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Dioden(421)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Leistung – max | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom – max | Diodenkonfiguration | Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If | Reverse Recovery Time (trr) | Strom – Rückwärtsleckage bei Vr | Betriebstemperatur – Verbindungsstelle | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | Kapazität @ Vr, F | Diodentyp | Spannung – Spitzenumkehr (max.) | Spannung – Zener (Nom) (Vz) | Impedanz (Max) (Zzt) | Widerstand @ If, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BAS516,L3F | 0,1800 |  | 9356 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SC-79, SOD-523 | BAS516 | Standard | ESC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 100 V | 1,25 V bei 150 mA | 3 ns | 200 nA bei 80 V | 150 °C (max.) | 250mA | 0,35 pF bei 0 V, 1 MHz | |||||||||||||
 | CRZ10(TE85L,Q,M) | 0,4900 | | 9265 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | ±10 % | -40°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOD-123F | CRZ10 | 700 mW | S-FLACH (1,6x3,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V bei 200 mA | 10 µA bei 6 V | 10 V | 30 Ohm | |||||||||||||||
 | HN1D01FU,LF(T | 0,4600 | | 137 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | HN1D01 | Standard | US6 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 2 Paar gemeinsame Anode | 80 V | 100mA | 1,2 V bei 100 mA | 4 ns | 500 nA bei 80 V | 125 °C (max.) | |||||||||||||
| CMZ12(TE12L,Q,M) | 0,5400 | | 9594 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | ±10 % | -40°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOD-128 | CMZ12 | 2 W | M-FLACH (2,4x3,8) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V bei 200 mA | 10 µA bei 8 V | 12 V | 30 Ohm | |||||||||||||||
 | 1SS184,LF | 0,2400 | | 26 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 1SS184 | Standard | S-Mini | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 1 Paar gemeinsame Kathode | 80 V | 100mA | 1,2 V bei 100 mA | 4 ns | 500 nA bei 80 V | 125 °C (max.) | |||||||||||||
 | JDP2S02ACT(TPL3) | 0,4600 | | 2 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 150°C (TJ) | SOD-882 | JDP2S02 | CST2 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 50mA | 0,4 pF bei 1 V, 1 MHz | PIN – Single | 30V | 1,5 Ohm bei 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||
| CMS20I40A(TE12L,QM | 0,2123 | | 3 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SOD-128 | CMS20 | Schottky | M-FLACH (2,4x3,8) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 40 V | 520 mV bei 2 A | 100 µA bei 40 V | 150 °C (max.) | 2A | 62pF bei 10V, 1MHz | ||||||||||||||
 | 1SS352,H3F | 0,1800 | | 236 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SC-76A | 1SS352 | Standard | SC-76-2 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 80 V | 1,2 V bei 100 mA | 4 ns | 500 nA bei 80 V | 125 °C (max.) | 100mA | 3pF bei 0V, 1MHz | |||||||||||||
| CMF03(TE12L,Q,M) | 0,5300 | | 2 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SOD-128 | CMF03 | Standard | M-FLACH (2,4x3,8) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 900 V | 2,5 V bei 500 mA | 100 ns | 50 µA bei 900 V | -40 °C ~ 125 °C | 500mA | - | |||||||||||||
 | 1SS416CT,L3F | 0,3000 | | 69 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SOD-882 | 1SS416 | Schottky | CST2 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 30 V | 500 mV bei 100 mA | 50 µA bei 30 V | 125 °C (max.) | 100mA | 15 pF bei 0 V, 1 MHz | ||||||||||||||
 | 1SS306TE85LF | 0,4400 | | 2 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SC-61AA | 1SS306 | Standard | SC-61B | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 200 V | 100mA | 1,2 V bei 100 mA | 60 ns | 1 µA bei 200 V | 125 °C (max.) | |||||||||||||
| CRZ22(TE85L,Q) | - | | 5653 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | ±10 % | -40°C ~ 150°C | Oberflächenmontage | SOD-123F | CRZ22 | 700 mW | S-FLACH (1,6x3,5) | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | CRZ22TR-NDR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V bei 200 mA | 10 µA bei 16 V | 22 V | 30 Ohm | |||||||||||||||
| 1SS379,LF | 0,4200 | | 20 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 1SS379 | Standard | SC-59 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 1 Paar Reihenschaltung | 80 V | 100mA | 1,3 V bei 100 mA | 10 nA bei 80 V | 125 °C (max.) | ||||||||||||||
| CRH01(TE85L,Q,M) | 0,5200 | | 54 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SOD-123F | CRH01 | Standard | S-FLACH (1,6x3,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 200 V | 980 mV bei 1 A | 35 ns | 10 µA bei 200 V | -40°C ~ 150°C | 1A | - | |||||||||||||
 | 1SS361,LJ(CT | 0,2700 | | 2 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SC-75, SOT-416 | 1SS361 | Standard | SSM | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 1 Paar gemeinsame Kathode | 80 V | 100mA | 1,2 V bei 100 mA | 4 ns | 500 nA bei 80 V | 125 °C (max.) | |||||||||||||
