SIC
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Dioden (390)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f
WN3S20H150CXQ WeEn Semiconductors WN3S20H150CXQ 0,7900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte WN3S20 Schottky To-220f Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 10a 1,1 V @ 10 a 50 µa @ 150 V 150 ° C.
WNSC5D06650X6Q WeEn Semiconductors WNSC5D06650X6Q - - -
RFQ
 ECAD 8729 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 WNSC5 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220ac - - - 1740-WNSC5D06650X6Q Ear99 8541.10.0080 1 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 6 a 0 ns 30 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 6a 201pf @ 1v, 1 MHz
WN3S40100CQ WeEn Semiconductors WN3S40100CQ 0,8900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 WN3S40 Schottky To-220ab Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 20a 780 mv @ 20 a 50 µa @ 100 V. 150 ° C.
BYV32EB-200,118 WeEn Semiconductors BYV32EB-200,118 1.5700
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab BYV32 Standard D2pak Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 800 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 20a 1,15 V @ 20 a 25 ns 30 µA @ 200 V. 150 ° C (max)
BYR29-800,127 WeEn Semiconductors Byr29-800,127 0,4785
RFQ
 ECAD 4756 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 Byr29 Standard To-220ac Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 800 V 1,5 V @ 8 a 75 ns 10 µa @ 800 V 150 ° C (max) 8a - - -
WNSC10650T6J WeEn Semiconductors WNSC10650T6J 1.9470
RFQ
 ECAD 4172 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Band & Rollen (TR) Lets Kaufen Oberflächenhalterung 4-VSFN-Exponiertebad WNSC1 SIC (Silicon Carbide) Schottky 5-DFN (8x8) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 3.000 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 10 a 0 ns 60 µa @ 650 V 175 ° C (max) 10a 328PF @ 1V, 1 MHz
WNSC5D30650CW6Q WeEn Semiconductors WNSC5D30650CW6Q - - -
RFQ
 ECAD 9895 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-247-3 WNSC5 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-3 - - - 1740-WNSC5D30650CW6Q Ear99 8541.10.0080 1 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 650 V 30a 1,7 V @ 15 a 0 ns 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C.
WNSC401200CWQ WeEn Semiconductors WNSC401200CWQ 11.5500
RFQ
 ECAD 6471 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Lets Kaufen K. Loch To-247-3 WNSC4 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-3 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,75 V @ 20 a 0 ns 200 µA @ 1200 V 175 ° C (max) 40a 810pf @ 1v, 1 MHz
WNSC2D051200D6J WeEn Semiconductors WNSC2D051200D6J 0,7632
RFQ
 ECAD 5175 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 WNSC2 SIC (Silicon Carbide) Schottky Dpak Herunterladen Ear99 8541.10.0080 2.500 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,6 V @ 5 a 0 ns 25 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 5a 260pf @ 1V, 1 MHz
WNSC04650T6J WeEn Semiconductors WNSC04650T6J 1.0313
RFQ
 ECAD 1979 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Band & Rollen (TR) Lets Kaufen Oberflächenhalterung 4-VSFN-Exponiertebad WNSC0 SIC (Silicon Carbide) Schottky 5-DFN (8x8) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 3.000 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 4 a 0 ns 25 µa @ 650 V 175 ° C (max) 4a 141pf @ 1V, 1 MHz
WNSC208006Q WeEn Semiconductors WNSC208006Q - - -
RFQ
 ECAD 5632 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Lets Kaufen K. Loch To-220-2 WNSC2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220ac - - - Ear99 8541.10.0080 1 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 800 V 1,7 V @ 20 a 0 ns 450 µa @ 800 V 175 ° C. 20a 655PF @ 1V, 1 MHz
OB2052V WeEn Semiconductors OB2052V - - -
RFQ
 ECAD 2423 0.00000000 Ween -halbleiter * Rohr Veraltet OB2052 - - - 1 (unbegrenzt) 934070134005 Veraltet 0000.00.0000 63.243
BYC30WT-600PSQ WeEn Semiconductors BYC30WT-600PSQ 1.3879
RFQ
 ECAD 4791 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-247-3 BYC30 Standard To-247-3 Herunterladen Ear99 8541.10.0080 600 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 2.75 V @ 30 a 35 ns 10 µa @ 600 V 175 ° C. 30a - - -
BYV29B-500,118 WeEn Semiconductors BYV29B-500,118 1.0100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Byv29 Standard D2pak Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 800 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 500 V 1,25 V @ 8 a 60 ns 50 µa @ 500 V 150 ° C (max) 9a - - -
WNSC5D086506Q WeEn Semiconductors WNSC5D086506Q - - -
RFQ
 ECAD 4911 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 WNSC5 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220ac - - - 1740-WNSC5D086506Q Ear99 8541.10.0080 1 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 8 a 0 ns 40 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 8a 267PF @ 1V, 1 MHz
