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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4750a | 0,0300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 20 ° C. | K. Loch | Axial | 1 w | Axial | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 9.779 | 5 µa @ 20,6 V | 27 v | 35 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | EGP10G | 0,1300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,277 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,25 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||
![]() | BZX55C10 | 0,0500 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,3 V @ 100 mA | 100 Na @ 7,5 V. | 10 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | 1N4755A-T50A | 0,0500 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4755 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6,354 | 5 µA @ 32,7 V. | 43 v | 70 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | SS38 | - - - | ![]() | 3892 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Schottky | SMC (Do-214AB) | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 850 mv @ 3 a | 500 µa @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||||||
![]() | MMBD1705A | 0,0300 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBD17 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 30 v | 50 ma | 1,1 V @ 50 Ma | 1 ns | 50 na @ 20 v | 150 ° C (max) | |||||||||||
![]() | MMBZ5233B | - - - | ![]() | 2732 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-MMBZ5233B-600039 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 3,5 V | 6 v | 7 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | BZX85C8V2 | 0,0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 5 V | 8.2 v | 5 Ohm | ||||||||||||||
![]() | Es3c | - - - | ![]() | 9992 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | SMC (Do-214AB) | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 900 mv @ 3 a | 20 ns | 5 µa @ 150 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||
![]() | FFB20UP20stm | 1.0000 | ![]() | 4609 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Standard | D2pak (to-263) | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,15 V @ 20 a | 45 ns | 100 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - - - | ||||||||||||||||
![]() | KBP01M | 0,4800 | ![]() | 2866 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, kbpm | Standard | Kbpm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0080 | 207 | 1 V @ 1 a | 5 µa @ 100 V. | 1,5 a | Einphase | 100 v | ||||||||||||||||
![]() | FFPF04S60STU | - - - | ![]() | 6509 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | Stealth ™ | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 Full Pack | Standard | To-220f-2l | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,6 V @ 4 a | 25 ns | 100 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 4a | - - - | ||||||||||||||
![]() | 1N5404 | - - - | ![]() | 5611 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-201aa, Do-27, axial | 1N5404 | Standard | Do-201 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,2 V @ 3 a | 1,5 µs | 500 NA @ 400 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||
![]() | 1N5822 | - - - | ![]() | 3355 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-201aa, Do-27, axial | Schottky | Axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 525 mv @ 3 a | 2 ma @ 40 v | -65 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||
![]() | Bay80 | 0,0200 | ![]() | 8133 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Standard | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.10.0070 | 550 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 150 v | 1 V @ 150 mA | 60 ns | 100 NA @ 120 V | 175 ° C (max) | 200 ma | 6PF @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | 1N4933 | 0,0200 | ![]() | 124 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Standard | Axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,2 V @ 1 a | 300 ns | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||
![]() | 1N963B | 2.1300 | ![]() | 66 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0050 | 141 | 5 µa @ 9,1 V | 12 v | 11,5 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | Rurd660S-SB82214 | 1.0000 | ![]() | 2358 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Lawine | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-Rurd660S-SB82214-600039 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,5 V @ 6 a | 60 ns | 100 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 25PF @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | S3g | 1.0000 | ![]() | 4265 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | SMC (Do-214AB) | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,15 V @ 3 a | 1,5 µs | 5 µa @ 1,7 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||
![]() | 1N5234B | 0,0300 | ![]() | 542 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | 500 MW | - - - | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 11.539 | 5 µa @ 4 V | 6.2 v | 7 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | RHRG3060-F085 | - - - | ![]() | 5121 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | Standard | To-247-2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2.1 V @ 30 a | 45 ns | 250 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - - - | |||||||||||||||
![]() | FDH400TR | 0,0300 | ![]() | 163 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | Standard | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 9.779 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 150 v | 1,1 V @ 300 mA | 50 ns | 100 NA @ 150 V | 175 ° C (max) | 200 ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||
![]() | Mm5z43v | 0,0200 | ![]() | 54 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 7% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523F | MM5Z4 | 200 MW | SOD-523F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 50 NA @ 30.1 V. | 43 v | 150 Ohm | ||||||||||||||
![]() | 1N5391 | 0,0200 | ![]() | 77 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | Standard | Do-15 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,4 V @ 1,5 a | 5 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 25pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | S1B | 0,0500 | ![]() | 1838 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Standard | Do-214AC, SMA | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 1 a | 1,5 µs | 5 µa @ 100 V. | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||
![]() | MMBZ5243B | 0,0200 | ![]() | 171 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 225 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 500 NA @ 9.9 V. | 13 v | 13 Ohm | ||||||||||||||
![]() | 1N5821 | 0,2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-201aa, Do-27, axial | 1n58 | Schottky | Do-201 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.603 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 900 mv @ 9.4 a | 2 ma @ 30 v | -50 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||
![]() | S3a | 1.0000 | ![]() | 9473 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | Allianz Plastik, s | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | SMC (Do-214AB) | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,15 V @ 3 a | 1,5 µs | 5 µa @ 50 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||
![]() | BZX79C13 | 0,0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,5 V @ 100 mA | 100 na @ 8 v | 13 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | 1n5251btr | 0,0300 | ![]() | 274 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 na @ 17 v | 22 v | 29 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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