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Dioden(545)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	Diodenkonfiguration	Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)	Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)	Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If	Reverse Recovery Time (trr)	Strom – Rückwärtsleckage bei Vr	Betriebstemperatur – Verbindungsstelle	Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	Kapazität @ Vr, F	Spannung – Zener (Nom) (Vz)	Impedanz (Max) (Zzt)	Mit Strom gekoppelte Spannung – Sperrverlust bei Vr	Mit Spannung gekoppelter Strom - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
BZX84-C33,215	0,0200	Anfrage	295	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	±5 %	-65 °C ~ 150 °C	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250 mW	TO-236AB	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BZX84-C33,215-954			1						900 mV bei 10 mA		50 nA bei 23,1 V				33 V	80 Ohm
BAV70SRAZ	-	Anfrage	1579	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenmontage	6-XFDFN freiliegendes Pad		Standard		DFN1412-6	-	Nicht RoHS-konform		Anbieter nicht definiert	2156-BAV70SRAZ-954			1		Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)	2 Paar gemeinsame Kathode	100 V	355mA	1,25 V bei 150 mA	4 ns	500 nA bei 80 V	150°C
BZV55-B30,115	0,0200	Anfrage	243	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	±2 %	-65 °C ~ 200 °C	Oberflächenmontage	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80			500 mW	LLDS; MiniMelf	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BZV55-B30,115-954		0000.00.0000	1						900 mV bei 10 mA		50 nA bei 700 mV				30 V	80 Ohm
BZB984-C12,115	-	Anfrage	4745	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	±5 %	-	Oberflächenmontage	SOT-663			265 mW	SOT-663	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BZB984-C12,115-954			1	1 Paar gemeinsame Anode					900 mV bei 10 mA		100 nA bei 8 V				12 V	10 Ohm
BZX79-C75,113	0,0200	Anfrage	708	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	±5 %	-65 °C ~ 200 °C	Durchgangsloch	DO-204AH, DO-35, Axial			400 mW	ALF2	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BZX79-C75,113-954			1						900 mV bei 10 mA		50 nA bei 700 mV				75 V	255 Ohm
BZB84-B3V9.215	-	Anfrage	1884	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	±2 %	-	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZB84-B3V9		300 mW	TO-236AB	herunterladen						0000.00.0000	1	1 Paar gemeinsame Anode					900 mV bei 10 mA		3 µA bei 1 V				3,9 V	90 Ohm
1N4741A,133	0,0400	Anfrage	18	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv									herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-1N4741A,133-954	EAR99	8541.10.0050	1
BZV49-C39,115	-	Anfrage	7119	NXP Semiconductors	BZV49	Schüttgut	Aktiv	±5 %	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-243AA			1 W	SOT-89	-	Nicht RoHS-konform		Anbieter nicht definiert	2156-BZV49-C39,115-954			1						1 V bei 50 mA		50 nA bei 27,3 V				39 V	130 Ohm
BZX79-C75143	0,0200	Anfrage	185	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv									herunterladen					EAR99	8541.10.0050	1
BAV99/8.235	-	Anfrage	5453	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv					BAV99				herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-BAV99/8,235-954			1
PZU24BA,115	0,0300	Anfrage	124	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	±5 %	-55 °C ~ 150 °C	Oberflächenmontage	SC-76, SOD-323			320 mW	SOD-323	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-PZU24BA,115-954			1						1,1 V bei 100 mA		50 nA bei 19 V				24 V	30 Ohm
BZX79-B5V6.133	0,0200	Anfrage	155	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	±2 %	-65 °C ~ 200 °C	Durchgangsloch	DO-204AH, DO-35, Axial			400 mW	ALF2	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BZX79-B5V6,133-954			1						900 mV bei 10 mA		1 µA bei 2 V				5,6 V	40 Ohm
TDZ5V6J,115	0,0300	Anfrage	63	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101, TDZxJ	Schüttgut	Aktiv	±2 %	-55 °C ~ 150 °C	Oberflächenmontage	SC-90, SOD-323F	TDZ5V6		500 mW	SOD-323F	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-TDZ5V6J,115-954			10.414						1,1 V bei 100 mA		10 µA bei 2,5 V				5,6 V	40 Ohm
1PS74SB23.125	0,0900	Anfrage	47	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenmontage	SC-74, SOT-457		Schottky		6-TSOP	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-1PS74SB23,125-954			1		Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)		25 V		450 mV bei 1 A		1 mA bei 25 V	125 °C (max.)	1A	100 pF bei 4 V, 1 MHz
