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Dioden (545)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)
Bas116gwj	1.0000	RFQ	6893	NXP -halbleiter	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	SOD-123		Standard		SOD-123	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BAS116GWJ-954	Ear99	8541.10.0070	1		Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)	75 V	1,25 V @ 150 mA	3 µs	5 Na @ 75 V	150 ° C (max)	215 Ma	2PF @ 0V, 1MHz
BZX79-C24,113	0,0200	RFQ	350	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			400 MW	ALF2	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZX79-C24,113-954	Ear99	8541.10.0070	1				900 mv @ 10 mA		50 Na @ 16,8 V.				24 v	70 Ohm
PMEG3020CEP, 115	0,0900	RFQ	386	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	SOD-128		Schottky		SOD-128/CFP5	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-PMEG3020CEP, 115-954	Ear99	8541.10.0080	1		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)	30 v	420 mv @ 2 a		1,5 mA @ 30 v	150 ° C (max)	2a	170pf @ 1V, 1 MHz
PMEG6010SBYL	0,0400	RFQ	200	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	2-xdfn	PMEG6010	Schottky		DSN1006-2	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-PMEG6010SBYL-954	Ear99	8541.10.0080	8,126		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)	60 v	730 mv @ 1 a	2.4 ns	30 µa @ 60 V	150 ° C (max)	1a	20pf @ 10v, 1 MHz
PMEG4020EP, 115	0,0900	RFQ	21	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	SOD-128		Schottky		SOD-128/CFP5	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-pmeg4020ep, 115-954	Ear99	8541.10.0080	1		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)	40 v	490 mv @ 2 a		100 µa @ 40 V	150 ° C (max)	2a	95PF @ 10V, 1 MHz
BZX84-C2V7,215	0,0200	RFQ	48	NXP -halbleiter	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZX84-C2V7,215-954		0000.00.0000	1				900 mv @ 10 mA		20 µa @ 1 V				2,7 v	100 Ohm
Pzu2.4bl, 315	- - -	RFQ	6739	NXP -halbleiter	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	± 5%	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOD-882			250 MW	DFN1006-2	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-Pzu2.4bl, 315-954			1				1,1 V @ 100 mA		50 µa @ 1 V				2,4 v	100 Ohm
PMEG2015EH, 115	0,0500	RFQ	94	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	SOD-123F		Schottky		SOD-123F	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-PMEG2015EH, 115-954			5,912		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)	20 v	660 mV @ 1,5 a		70 µa @ 20 V	150 ° C (max)	1,5a	50pf @ 1V, 1 MHz
BZX79-C22,143	0,0200	RFQ	75	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			400 MW	ALF2	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZX79-C22,143-954	Ear99	8541.10.0070	1				900 mv @ 10 mA		50 na @ 700 mv				22 v	55 Ohm
Bat74s, 115	1.0000	RFQ	2777	NXP -halbleiter	*	Schüttgut	Aktiv					Bat74				Herunterladen		Verkäfer undefiniert	UnberÜHrt Ereichen	2156-bat74s, 115-954			1
BZV55-C43,115	0,0200	RFQ	262	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500 MW	Llds; Minimelf	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZV55-C43,115-954	Ear99	8541.10.0070	1				900 mv @ 10 mA		50 NA @ 30.1 V.				43 v	150 Ohm
PMEG1020EJ, 115	- - -	RFQ	8548	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	SC-90, SOD-323F		Schottky		SOD-323F	Herunterladen			UnberÜHrt Ereichen	2156-pmeg1020ej, 115-954			1		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)	10 v	460 mv @ 2 a		3 ma @ 10 v	150 ° C (max)	2a	50pf @ 5v, 1 MHz
BZX79-B5V1,133	0,0200	RFQ	139	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			400 MW	ALF2	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZX79-B5V1,133-954			1				900 mv @ 10 mA		2 µa @ 2 V				5.1 v	60 Ohm
BAT54W, 115	0,0200	RFQ	82	NXP -halbleiter	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323	Bat54	Schottky		SOT-323	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BAT54W, 115-954			1		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit	30 v	800 mV @ 100 mA	5 ns	2 µa @ 25 V.	150 ° C (max)	200 ma	10pf @ 1V, 1 MHz
