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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAW62 | 0,0200 | ![]() | 247 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BAW62 | Standard | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 75 V | 1 V @ 100 mA | 4 ns | 5 µa @ 75 V | 175 ° C (max) | 300 ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||
![]() | Rurg1520cc_nl | - - - | ![]() | 5962 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | Lawine | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 15a | 1,05 V @ 15 a | 35 ns | 100 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||
MMSZ5236B | 0,0200 | ![]() | 134 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | - - - | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ52 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 6 V | 7,5 v | 5 Ohm | ||||||||||||||
![]() | EGP30A | 0,2800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Standard | Do-201ad | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-EGP30A-600039 | 1.156 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 950 mv @ 3 a | 50 ns | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 95PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | GBPC2506 | - - - | ![]() | 6367 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, GBPC | Standard | GBPC | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V @ 12.5 a | 5 µa @ 600 V | 25 a | Einphase | 600 V | ||||||||||||||||||
![]() | BZX85C18 | 0,0300 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 12,5 V. | 18 v | 20 Ohm | ||||||||||||||
![]() | FLZ15VC | 1.0000 | ![]() | 2814 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 133 na @ 11 v | 14.7 v | 13,3 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | MMSZ5243B | - - - | ![]() | 9857 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 500 NA @ 9.9 V. | 13 v | 13 Ohm | ||||||||||||||
![]() | EGP20D | 1.0000 | ![]() | 3844 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | Standard | Do-15 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mV @ 2 a | 50 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 70pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | FFD04H60S | 0,5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Standard | To-252, (d-pak) | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2.1 V @ 4 a | 60 ns | 100 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 4a | - - - | |||||||||||||||
![]() | BZX84C5V6-FS | 0,0200 | ![]() | 3013 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84C5 | 250 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.003 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 2 V. | 5.6 v | 10 Ohm | |||||||||||||
![]() | Rurd620 | 0,7100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Standard | I-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 6 a | 30 ns | 100 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - - - | ||||||||||||
![]() | 1N5393 | 0,0200 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | Standard | Do15/do204ac | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 1,5 a | 1,5 µs | 5 µa @ 200 V. | -50 ° C ~ 175 ° C. | 1,5a | - - - | |||||||||||||||
![]() | MM3Z56VC | - - - | ![]() | 5457 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 mA | 45 NA @ 39.2 V. | 56 v | 188 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | 1N914BWT | 0,0200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523F | 1N914B | Standard | SOD-523F | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1 V @ 100 mA | 4 ns | 5 µa @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | 1N4730A-T50A | - - - | ![]() | 1513 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-1N4730A-T50A-600039 | 1 | 50 µa @ 1 V | 3,9 v | 9 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | EGP20G | 0,2800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | Standard | Do-15 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,158 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,25 V @ 2 a | 50 ns | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 45PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | MMSZ5255B | 1.0000 | ![]() | 1316 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 21 V | 28 v | 44 Ohm | ||||||||||||||
![]() | FLZ2V7B | 0,0200 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 4% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,2 V @ 200 Ma | 70 µa @ 1 V | 2,8 v | 35 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | MM3Z43VC | - - - | ![]() | 7538 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 mA | 45 NA @ 30.1 V. | 43 v | 141 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | BAV21TR | - - - | ![]() | 4263 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BAV21 | Standard | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 250 V | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 Na @ 200 V. | 175 ° C (max) | 200 ma | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||
![]() | FFP08D60L2 | - - - | ![]() | 8812 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | Standard | To-220-2 | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 3,6 V @ 8 a | 25 ns | 10 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | |||||||||||||||
![]() | 1N5408 | 1.0000 | ![]() | 1378 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | 1N5408 | Standard | Do15/do204ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,2 V @ 3 a | 1,5 µs | 200 NA @ 1000 V. | -50 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||
![]() | 1N5229BTR | 0,0300 | ![]() | 155 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | 500 MW | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 11.539 | 5 µa @ 1 V | 4.3 v | 22 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1n5241btr | 0,0200 | ![]() | 392 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 2 µa @ 8,4 V | 11 v | 22 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | FFSH20120ADN-F155 | - - - | ![]() | 2177 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | FFSH20120 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1200 V | 10a (DC) | 1,75 V @ 10 a | 200 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||
![]() | FLZ8V2B | 0,0200 | ![]() | 5084 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,230 | 1,2 V @ 200 Ma | 300 na @ 5 v | 8 v | 6.6 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | Rurp860_nl | - - - | ![]() | 2564 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | Standard | To-220-2 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,5 V @ 8 a | 70 ns | 100 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||||
![]() | MBRP3010NTU | 0,8300 | ![]() | 782 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 362 | SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 30a | 1,05 V @ 30 a | 1 ma @ 100 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||
![]() | BZX85C5V1-T50A | 0,0400 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | - - - | Verkäfer undefiniert | Reichweiite Betroffen | 2156-BZX85C5V1-T50A-600039 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 2 V. | 5.1 v | 10 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus