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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Bas16,215 | - - - | ![]() | 3763 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobil, AEC-Q101, BAS16 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas16 | Standard | To-236ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-Bas16,215-954 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (max) | 215 Ma | 1,5PF @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | BZX884-C6V2,315 | - - - | ![]() | 5365 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-BZX884-C6V2,315-954 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 4 V. | 6.2 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | BZV85-C18,113 | 0,0400 | ![]() | 23 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,3 w | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZV85-C18,113-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 NA @ 12,5 V. | 18 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | 1N4737a, 133 | - - - | ![]() | 5624 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4737 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 5 V | 7,5 v | 4 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | BZX585-B20,115 | - - - | ![]() | 2164 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZX585-B20,115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 700 mv | 20 v | 55 Ohm | |||||||||||||||
![]() | BZX84-C7V5,215 | 0,0200 | ![]() | 353 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZX84-C7V5,215-954 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 5 V | 7,5 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | 1N4531133 | - - - | ![]() | 9164 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | Do-204AG, Do-34, axial | Standard | Do-34 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 75 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 25 Na @ 20 V | 200 ° C (max) | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-B16,115 | 0,0300 | ![]() | 16 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SOD-323F | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZX84J-B16,115-954 | 10.051 | 1,1 V @ 100 mA | 50 NA @ 11.2 V. | 16 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | BZX884-C2V4315 | - - - | ![]() | 2439 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4742a, 113 | - - - | ![]() | 1206 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-1n4742a, 113-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-A3V9,215 | 0,1000 | ![]() | 6867 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZX84-A3V9,215-954 | 1.304 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 1 V | 3,9 v | 90 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | BZX585-B3V0,115 | - - - | ![]() | 1500 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZX585-B3V0,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 10 µa @ 1 V | 3 v | 95 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | Pzu3.9b2l, 315 | - - - | ![]() | 3873 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-882 | Pzu3.9 | 250 MW | DFN1006-2 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µa @ 1 V | 3,9 v | 90 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C12,113 | 0,0400 | ![]() | 19 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZV85-C12,113-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 200 NA @ 8.4 V. | 12 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | Pzu24b1,115 | 0,0300 | ![]() | 59 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | 310 MW | SOD-323F | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-pzu24b1,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 19 v | 24 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C12,115 | 0,0200 | ![]() | 27 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 5,42% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-BZT52H-C12,115-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 12 v | 10 Ohm | ||||||||||||||
![]() | TDZ27J, 115 | 1.0000 | ![]() | 9840 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | TDZ27 | 500 MW | SOD-323F | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-TDZ27J, 115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 18,9 v | 27 v | 40 Ohm | ||||||||||||||
![]() | BZX84-A27,215 | - - - | ![]() | 1887 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Bzx84 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-BZX84-A27,215-954 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 18,9 v | 27 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | BZX79-B4V3,113 | 0,0200 | ![]() | 140 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 400 MW | ALF2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZX79-B4V3,113-954 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 1 V | 4.3 v | 90 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | Pzu20ba, 115 | 0,0200 | ![]() | 48 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-Pzu20ba, 115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 15 V | 20 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | BZT52H-B3V6,115 | 0,0200 | ![]() | 2584 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZT52H-B3V6,115-954 | 4.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 1 V | 3.6 V | 95 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | BAP50-04W, 115 | 0,1100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 2-smd, Keine Frotung | CS300 | - - - | 2156-BAP50-04W, 115 | 2.645 | 50 ma | 240 MW | 0,5PF @ 5V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | 5ohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | 1PS66SB17,115 | 1.0000 | ![]() | 1033 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | 1PS66 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-1ps66SB17,115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B51,115 | 0,0300 | ![]() | 104 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZX585-B51,115-954 | 9.366 | 1,1 V @ 100 mA | 50 NA @ 35.7 V. | 51 v | 180 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C43115 | - - - | ![]() | 7145 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SC-90 | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-BZX84J-C43115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 50 NA @ 30.1 V. | 43 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | BZX384-B11,115 | - - - | ![]() | 5376 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZX384-B11,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 100 na @ 8 v | 11 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C 30.115 | 0,0200 | ![]() | 157 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZT52H-C30,115-954 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 21 v | 30 v | 40 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | TDZ3V9J, 115 | - - - | ![]() | 1496 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Schüttgut | Aktiv | ± 2,05% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | 500 MW | SC-90 | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-TDZ3V9J, 115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µa @ 1 V | 3,9 v | 90 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | BZX84-C27,215 | - - - | ![]() | 2500 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Bzx84 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-BZX84-C27,215-954 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 18,9 v | 27 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C68,115 | 0,0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SOD-323F | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZX84J-C68,115-954 | 11.823 | 1,1 V @ 100 mA | 50 NA @ 47.6 V. | 68 v | 160 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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