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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX55C43 | 0,0200 | ![]() | 5665 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 7% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,3 V @ 100 mA | 100 na @ 32 V | 43 v | 90 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | BZX85C12T50A | 0,0200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 8.4 V. | 12 v | 9 Ohm | ||||||||||||||
![]() | DF10S | 0,2000 | ![]() | 8376 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Standard | Df-s | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 1 V | 1 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||||||
![]() | MM3Z62VC | 0,0300 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 mA | 45 na @ 43.4 v | 62 v | 202 Ohm | |||||||||||||||||
KBU6J | 0,7100 | ![]() | 5162 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, KBU | Standard | KBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0080 | 84 | 1 V @ 6 a | 10 µa @ 50 V | 6 a | Einphase | 600 V | |||||||||||||||||
![]() | 3n258 | 0,5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-sip, kbpm | Standard | Kbpm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 1,1 V @ 3.14 a | 5 µa @ 800 V | 2 a | Einphase | 800 V | ||||||||||||||||
![]() | DFB2020 | 1.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, TS-6P | Standard | TS-6P | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 1,1 V @ 20 a | 10 µA @ 200 V. | 20 a | Einphase | 200 v | |||||||||||||||||
![]() | GBPC25005W | 2.7900 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, gbpc-w | GBPC25005 | Standard | Gbpc-w | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 117 | 1,1 V @ 7,5 a | 5 µa @ 50 V | 25 a | Einphase | 50 v | ||||||||||||||||
![]() | GBPC1202W | 3.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, gbpc-w | Standard | Gbpc-w | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 90 | 1,1 V @ 6 a | 5 µa @ 200 V. | 12 a | Einphase | 200 v | |||||||||||||||||
![]() | 1n5245b | 0,0300 | ![]() | 65 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | - - - | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 11.539 | 100 na @ 11 v | 15 v | 16 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | GBPC1210 | 1.0000 | ![]() | 8187 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, GBPC | Standard | GBPC | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,1 V @ 6 a | 5 µa @ 1 V | 12 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||||||
![]() | Df01m | 0,2600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-EDIP (0,300 ", 7,62 mm) | Standard | DFM | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,151 | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 100 V. | 1 a | Einphase | 100 v | |||||||||||||||||
![]() | DF005S1 | 0,2100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Standard | 4-sdip | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1,1 V @ 1 a | 3 µa @ 50 V | 1 a | Einphase | 50 v | |||||||||||||||||
![]() | Mm5z36v | 1.0000 | ![]() | 9820 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523F | MM5Z3 | 200 MW | SOD-523F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 50 NA @ 25.2 V. | 36 v | 90 Ohm | ||||||||||||||
![]() | 1N4751A-T50A | 0,0500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4751 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 22,8 V. | 30 v | 40 Ohm | ||||||||||||||
![]() | SS24 | 0,0900 | ![]() | 5399 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SS24 | Schottky | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 11 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 2 a | 400 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||
![]() | BZX85C18 | 0,0300 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 12,5 V. | 18 v | 20 Ohm | ||||||||||||||
![]() | ISL9K1560G3 | 1.3300 | ![]() | 1008 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-ISl9K1560G3-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFB20UP20DN-SB82195 | 0,7700 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.39.0001 | 800 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FLZ10VB | 0,0200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 110 na @ 7 v | 9.7 v | 6.6 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | 1N4933GP | 0,1900 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0080 | 25.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,2 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 12pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | RS1KFA | - - - | ![]() | 7709 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | RS1K | Standard | SOD-123FA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 800 mA | 500 ns | 5 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | Fmka130l | - - - | ![]() | 1927 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Schottky | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,121 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 410 mv @ 1 a | 1 ma @ 30 v | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||
![]() | MMSZ5253B | 1.0000 | ![]() | 1744 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 19 V | 25 v | 35 Ohm | ||||||||||||||
![]() | Mm5z3v3 | 1.0000 | ![]() | 4066 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 6,06% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | 200 MW | SOD-523F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8.000 | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 95 Ohm | |||||||||||||||
![]() | BZX55C7V5_NL | 0,0200 | ![]() | 8115 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,3 V @ 100 mA | 100 na @ 5 v | 7,5 v | 7 Ohm | ||||||||||||||
![]() | MMBZ5238B | 0,0200 | ![]() | 118 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 225 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 500 | 900 mv @ 10 mA | 3 µA @ 6,5 V. | 8,7 v | 8 Ohm | ||||||||||||||
![]() | Flz18va | 0,0200 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 133 na @ 13 v | 16.7 V | 19,4 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | 1N5254BTR | - - - | ![]() | 6698 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-1n5254btr-600039 | 1 | 100 na @ 21 V | 27 v | 41 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | FFB20UP20DN | 0,6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Standard | D2pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 10a | 1,15 V @ 10 a | 40 ns | 10 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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