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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MURS160J | 0,4000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Standard | Smae | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 15.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 1 a | 75 ns | 5 µa @ 600 V | 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||
![]() | WST080SCM120CGALW | 11.6617 | ![]() | 9134 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | WST080 | - - - | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | BYV60W-600PSQ | 2.0689 | ![]() | 1643 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | Byv60 | Standard | To-247-2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2 V @ 60 a | 55 ns | 10 µa @ 600 V | 175 ° C. | 60a | - - - | |||||||||
![]() | WNSC201200CWQ | 9.8340 | ![]() | 9464 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Lets Kaufen | K. Loch | To-247-3 | WNSC2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247-3 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,6 V @ 10 a | 0 ns | 110 µa @ 1200 V | 175 ° C (max) | 20a | 510pf @ 1V, 1 MHz | |||||||
![]() | BYV30W-600PT2Q | 1.0905 | ![]() | 7638 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | BYV30 | Standard | To-247-2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,55 V @ 30 a | 75 ns | 10 µa @ 600 V | 175 ° C. | 30a | - - - | |||||||||
![]() | WNSC2D12650TJ | 3.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 4-VSFN-Exponiertebad | WNSC2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | 5-DFN (8x8) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 12 a | 0 ns | 60 µa @ 650 V | 175 ° C. | 12a | 380PF @ 1V, 1 MHz | ||||||||
![]() | WNB2560MQ | 1.6165 | ![]() | 1893 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBJ | WNB2560 | Standard | Gbjs | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 920 MV @ 12.5 a | 10 µa @ 600 V | 25 a | Einphase | 600 V | |||||||||||
![]() | WNS40H100CGQ | 0,6930 | ![]() | 1458 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | WNS40 | Schottky | To-262 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | - - - | 100 v | 20a | 710 mv @ 20 a | 50 µa @ 100 V. | 150 ° C (max) | ||||||||
![]() | NXPSC04650B6J | 2.7400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | NXPSC | SIC (Silicon Carbide) Schottky | D2pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 4 a | 0 ns | 170 µa @ 650 V | 175 ° C (max) | 4a | 130pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||
![]() | WNSC2D10650DJ | 2.7300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | WNSC2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | Dpak | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | 175 ° C. | 10a | 310pf @ 1V, 1 MHz | |||||||
![]() | NXPSC10650BJ | - - - | ![]() | 4322 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | NXPSC | SIC (Silicon Carbide) Schottky | D2pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 934070005118 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µa @ 650 V | 175 ° C (max) | 10a | 300PF @ 1V, 1 MHz | |||||||
![]() | BYC30W-600PQ | 2.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | BYC30 | Standard | To-247-2 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2.75 V @ 30 a | 22 ns | 10 µa @ 600 V | 175 ° C (max) | 30a | - - - | |||||||
![]() | WNS40H100CBJ | 1.6100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | WNS40 | Schottky | D2pak | Herunterladen | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 20a | 710 mv @ 20 a | 50 µa @ 100 V. | 150 ° C (max) | ||||||||
![]() | WNS20S100CQ | 0,7200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | WNS20 | Schottky | To-220e | Herunterladen | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | 934072011127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 10a | 950 mv @ 10 a | 50 µa @ 100 V. | 150 ° C (max) | |||||||
![]() | BYV430W-300PQ | 1.4871 | ![]() | 9908 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | Byv430 | Standard | To-247-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 934069529127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 300 V | 30a | 1,25 V @ 30 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | 175 ° C (max) | |||||||
![]() | BYV25F-600,127 | 0,4125 | ![]() | 1484 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | Byv25 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,9 V @ 5 a | 35 ns | 50 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | 5a | - - - | |||||||
![]() | WNSC2D08650TJ | 1.2300 | ![]() | 3930 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 4-VSFN-Exponiertebad | WNSC2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | 5-DFN (8x8) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µa @ 650 V | 175 ° C. | 8a | 260pf @ 1V, 1 MHz | |||||||
BYV34X-600,127 | 1.6700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Byv34 | Standard | To-220f | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 600 V | 20a | 1,36 V @ 10 a | 60 ns | 50 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | ||||||||
![]() | WNSC06650T6J | 2.8400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | 4-VSFN-Exponiertebad | WNSC0 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | 5-DFN (8x8) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 1740-WNSC06650T6JCT | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 6 a | 0 ns | 40 µa @ 650 V | 175 ° C (max) | 6a | 190pf @ 1v, 1 MHz | |||||||
![]() | BYC20X-600PQ | 1.9200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | BYC20 | Standard | To-220fp | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 934067355127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,5 V @ 20 a | 35 ns | 10 µa @ 600 V | 175 ° C (max) | 20a | - - - | ||||||
![]() | BYC10-600PQ | 0,4620 | ![]() | 9599 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | BYC10 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,8 V @ 10 a | 19 ns | 150 ° C (max) | 10a | - - - | ||||||||
![]() | BYV60W-600PQ | 3.3000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | Byv60 | Standard | To-247-2 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | Nicht Anwendbar | 934069533127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2 V @ 60 a | 55 ns | 10 µa @ 600 V | 175 ° C (max) | 60a | - - - | ||||||
![]() | NXPSC10650X6Q | 6.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | NXPSC | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220f | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 934072089127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µa @ 650 V | 175 ° C (max) | 10a | 300PF @ 1V, 1 MHz | |||||||
NXPLQSC10650Q | - - - | ![]() | 1984 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Lets Kaufen | K. Loch | To-220-2 | NXPLQSC | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,85 V @ 10 a | 0 ns | 230 µa @ 650 V | 175 ° C (max) | 10a | 250pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||
![]() | WNSC6D20650B6J | 5.1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | WNSC6 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | D2pak | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,55 V @ 20 a | 0 ns | 80 µa @ 650 V | 175 ° C. | 20a | 780PF @ 1V, 1 MHz | ||||||||
![]() | BYV72EW-200,127 | 1.9400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | Byv72 | Standard | To-247-3 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 15a | 1,2 V @ 30 a | 28 ns | 100 µA @ 200 V. | 150 ° C (max) | |||||||
![]() | Wnd10p08xq | 0,8900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | Wnd10 | Standard | To-220f | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 10 a | 10 µa @ 800 V | 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||
![]() | NXPSC206506Q | 7.6200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Lets Kaufen | K. Loch | To-220-2 | NXPSC | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 934072076127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 20 a | 0 ns | 500 µA @ 650 V | 175 ° C (max) | 20a | 600PF @ 1V, 1 MHz | |||||||
![]() | WNSC101200WQ | 5.4441 | ![]() | 8880 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Lets Kaufen | K. Loch | To-247-2 | WNSC1 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247-2 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,6 V @ 10 a | 0 ns | 110 µa @ 1200 V | 175 ° C (max) | 10a | 510pf @ 1V, 1 MHz | |||||||
NXPS20H100CX, 127 | - - - | ![]() | 6734 | 0.00000000 | Ween -halbleiter | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | NXPS20 | Schottky | To-220f | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 10a | 770 mv @ 10 a | 4,5 mA @ 100 v | 175 ° C (max) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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