BYV415J-600PQ WeEn Semiconductors BYV415J-600PQ 1.2375
RFQ
 ECAD 1012 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-3Pfm, SC-93-3 Byv415 - - - To-3Pf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 934071203127 Ear99 8541.10.0080 480 - - - - - - - - - - - -
NXPSC20650WQ WeEn Semiconductors NXPSC20650WQ - - -
RFQ
 ECAD 3444 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Abgebrochen bei Sic K. Loch To-247-3 NXPSC SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) 934070881127 Ear99 8541.10.0080 240 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 650 V 20a 1,7 V @ 10 a 0 ns 250 µa @ 650 V 175 ° C (max)
WNSC2D021200D6J WeEn Semiconductors WNSC2D021200D6J 0,3699
RFQ
 ECAD 6699 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 WNSC2 SIC (Silicon Carbide) Schottky Dpak Herunterladen Ear99 8541.10.0080 2.500 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,65 V @ 2 a 0 ns 10 µa @ 1200 V 175 ° C. 2a 95PF @ 1V, 1 MHz
WNSC2D301200W6Q WeEn Semiconductors WNSC2D301200W6Q 5.3483
RFQ
 ECAD 9168 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-247-2 WNSC2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-2 Herunterladen Ear99 8541.10.0080 600 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,6 V @ 30 a 0 ns 150 µa @ 1,2 kV -55 ° C ~ 175 ° C. 30a 1407PF @ 1V, 1 MHz
BYC10DX-600,127 WeEn Semiconductors BYC10DX-600,127 0,9700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte BYC10 Standard To-220fp Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 500 V 2,5 V @ 10 a 18 ns 200 µA @ 600 V 150 ° C (max) 10a - - -
BYC10X-600PQ WeEn Semiconductors BYC10X-600PQ 1.0500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte BYC10 Standard To-220fp Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 2,9 V @ 10 a 40 ns 200 µA @ 600 V 150 ° C (max) 10a - - -
BYV32E-300PQ WeEn Semiconductors Byv32e-300pq 0,5940
RFQ
 ECAD 9788 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 BYV32 Standard To-220e Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 300 V 10a 1,25 V @ 10 a 35 ns 20 µA @ 300 V 175 ° C (max)
BYV74W-400,127 WeEn Semiconductors BYV74W-400,127 1.1897
RFQ
 ECAD 6692 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-3 Byv74 Standard To-247-3 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 600 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 400 V 30a 1,36 V @ 30 a 60 ns 50 µa @ 400 V 150 ° C (max)
WNSC2D101200CW6Q WeEn Semiconductors WNSC2D101200CW6Q 2.0518
RFQ
 ECAD 9405 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-3 WNSC2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-3 Herunterladen Ear99 8541.10.0080 600 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 1200 V 10a 1,6 V @ 5 a 0 ns 25 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C.
WNSC5D20650CW6Q WeEn Semiconductors WNSC5D20650CW6Q - - -
RFQ
 ECAD 1487 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-247-3 WNSC5 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-3 - - - 1740-WNSC5D20650CW6Q Ear99 8541.10.0080 1 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 650 V 20a 1,7 V @ 20 a 0 ns 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C.
WNSC5D10650X6Q WeEn Semiconductors WNSC5D10650X6Q - - -
RFQ
 ECAD 1726 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 WNSC5 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220ac - - - 1740-WNSC5D10650X6Q Ear99 8541.10.0080 1 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a 323PF @ 1V, 1 MHz
NXPLQSC106506Q WeEn Semiconductors NXPLQSC106506Q 2.1450
RFQ
 ECAD 4977 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Lets Kaufen K. Loch To-220-2 NXPLQSC SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220ac Herunterladen 1 (unbegrenzt) 934072074127 Ear99 8541.10.0080 1.000 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,85 V @ 10 a 0 ns 230 µa @ 650 V 175 ° C (max) 10a 250pf @ 1V, 1 MHz
BYW29EX-200,127 WeEn Semiconductors BYW29EX-200,127 1.1600
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte BYW29 Standard To-220fp Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1,05 V @ 8 a 25 ns 10 µA @ 200 V. 150 ° C (max) 8a - - -
WNSC2D201200WQ WeEn Semiconductors WNSC2D201200WQ 8.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-2 WNSC2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-2 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1740-WNSC2D201200WQ Ear99 8541.10.0080 600 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,8 V @ 20 a 0 ns 200 µA @ 1200 V 175 ° C. 20a 845PF @ 1V, 1 MHz
BYV30W-600PQ WeEn Semiconductors BYV30W-600PQ 1.3879
RFQ
 ECAD 4984 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-2 BYV30 Standard To-247-2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) 934071199127 Ear99 8541.10.0080 600 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,55 V @ 30 a 75 ns 10 µa @ 600 V 175 ° C (max) 30a - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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