PZU20B,115	0,0300	Anfrage	19	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Veraltet	±5 %	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-90, SOD-323F			310 mW	SOD-323F	-	Nicht RoHS-konform		Anbieter nicht definiert	2156-PZU20B,115-954	EAR99	8541.10.0050	1						1,1 V bei 100 mA		50 nA bei 15 V				19,97 V	20 Ohm
BZX79-B5V1.143	0,0200	Anfrage	185	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	±2 %	-65 °C ~ 200 °C	Durchgangsloch	DO-204AH, DO-35, Axial			400 mW	ALF2	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BZX79-B5V1,143-954			1						900 mV bei 10 mA		2 µA bei 2 V				5,1 V	60 Ohm
BZX884-C16,315	0,0300	Anfrage	18	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Veraltet	±5 %	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOD-882			250 mW	DFN1006-2	-	Nicht RoHS-konform		Anbieter nicht definiert	2156-BZX884-C16,315-954	EAR99	8541.10.0070	1						900 mV bei 10 mA		50 nA bei 11,2 V				16 V	40 Ohm
BAS40-04.235	0,0200	Anfrage	1041	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv					BAS40				-		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BAS40-04,235-954			10.000
BZB784-C13,115	0,0300	Anfrage	69	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	±5 %	-	Oberflächenmontage	SC-70, SOT-323			180 mW	SOT-323	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BZB784-C13,115-954			1	1 Paar gemeinsame Anode					900 mV bei 10 mA		100 nA bei 8 V				13 V	30 Ohm
BZV55-B5V6.115	0,0200	Anfrage	547	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	±2 %	-65 °C ~ 200 °C	Oberflächenmontage	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80			500 mW	LLDS; MiniMelf	herunterladen			REACH Unberührt	2156-BZV55-B5V6,115-954	EAR99	8541.10.0070	1						900 mV bei 10 mA		1 µA bei 2 V				5,6 V	40 Ohm
BZX79-C43,113	0,0200	Anfrage	214	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	±5 %	-65 °C ~ 200 °C	Durchgangsloch	DO-204AH, DO-35, Axial			400 mW	ALF2	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BZX79-C43,113-954	EAR99	8541.10.0050	1						900 mV bei 10 mA		50 nA bei 700 mV				43 V	150 Ohm
PZU4.7B,115	0,0300	Anfrage	14	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Veraltet	±5 %	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-90, SOD-323F			310 mW	SOD-323F	-	Nicht RoHS-konform		Anbieter nicht definiert	2156-PZU4.7B,115-954	EAR99	8541.10.0050	1						1,1 V bei 100 mA		2 µA bei 1 V				4,66 V	80 Ohm
BZX79-C10,133	0,0200	Anfrage	240	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	±5 %	-65 °C ~ 200 °C	Durchgangsloch	DO-204AH, DO-35, Axial			400 mW	ALF2	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BZX79-C10,133-954			1						900 mV bei 10 mA		200 nA bei 7 V				10 V	20 Ohm
PZU3.0B2,115	1.0000	Anfrage	7015	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	±2 %	-65 °C ~ 150 °C	Oberflächenmontage	SC-90, SOD-323F			310 mW	SOD-323F	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-PZU3.0B2,115-954			1						1,1 V bei 100 mA		10 µA bei 1 V				3 V	95 Ohm
BZX84-A6V8.215	0,1000	Anfrage	4414	NXP Semiconductors	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	±1 %	-65 °C ~ 150 °C	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250 mW	TO-236AB	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BZX84-A6V8,215-954			2.785						900 mV bei 10 mA		2 µA bei 4 V				6,8 V	15 Ohm
BZX884-B27315	0,0300	Anfrage	479	NXP Semiconductors	*	Schüttgut	Aktiv									herunterladen					EAR99	8541.10.0050	1
BZX79-C16,133	-	Anfrage	3155	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	±5 %	-65 °C ~ 200 °C	Durchgangsloch	DO-204AH, DO-35, Axial	BZX79-C16		400 mW	ALF2	herunterladen						0000.00.0000	1						900 mV bei 10 mA		50 nA bei 11,2 V				16 V	40 Ohm
BZV55-B3V3.115	0,0200	Anfrage	191	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	±2 %	-65 °C ~ 200 °C	Oberflächenmontage	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80			500 mW	LLDS; MiniMelf	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BZV55-B3V3,115-954			1						900 mV bei 10 mA		5 µA bei 1 V				3,3 V	95 Ohm
BAW56.215	-	Anfrage	2043	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAW56	Standard		SOT-23	herunterladen						0000.00.0000	1		Schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, >200mA (Io)	1 Paar gemeinsame Anode		215mA (DC)	1,25		500	150 °C (max.)					80	150
BZV85-C4V7.133	0,0300	Anfrage	62	NXP Semiconductors	-	Schüttgut	Aktiv	±5 %	-65 °C ~ 200 °C	Durchgangsloch	DO-204AL, DO-41, Axial			1,3 W	DO-41	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-BZV85-C4V7,133-954			1						1 V bei 50 mA		3 µA bei 1 V				4,7 V	13 Ohm

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lager vorrätig

Dioden(545)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²