SIC
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Dioden (390)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f
WNSC5D066506Q WeEn Semiconductors WNSC5D066506Q - - -
RFQ
 ECAD 6859 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 WNSC5 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220ac - - - 1740-WNSC5D066506Q Ear99 8541.10.0080 1 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 6 a 0 ns 30 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 6a 201pf @ 1v, 1 MHz
WNSC2D101200WQ WeEn Semiconductors WNSC2D101200WQ 4.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-2 WNSC2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-2 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1740-WNSC2D101200WQ Ear99 8541.10.0080 600 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,65 V @ 10 a 0 ns 110 µa @ 1200 V 175 ° C. 10a 490pf @ 1V, 1 MHz
WND10M600XQ WeEn Semiconductors WND10M600XQ 0,3419
RFQ
 ECAD 9013 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte Wnd10 Standard To-220f Herunterladen Ear99 8541.10.0080 1.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 980 mv @ 10 a 10 µa @ 600 V 150 ° C. 10a - - -
BYV410-600PQ WeEn Semiconductors Byv410-600pq 0,4219
RFQ
 ECAD 9831 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-3 Byv410 Standard To-220e Herunterladen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 600 V 20a 1,7 V @ 10 a 55 ns 10 µa @ 600 V 175 ° C.
WNSC2D151200W6Q WeEn Semiconductors WNSC2D151200W6Q 2.8554
RFQ
 ECAD 4612 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-247-2 WNSC2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-2 Herunterladen Ear99 8541.10.0080 600 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 15 a 0 ns 150 µa @ 1200 V 175 ° C. 15a 700PF @ 1V, 1 MHz
BYQ60W-600PT2Q WeEn Semiconductors BYQ60W-600PT2Q 2.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-2 BYQ60 Standard To-247-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1740-MAL60W-600PT2Q Ear99 8541.10.0080 600 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 2 V @ 60 a 55 ns 10 µa @ 600 V 175 ° C. 60a - - -
WNSC2D06650Q WeEn Semiconductors WNSC2D06650Q 1.8700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 WNSC2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1740-WNSC2D06650Q Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 6 a 0 ns 30 µA @ 650 V 175 ° C. 6a 198PF @ 1V, 1MHz
WN3S30100CXQ WeEn Semiconductors WN3S30100CXQ 0,8700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte WN3S301 Schottky To-220f Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 15a 770 mv @ 15 a 50 µa @ 100 V. 150 ° C.
WNSC2D04650XQ WeEn Semiconductors WNSC2D04650XQ 1.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte WNSC2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220f - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1740-WNSC2D04650XQ Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 4 a 0 ns 20 µa @ 650 V 175 ° C. 4a 125PF @ 1V, 1 MHz
WNSC10650WQ WeEn Semiconductors WNSC10650WQ 1.8808
RFQ
 ECAD 4854 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Lets Kaufen K. Loch To-247-2 WNSC1 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-2 Herunterladen ROHS -KONFORM Nicht Anwendbar 1740-WNSC10650WQ Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 10 a 0 ns 60 µa @ 650 V 175 ° C. 10a 328PF @ 1V, 1 MHz
BYV60W-600PT2Q WeEn Semiconductors BYV60W-600PT2Q 2.8700
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-2 Standard To-247-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar 1740-byv60W-600pt2q Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,7 V @ 60 a 79 ns 10 µa @ 600 V 175 ° C. 60a - - -
NUR460P/L05U WeEn Semiconductors NUR460P/L05U - - -
RFQ
 ECAD 6942 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Do-201ad, axial Nur460 Standard Do-201ad Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,28 V @ 4 a 75 ns 10 µa @ 1,5 V - - - 4a - - -
NXPSC04650XQ WeEn Semiconductors NXPSC04650XQ - - -
RFQ
 ECAD 3816 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Lets Kaufen K. Loch To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte NXPSC SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220f Herunterladen 1 (unbegrenzt) 934070151127 Ear99 8541.10.0080 1.000 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 4 a 0 ns 170 µa @ 650 V 175 ° C (max) 4a 130pf @ 1v, 1 MHz
BYT28-500,127 WeEn Semiconductors Byt28-500,127 0,5574
RFQ
 ECAD 1250 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 Byt28 Standard To-220ab Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 500 V 10a 1,4 V @ 10 a 60 ns 10 µa @ 500 V 150 ° C (max)
WNSC2D10650XQ WeEn Semiconductors WNSC2D10650XQ 1.4550
RFQ
 ECAD 6616 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte WNSC2 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220f - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 1740-WNSC2D10650XQ Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 650 V 175 ° C. 10a 310pf @ 1V, 1 MHz
