 2.2193 | ![]() | 4904 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | WNC3060 | - - - | 600 | |||||||||||||||||||||
![]() | WNS40H100C, 127 | 0,4247 | ![]() | 3137 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | WNS40 | Schottky | To-220e | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 20a | 710 mv @ 20 a | 50 µa @ 100 V. | 150 ° C. | ||||||||
WNSC2D30650CWQ | 6.8600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | WNSC2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 650 V | 30a | 1,7 V @ 15 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | 175 ° C. | |||||||
![]() | BYC30W-600PT2Q | 2.3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | BYC30 | Standard | To-247-2 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 934072030127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2.75 V @ 30 a | 34 ns | 10 µa @ 600 V | 175 ° C (max) | 30a | - - - | ||||
WNSC6D20650WQ | 6.6800 | ![]() | 529 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | WNSC6 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 1740-WNSC6D20650WQ | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,4 V @ 20 a | 0 ns | 100 µA @ 650 V | 175 ° C. | 20a | 1200PF @ 1V, 1 MHz | ||||||
![]() | WNSC2D04650Q | 1.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | WNSC2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1740-WNSC2D04650Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 4 a | 0 ns | 20 µa @ 650 V | 175 ° C. | 4a | 125PF @ 1V, 1 MHz | ||||
![]() | NXPSC166506Q | 6.5300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Lets Kaufen | K. Loch | To-220-2 | NXPSC | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 16 a | 0 ns | 100 µA @ 650 V | 175 ° C (max) | 16a | 534PF @ 1V, 1 MHz | ||||||
![]() | WNSC101200Q | 5.1150 | ![]() | 2927 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Lets Kaufen | K. Loch | To-220-2 | WNSC1 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,6 V @ 10 a | 0 ns | 110 µa @ 1200 V | 175 ° C (max) | 10a | 510pf @ 1V, 1 MHz | |||||
![]() | Nur460pu | - - - | ![]() | 5307 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | Nur460 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934067058112 | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,28 V @ 4 a | 75 ns | 10 µa @ 600 V | - - - | 4a | - - - | ||||
![]() | WNSC2D08650Q | 2.4700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | WNSC2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1740-WNSC2D08650Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µa @ 650 V | 175 ° C. | 8a | 260pf @ 1V, 1 MHz | ||||
![]() | Wnd35p12bj | 1.6000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | WND35 | Standard | D2pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,4 V @ 35 a | 50 µa @ 1200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 35a | - - - | |||||||
![]() | WNSC04650LJ | - - - | ![]() | 6166 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | 4-VSFN-Exponiertebad | WNSC0 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | 5-DFN (8x8) | - - - | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 4 a | 0 ns | 25 µa @ 650 V | 175 ° C. | 4a | 141pf @ 1V, 1 MHz | |||||||
![]() | NXPSC126506Q | 3.4650 | ![]() | 6107 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Lets Kaufen | K. Loch | To-220-2 | NXPSC | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 12 a | 0 ns | 80 µa @ 650 V | 175 ° C (max) | 12a | 380PF @ 1V, 1 MHz | ||||||
![]() | WNSC2D06650TJ | 1.9200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 4-VSFN-Exponiertebad | WNSC2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | 5-DFN (8x8) | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 6 a | 0 ns | 30 µA @ 650 V | 175 ° C. | 6a | 198PF @ 1V, 1MHz | |||||
![]() | BYC30JT-600PSQ | 1.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-3Pfm, SC-93-3 | BYC30 | Standard | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1740-byc30JT-600PSQ | Ear99 | 8541.10.0080 | 480 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2.75 V @ 30 a | 22 ns | 10 µa @ 600 V | 175 ° C. | 30a | - - - | ||||
![]() | BYQ28E-200,127 | 0,7600 | ![]() | 509 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | BYQ28 | Standard | To-220ab | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 10a | 1,25 V @ 10 a | 25 ns | 10 µA @ 200 V. | 150 ° C (max) | |||||
NXPSC08650DJ | - - - | ![]() | 6977 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NXPSC | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Dpak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 934070008118 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 8 a | 0 ns | 230 µa @ 650 V | 175 ° C (max) | 8a | 260pf @ 1V, 1 MHz | ||||||
![]() | BYV25FB-600,118 | 0,4620 | ![]() | 8436 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Byv25 | Standard | D2pak | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,9 V @ 5 a | 35 ns | 50 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | 5a | - - - | |||||
NUR460/L03,112 | - - - | ![]() | 9309 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | Nur460 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,28 V @ 4 a | 65 ns | 50 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | 4a | - - - | ||||||
![]() | WNSC2D10650Q | 2.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | WNSC2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1740-WNSC2D10650Q | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | 175 ° C. | 10a | 310pf @ 1V, 1 MHz | ||||
![]() | BYC5DX-500,127 | 0,4125 | ![]() | 1052 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | BYC5 | Standard | To-220fp | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 2 V @ 5 a | 16 ns | 40 µa @ 500 V | 150 ° C (max) | 5a | - - - | |||||
NXPSC04650DJ | - - - | ![]() | 2836 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NXPSC | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Dpak | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 4 a | 0 ns | 170 µa @ 650 V | 175 ° C (max) | 4a | 130pf @ 1v, 1 MHz | ||||||
![]() | BYQ42E-200q | 0,6270 | ![]() | 1193 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | BYQ42 | Standard | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 934069644127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 15a | 1,05 V @ 15 a | 25 ns | 20 µA @ 200 V. | 150 ° C (max) | |||||
![]() | BYC8X-600,127 | 1.1200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | BYC8 | Standard | To-220fp | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,9 V @ 8 a | 52 ns | 150 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | 8a | - - - | |||||
![]() | Byv29-600pq | 0,2970 | ![]() | 3958 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | Byv29 | Standard | To-220ab | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 934072012127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 8 a | 75 ns | 10 µa @ 600 V | 175 ° C (max) | 9a | - - - | ||||
![]() | BYC60W-600PQ | 3.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | BYC60 | Standard | To-247-2 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | 934069532127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,6 V @ 60 a | 50 ns | 10 µa @ 600 V | 175 ° C (max) | 60a | - - - | ||||
![]() | WNSC101200CWQ | 6.4099 | ![]() | 1793 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Lets Kaufen | K. Loch | To-247-3 | WNSC1 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247-3 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,6 V @ 5 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | 175 ° C (max) | 10a | 250pf @ 1V, 1 MHz | |||||
NXPSC08650Q | - - - | ![]() | 9977 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Lets Kaufen | K. Loch | To-220-2 | NXPSC | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 8 a | 0 ns | 230 µa @ 650 V | 175 ° C (max) | 8a | 260pf @ 1V, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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