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Dioden (545)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)
NZH20C, 115	0,0200	RFQ	15	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 3%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SOD-123F			500 MW	SOD-123F	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-NZH20C, 115-954			1						900 mv @ 10 mA		40 na @ 15 V				20 v	28 Ohm
BZX79-C3V3,113	0,0200	RFQ	354	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			400 MW	ALF2	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZX79-C3V3,113-954			1						900 mv @ 10 mA		5 µa @ 1 V				3.3 v	95 Ohm
BZB84-C2V4,215	- - -	RFQ	2536	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	- - -	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	BZB84-C2V4		300 MW	To-236ab	Herunterladen						0000.00.0000	1	1 Paar -Gemeinsamer -Anode					900 mv @ 10 mA		50 µa @ 1 V				2,4 v	100 Ohm
BAV99W, 115	- - -	RFQ	2469	NXP -halbleiter	Automotive, AEC-Q101, BAV99	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323	BAV99	Standard		SOT-323	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BAV99W, 115-954			1		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit	1 Paar Serie Verbindung	100 v	150 mA (DC)	1,25 V @ 150 mA	4 ns	500 na @ 80 V	150 ° C (max)
BAV20,143	- - -	RFQ	6288	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial		Standard		ALF2	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-BAV20,143-954			1		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		150 v		1,25 V @ 200 Ma	50 ns	100 NA @ 150 V	175 ° C (max)	250 Ma	5PF @ 0V, 1MHz
BZX585-B3V6,115	0,0300	RFQ	162	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SC-79, SOD-523			300 MW	SOD-523	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZX585-B3V6,115-954			9.366						1,1 V @ 100 mA		5 µa @ 1 V				3.6 V	90 Ohm
BZV85-C43,133	- - -	RFQ	7382	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial			1,3 w	Do-41	Herunterladen						0000.00.0000	1						1 V @ 50 Ma		50 na @ 30 v				43 v	75 Ohm
BZX79-C6V8,113	0,0200	RFQ	300	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			400 MW	ALF2	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZX79-C6V8,113-954			1						900 mv @ 10 mA		2 µa @ 4 V.				6,8 v	15 Ohm
BZX79-C16,133	- - -	RFQ	3155	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial	BZX79-C16		400 MW	ALF2	Herunterladen						0000.00.0000	1						900 mv @ 10 mA		50 NA @ 11.2 V.				16 v	40 Ohm
PMEG4002ESFYL	0,0300	RFQ	1	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	0201 (0603 Metrik)		Schottky		DSN0603-2	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-PMEG4002ESFYL-954	Ear99	8541.10.0070	1		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit		40 v		600 MV @ 200 Ma	1,28 ns	6,5 µa @ 40 V	150 ° C (max)	200 ma	17pf @ 1v, 1 MHz
BZX84-C33,215	0,0200	RFQ	295	NXP -halbleiter	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZX84-C33,215-954			1						900 mv @ 10 mA		50 na @ 23.1 v				33 v	80 Ohm
Pzu 5.6b3,115	0,0300	RFQ	4529	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SC-90, SOD-323F			310 MW	SOD-323F	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-Pzu 5.6b3,115-954	Ear99	8541.10.0050	1						1,1 V @ 100 mA		1 µa @ 2,5 V				5.6 v	40 Ohm
BZX884-C16,315	0,0300	RFQ	18	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Veraltet	± 5%	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOD-882			250 MW	DFN1006-2	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-BZX884-C16,315-954	Ear99	8541.10.0070	1						900 mv @ 10 mA		50 NA @ 11.2 V.				16 v	40 Ohm
NZH9V1B, 115	0,0200	RFQ	198	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SOD-123F			500 MW	SOD-123F	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-NZH9V1B, 115-954	Ear99	8541.10.0070	1						900 mv @ 10 mA		500 na @ 6 v				9.1 v	8 Ohm