BZX384-C43,115	0,0200	RFQ	225	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SC-76, SOD-323	BZX384		300 MW	SOD-323	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZX384-C43,115-954			1				1,1 V @ 100 mA		5 NA @ 30.1 V.				43 v	150 Ohm
NZX6V2A, 133	0,0200	RFQ	218	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	ALF2	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-NZX6V2A, 133-954			1				1,5 V @ 200 Ma		3 µa @ 4 V.				6.2 v	15 Ohm
BZX79-B3V6,113	0,0200	RFQ	200	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			400 MW	ALF2	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZX79-B3V6,113-954			1				900 mv @ 10 mA		5 µa @ 1 V				3.6 V	90 Ohm
BZX384-C11,115	- - -	RFQ	7400	NXP -halbleiter	BZX384	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SC-76, SOD-323			300 MW	SOD-323	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-BZX384-C11,115-954			1				1,1 V @ 100 mA		100 na @ 8 v				11 v	20 Ohm
BZX884-B30,315	0,0300	RFQ	28	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SOD-882			250 MW	DFN1006-2	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZX884-B30,315-954	Ear99	8541.10.0050	1				900 mv @ 10 mA		50 na @ 21 v				30 v	80 Ohm
BZX79-B9V1,143	0,0200	RFQ	103	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			400 MW	ALF2	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZX79-B9V1,143-954			1				900 mv @ 10 mA		500 na @ 6 v				9.1 v	15 Ohm
BYV32E-200,127	- - -	RFQ	7891	NXP -halbleiter	*	Schüttgut	Aktiv					BYV32				Herunterladen		Verkäfer undefiniert	UnberÜHrt Ereichen	2156-byv32e-200,127-954	Ear99	8541.10.0080	381
BZB84-C3V0,215	0,0200	RFQ	149	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	- - -	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			300 MW	To-236ab	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZB84-C3V0,215-954	Ear99	8541.10.0050	1	1 Paar -Gemeinsamer -Anode			900 mv @ 10 mA		10 µa @ 1 V				3 v	95 Ohm
1PS88SB82,115	- - -	RFQ	9512	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Veraltet			Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363		Schottky		6-tssop	- - -				2156-1ps88SB82,115			1		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit	15 v	700 mv @ 30 mA		200 na @ 1 v	-65 ° C ~ 125 ° C.
BZV85-C3V6,133	0,0300	RFQ	30	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial			1,3 w	Do-41	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZV85-C3v6,133-954			1				1 V @ 50 Ma		50 µa @ 1 V				3.6 V	15 Ohm
BZV85-C62,133	0,0300	RFQ	20	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial			1,3 w	Do-41	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZV85-C62,133-954			1				1 V @ 50 Ma		50 na @ 43 v				62 v	175 Ohm
BZX84-B30,215	0,0200	RFQ	93	NXP -halbleiter	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZX84-B30,215-954			1				900 mv @ 10 mA		50 na @ 21 v				30 v	80 Ohm
BZB984-C13,115	0,0400	RFQ	18	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	- - -	Oberflächenhalterung	SOT-663			265 MW	SOT-663	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZB984-C13,115-954			1	1 Paar -Gemeinsamer -Anode			900 mv @ 10 mA		100 na @ 8 v				13 v	10 Ohm
BZv49-C22,115	- - -	RFQ	1276	NXP -halbleiter	BZv49	Schüttgut	Aktiv	± 5%	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-243aa			1 w	SOT-89	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-BZv49-C22,115-954			1				1 V @ 50 Ma		50 na @ 15.4 v				22 v	55 Ohm
BZV85-C3V9,133	- - -	RFQ	4895	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial	BZV85-C3V9		1,3 w	Do-41	Herunterladen						0000.00.0000	1				1 V @ 50 Ma		10 µa @ 1 V				3,9 v	15 Ohm
BZX84-B75,215	0,0200	RFQ	158	NXP -halbleiter	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZX84-B75,215-954			1				900 mv @ 10 mA		50 NA @ 52,5 V.				75 V	255 Ohm

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Dioden (545)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²