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Dioden (14739)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TS10K60HD3G | - - - |  | 9760 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, gbl | TS10K60 | Standard | TS4K | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1,1 V @ 10 a | 10 µa @ 600 V | 10 a | Einphase | 600 V | ||||||||||
 | BZT52B62 | 0,0453 | | 7096 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52B | 410 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT52B62TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 900 mv @ 10 mA | 45 na @ 43.4 v | 62 v | 215 Ohm | ||||||||||
| 1SMC5352 R6 | - - - | | 9822 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | 5 w | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-1SMC5352R6TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 11,5 V. | 15 v | 2,5 Ohm | |||||||||||
| MTZJ39SC | 0,0305 | | 7727 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | MTZJ39 | 500 MW | Do-34 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-MTZJ39SCTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 200 na @ 30 v | 36.93 v | 85 Ohm | |||||||||||
 | UDZS7V5B | 0,0354 | | 1588 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | UDZS7V5 | 200 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-udzs7v5btr | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 na @ 4 v | 7,5 v | 30 Ohm | |||||||||||
 | TS40P07GH | 1.5366 | | 2340 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, TS-6P | TS40P07 | Standard | TS-6P | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 20 a | 10 µa @ 1000 V | 40 a | Einphase | 1 kv | ||||||||||
 | BZT52C39 | 0,0412 | | 1106 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT52C39TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1 V @ 10 mA | 45 NA @ 27,3 V. | 39 v | 130 Ohm | ||||||||||
 | UR3KB80 | 0,5154 | | 9270 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-ESIP | UR3KB | Standard | D3K | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1 V @ 2 a | 10 µa @ 800 V | 3 a | Einphase | 800 V | ||||||||||
| MTZJ3V0SA | 0,0305 | | 9768 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | Mtzj3 | 500 MW | Do-34 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-MTZJ3V0SATR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 50 µa @ 1 V | 2,96 v | 120 Ohm | |||||||||||
 | TS20P03GH | - - - | | 3457 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, TS-6P | Standard | TS-6P | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TS20P03GH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | 1,1 V @ 20 a | 10 µA @ 200 V. | 20 a | Einphase | 200 v | ||||||||||
| BZX79C22 | 0,0287 | | 9627 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX79 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZX79C22TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 20.000 | 1,5 V @ 100 mA | 50 na @ 15.4 v | 22 v | 55 Ohm | ||||||||||
 | GBL203 D2G | - - - | | 6323 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, gbl | GBL203 | Standard | Gbl | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1 V @ 2 a | 5 µa @ 200 V. | 2 a | Einphase | 200 v | ||||||||||
| TS6P05G C2G | - - - | | 9053 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, TS-6P | TS6P05 | Standard | TS-6P | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 6 a | 10 µa @ 600 V | 6 a | Einphase | 600 V | ||||||||||
| TS10P06GHD2G | - - - | | 7909 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, TS-6P | TS10P06 | Standard | TS-6P | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,1 V @ 10 a | 10 µa @ 1000 V | 10 a | Einphase | 800 V | ||||||||||
 | BZX55C3V0 A0G | - - - | | 3330 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1 V @ 100 mA | 4 µa @ 1 V | 3 v | 85 Ohm | ||||||||||
 | BZD27C9V1P RTG | - - - | | 5298 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 6,07% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 5 V | 9.05 v | 4 Ohm | ||||||||||
| BZT52C5v6 | 0,0412 | | 8385 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT52C5v6tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1 V @ 10 mA | 900 NA @ 2 V. | 5.6 v | 40 Ohm | ||||||||||
 | BZX584B11 RKG | - - - | | 3346 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 11 v | 20 Ohm | ||||||||||
 | SBS26 | 0,5994 | | 4075 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | SBS26 | Standard | ABS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 700 mv @ 2 a | 50 µa @ 60 V | 2 a | Einphase | 60 v | ||||||||||
 | BZV55B5V1 L1G | - - - | | 7431 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZv55b | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 1 v | 5.1 v | 35 Ohm | ||||||||||
| BZT52C3V3K | 0,0474 | | 8869 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZT52C | 200 MW | SOD-523F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT52C3V3KTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 20 µa @ 1 V | 3.3 v | 95 Ohm | |||||||||||
 | 1PGSMA4747 R3G | 0,4100 | | 1 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | 1PGSMA4747 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 15,2 V. | 20 v | 22 Ohm | ||||||||||
 | 1PGSMC5366 M6G | - - - | | 3002 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 w | Do-214AB (SMC) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-1pgsmc5366m6gtr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 NA @ 29.7 V. | 39 v | 14 Ohm | ||||||||||
 | DBL102G | - - - | | 1537 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Standard | Dbl | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-DBL102G | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1,1 V @ 1 a | 2 µa @ 100 V | 1 a | Einphase | 100 v | ||||||||||
| BZX55C47 | 0,0287 | | 7085 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZX55C47TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 V @ 100 mA | 100 na @ 35 V | 47 v | 110 Ohm | ||||||||||
| ABS15J | 0,1800 | | 3106 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | ABS15 | Standard | ABS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1 V @ 1,5 a | 5 µa @ 600 V | 1,5 a | Einphase | 600 V | ||||||||||
| MTZJ5V1SA | 0,0305 | | 6934 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | MTZJ5 | 500 MW | Do-34 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-MTZJ5V1SATR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 5 µa @ 1,5 V | 5.1 v | 80 Ohm | |||||||||||
| BZT52B20 | 0,0412 | | 4269 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52B | 500 MW | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BZT52B20TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1 V @ 10 mA | 45 na @ 14 v | 20 v | 55 Ohm | ||||||||||
| BZD27C56PHMTG | - - - | | 7989 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 7,14% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD27 | 1 w | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 43 V | 56 v | 60 Ohm | ||||||||||
 | 1n5391g | - - - | | 8523 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | Standard | DO-204AC (Do-15) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-1N5391GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,1 V @ 1,5 a | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 15PF @ 4V, 1 MHz |
2000+
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