BZX79-B5V6,133	0,0200	RFQ	155	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			400 MW	ALF2	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZX79-B5V6,133-954			1						900 mv @ 10 mA		1 µa @ 2 V.				5.6 v	40 Ohm
BZV90-C30,115	1.0000	RFQ	9642	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa	BZV90-C30		1,5 w	SOT-223	Herunterladen						0000.00.0000	1						1 V @ 50 Ma		50 na @ 21 v				30 v	80 Ohm
BZv49-C2V7,115	0,1700	RFQ	16	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-243aa			1 w	SOT-89	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZv49-C2V7,115-954			1						1 V @ 50 Ma		20 µa @ 1 V				2,7 v	100 Ohm
BZV90-C3V0,115	0,1500	RFQ	2	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa			1,5 w	SOT-223	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZV90-C3V0,115-954	Ear99	8541.10.0050	1						1 V @ 50 Ma		10 µa @ 1 V				3 v	95 Ohm
BZV55-C3V0,135	0,0200	RFQ	50	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500 MW	Llds; Minimelf	Herunterladen			UnberÜHrt Ereichen	2156-BZV55-C3V0,135-954			1						900 mv @ 10 mA		10 µa @ 1 V				3 v	95 Ohm
BZX79-B20133	- - -	RFQ	6562	NXP -halbleiter	BZX79	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			400 MW	ALF2	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-BZX79-B20133-954			1						900 mv @ 10 mA		50 na @ 14 v				20 v	55 Ohm
BZX84-A16,215	0,1000	RFQ	4	NXP -halbleiter	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZX84-A16,215-954	Ear99	8541.10.0050	1						900 mv @ 10 mA		50 na @ 700 mv				16 v	40 Ohm
BZX84J-C11,115	- - -	RFQ	3413	NXP -halbleiter	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	± 5%	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SC-90, SOD-323F			550 MW	SC-90	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-BZX84J-C11,115-954			1						1,1 V @ 100 mA		100 na @ 8 v				11 v	10 Ohm
BZX84-A30,215	- - -	RFQ	3818	NXP -halbleiter	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			250 MW	SOT-23	Herunterladen						0000.00.0000	1						900 mv @ 10 mA		50 na @ 700 mv				30 v	80 Ohm
BZV90-C6V2,115	0,1600	RFQ	4	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa			1,5 w	SOT-223	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZV90-C6V2,115-954			1						1 V @ 50 Ma		3 µa @ 4 V.				6.2 v	10 Ohm
BZB84-C5V1,215	- - -	RFQ	6129	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Veraltet	± 5%	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			300 MW	To-236ab	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-BZB84-C5V1,215-954	Ear99	8541.10.0070	1	1 Paar -Gemeinsamer -Anode					900 mv @ 10 mA						5.1 v	60 Ohm
BZT52H-C3V6,115	- - -	RFQ	5971	NXP -halbleiter	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZT52H-C3V6,115-954			1						900 mv @ 10 mA		5 µa @ 1 V				3.6 V	95 Ohm
BZX84-B20,215	- - -	RFQ	1267	NXP -halbleiter	Bzx84	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-BZX84-B20,215-954			1						900 mv @ 10 mA		50 na @ 14 v				20 v	55 Ohm
BZX79-C5V6,133	0,0200	RFQ	325	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			400 MW	ALF2	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZX79-C5V6,133-954			1						900 mv @ 10 mA		1 µa @ 2 V.				5.6 v	40 Ohm
PMEG3002AEL315	- - -	RFQ	5787	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	SOD-882	PMEG3002	Schottky		DFN1006-2	Herunterladen						0000.00.0000	1		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit		30 v		480 mv @ 200 mA		50 µa @ 30 V	150 ° C (max)	200 ma	25PF @ 1V, 1MHz
BZV55-C10,115	0,0200	RFQ	469	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500 MW	Llds; Minimelf	Herunterladen			UnberÜHrt Ereichen	2156-BZV55-C10,115-954	Ear99	8541.10.0070	1						900 mv @ 10 mA		200 na @ 7 V				10 v	20 Ohm

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Dioden (545)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²