WNSC5D10650B6J WeEn Semiconductors WNSC5D10650B6J - - -
RFQ
 ECAD 5688 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 WNSC5 SIC (Silicon Carbide) Schottky Dpak - - - 1740-WNSC5D10650B6JTR Ear99 8541.10.0080 1 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 10a 323PF @ 1V, 1 MHz
NXPSC20650W6Q WeEn Semiconductors NXPSC20650W6Q 8.6300
RFQ
 ECAD 707 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-247-3 NXPSC SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) 934072090127 Ear99 8541.10.0080 240 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 650 V 20a 1,7 V @ 10 a 0 ns 250 µa @ 650 V 175 ° C (max)
WND45P16WQ WeEn Semiconductors Wnd45p16wq 3.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-2 Wnd45 Standard To-247-2 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 30 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1600 v 1,4 V @ 45 a 10 µa @ 1600 V 150 ° C. 45a - - -
BYT28-300,127 WeEn Semiconductors Byt28-300,127 0,5280
RFQ
 ECAD 9594 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 Byt28 Standard To-220ab Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 300 V 10a 1,4 V @ 10 a 60 ns 10 µA @ 300 V 150 ° C (max)
WB35SD160ALZ WeEn Semiconductors WB35SD160ALZ 0,6908
RFQ
 ECAD 7815 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Sterben WB35 Standard Wafer Herunterladen Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1600 v 1,2 V @ 35 a 50 µa @ 1600 V 150 ° C. 35a - - -
WB75FC120ALZ WeEn Semiconductors WB75FC120ALZ 1.8128
RFQ
 ECAD 6110 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Sterben WB75 Standard Wafer - - - Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1200 V 3,3 V @ 75 a 85 ns 250 µa @ 1200 V 175 ° C. 75a - - -
BYC30W-1200PQ WeEn Semiconductors BYC30W-1200PQ 3.0400
RFQ
 ECAD 851 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-2 BYC30 Standard To-247-2 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 934072005127 Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1200 V 3,3 V @ 30 a 65 ns 250 µa @ 1200 V 175 ° C (max) 30a - - -
WNSC5D06650T6J WeEn Semiconductors WNSC5D06650T6J - - -
RFQ
 ECAD 5098 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 4-VSFN-Exponiertebad WNSC5 SIC (Silicon Carbide) Schottky 5-DFN (8x8) - - - 1740-WNSC5D06650T6JTR Ear99 8541.10.0080 1 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 6 a 0 ns 30 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 6a 201pf @ 1v, 1 MHz
WND35P08Q WeEn Semiconductors Wnd35p08q 0,5644
RFQ
 ECAD 1911 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-2 WND35 Standard To-220ac Herunterladen Ear99 8541.10.0080 1.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,4 V @ 35 a 50 µa @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C. 35a - - -
WN3S20H150CXQ WeEn Semiconductors WN3S20H150CXQ 0,7900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte WN3S20 Schottky To-220f Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 10a 1,1 V @ 10 a 50 µa @ 150 V 150 ° C.
WNSC5D06650X6Q WeEn Semiconductors WNSC5D06650X6Q - - -
RFQ
 ECAD 8729 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 WNSC5 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-220ac - - - 1740-WNSC5D06650X6Q Ear99 8541.10.0080 1 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 6 a 0 ns 30 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 6a 201pf @ 1v, 1 MHz
WN3S40100CQ WeEn Semiconductors WN3S40100CQ 0,8900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 WN3S40 Schottky To-220ab Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 20a 780 mv @ 20 a 50 µa @ 100 V. 150 ° C.
WNSC10650T6J WeEn Semiconductors WNSC10650T6J 1.9470
RFQ
 ECAD 4172 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Band & Rollen (TR) Lets Kaufen Oberflächenhalterung 4-VSFN-Exponiertebad WNSC1 SIC (Silicon Carbide) Schottky 5-DFN (8x8) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 3.000 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,7 V @ 10 a 0 ns 60 µa @ 650 V 175 ° C (max) 10a 328PF @ 1V, 1 MHz
WNSC401200CWQ WeEn Semiconductors WNSC401200CWQ 11.5500
RFQ
 ECAD 6471 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Rohr Lets Kaufen K. Loch To-247-3 WNSC4 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-247-3 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 30 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,75 V @ 20 a 0 ns 200 µA @ 1200 V 175 ° C (max) 40a 810pf @ 1v, 1 MHz
WNSC2D051200D6J WeEn Semiconductors WNSC2D051200D6J 0,7632
RFQ
 ECAD 5175 0.00000000 Ween -halbleiter - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 WNSC2 SIC (Silicon Carbide) Schottky Dpak Herunterladen Ear99 8541.10.0080 2.500 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,6 V @ 5 a 0 ns 25 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 5a 260pf @ 1V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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