 | CRZ43(TE85L,Q,M) | - | | 6678 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | ±10 % | -40°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOD-123F | CRZ43 | 700 mW | S-FLACH (1,6x3,5) | herunterladen | RoHS-konform | CRZ43(TE85LQM) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V bei 200 mA | 10 µA bei 34,4 V | 43 V | 40 Ohm | |||||||||||||||
| TRS10V65H,LQ | 2.8900 | | 5 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | 4-VSFN freiliegendes Pad | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | 4-DFN-EP (8x8) | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,35 V bei 10 A | 0 ns | 100 µA bei 650 V | 175°C | 10A | 649pF bei 1V, 1MHz | ||||||||||||||
| CMZ24(TE12L,Q,M) | 0,5400 | | 8 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | ±10 % | -40°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOD-128 | CMZ24 | 2 W | M-FLACH (2,4x3,8) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V bei 200 mA | 10 µA bei 17 V | 24 V | 30 Ohm | |||||||||||||||
 | CVJ10F30,LF | 0,3800 | | 129 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | 6-SMD (5 Anschlüsse), Flachanschluss | CVJ10F30 | Schottky | UFV | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 2 Unabhängig | 30 V | 1A | 570 mV bei 1 A | 50 µA bei 30 V | 125 °C (max.) | ||||||||||||||
 | 1SS309(TE85L,F) | 0,4100 | | 385 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SC-74A, SOT-753 | 1SS309 | Standard | SMV | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 4 Gemeinsame Kathode | 80 V | 100mA | 1,2 V bei 100 mA | 4 ns | 500 nA bei 80 V | 125 °C (max.) | |||||||||||||
| CMS04(TE12L) | - | | 1186 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schnittband (CT) | Veraltet | Oberflächenmontage | SOD-128 | CMS04 | Schottky | M-FLACH (2,4x3,8) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 30 V | 370 mV bei 5 A | 8 mA bei 30 V | -40 °C ~ 125 °C | 5A | - | ||||||||||||||
| CMH08A(TE12L,Q,M) | - | | 7466 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | Oberflächenmontage | SOD-128 | CMH08A | Standard | M-FLACH (2,4x3,8) | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,8 V bei 2 A | 35 ns | 10 µA bei 400 V | -40°C ~ 150°C | 2A | - | |||||||||||||
| CUS15I30A(TE85L,QM | - | | 3931 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | Oberflächenmontage | SC-76, SOD-323 | CUS15I30 | Schottky | US-FLACH (1,25x2,5) | herunterladen | RoHS-konform | CUS15I30A(TE85LQM | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 30 V | 460 mV bei 1,5 A | 60 µA bei 30 V | 150 °C (max.) | 1,5A | 50 pF bei 10 V, 1 MHz | ||||||||||||||
 | TRS24N65D,S1F | - | | 3712 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Veraltet | Durchgangsloch | TO-247-3 | TRS24N | Schottky | TO-247 | - | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 650 V | 12A (Gleichstrom) | 1,7 V bei 12 A | 90 µA bei 650 V | 175 °C (max.) | ||||||||||||||
| CMS15(TE12L,Q,M) | 0,6800 | | 2 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SOD-128 | CMS15 | Schottky | M-FLACH (2,4x3,8) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 60 V | 580 mV bei 3 A | 300 µA bei 60 V | -40°C ~ 150°C | 3A | 102pF bei 10V, 1MHz | ||||||||||||||
| TRS12N65D,S1F | - | | 6487 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Veraltet | Durchgangsloch | TO-247-3 | TRS12N | Schottky | TO-247 | - | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 650 V | 6A (DC) | 1,7 V bei 6 A | 90 µA bei 650 V | 175 °C (max.) | ||||||||||||||
 | U20DL2C48A(TE24L,Q | - | | 3820 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | U20DL2 | Standard | TO-220SM | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 200 V | 20A | 980 mV bei 10 A | 35 ns | 50 µA bei 200 V | - | ||||||||||||||
| CRS09(TE85L,Q,M) | 0,5000 | | 174 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SOD-123F | CRS09 | Schottky | S-FLACH (1,6x3,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io) | 30 V | 460 mV bei 1,5 A | 50 µA bei 30 V | -40°C ~ 150°C | 1,5A | 90 pF bei 10 V, 1 MHz | ||||||||||||||
| HN1D02FU(T5L,F,T) | 0,4700 | | 8 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | SOT-563, SOT-666 | HN1D02 | Standard | ES6 | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 2 Paar gemeinsame Kathode | 80 V | 100mA | 1,2 V bei 100 mA | 4 ns | 500 nA bei 80 V | 125 °C (max.) | |||||||||||||
| 1SS294,LF | 0,3300 | | 2 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 1SS294 | Schottky | S-Mini | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleines Signal =< 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit | 40 V | 600 mV bei 100 mA | 5 µA bei 40 V | 125 °C (max.) | 100mA | 25 pF bei 0 V, 1 MHz |
2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
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