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Dioden (545)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
BZV55-C5V1,115 NXP Semiconductors BZV55-C5V1,115 0,0200
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW Llds; Minimelf Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZV55-C5V1,115-954 1 900 mv @ 10 mA 2 µa @ 2 V 5.1 v 60 Ohm
1N4740A,133 NXP Semiconductors 1N4740a, 133 0,0300
RFQ
 ECAD 83 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-1n4740a, 133-954 1
BAS40-04,215 NXP Semiconductors BAS40-04,215 0,0200
RFQ
 ECAD 2929 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv Bas40 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-Bas40-04,215-954 13.000
PMEG2010EPASX NXP Semiconductors PMEG2010EPASX 0,0900
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung 3-udfn exponiert pad Schottky DFN2020D-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-PMEG2010EPASX-954 Ear99 8541.10.0080 3.699 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 20 v 375 mv @ 1 a 50 ns 335 µa @ 20 V 150 ° C (max) 1a 175PF @ 1V, 1 MHz
BAS28,215 NXP Semiconductors BAS28,215 0,0300
RFQ
 ECAD 799 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-253-4, to-253aa Bas28 Standard SOT-143b Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-Bas28,215-954 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 2 Unabhängig 75 V 215 Ma (DC) 1,25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 V 150 ° C (max)
BZX384-B4V7,115 NXP Semiconductors BZX384-B4V7,115 - - -
RFQ
 ECAD 3698 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 BZX384 300 MW SOD-323 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZX384-B4V7,115-954 1 1,1 V @ 100 mA 3 µa @ 2 V 4,7 v 80 Ohm
BAS40-07V,115 NXP Semiconductors BAS40-07V, 115 0,0600
RFQ
 ECAD 842 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv Bas40 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-Bas40-07V, 115-954 5,293
BZX79-C56,143 NXP Semiconductors BZX79-C56,143 0,0200
RFQ
 ECAD 367 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 400 MW ALF2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZX79-C56,143-954 1 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 39.2 V. 56 v 200 Ohm
BZX84-C30,215 NXP Semiconductors BZX84-C30,215 0,0200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 250 MW To-236ab Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZX84-C30,215-954 1 900 mv @ 10 mA 50 na @ 21 v 30 v 80 Ohm
BZV55-B33,115 NXP Semiconductors BZV55-B33,115 0,0200
RFQ
 ECAD 207 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW Llds; Minimelf Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZV55-B33,115-954 1 900 mv @ 10 mA 50 na @ 23.1 v 33 v 80 Ohm
BZT52H-C4V3,115 NXP Semiconductors BZT52H-C4V3,115 0,0200
RFQ
 ECAD 102 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) Oberflächenhalterung SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZT52H-C4V3,115-954 1 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 1 V 4.3 v 95 Ohm
BZX84-B16,215 NXP Semiconductors BZX84-B16,215 0,0200
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 250 MW To-236ab Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZX84-B16,215-954 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 11.2 V. 16 v 40 Ohm
BZV55-C75,115 NXP Semiconductors BZV55-C75,115 0,0200
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW Llds; Minimelf Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZV55-C75,115-954 1 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 52,5 V. 75 V 255 Ohm
BZX79-C10,133 NXP Semiconductors BZX79-C10,133 0,0200
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 400 MW ALF2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZX79-C10,133-954 1 900 mv @ 10 mA 200 na @ 7 V 10 v 20 Ohm
BZX84J-B20,115 NXP Semiconductors BZX84J-B20,115 0,0300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F 550 MW SOD-323F Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZX84J-B20,115-954 1 1,1 V @ 100 mA 50 na @ 14 v 20 v 20 Ohm
BZX79-B3V6,133 NXP Semiconductors BZX79-B3V6,133 0,0200
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 400 MW ALF2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZX79-B3V6,133-954 1 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 1 V 3.6 V 90 Ohm
BAV99/8,235 NXP Semiconductors BAV99/8,235 - - -
RFQ
 ECAD 5453 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv BAV99 Herunterladen Verkäfer undefiniert UnberÜHrt Ereichen 2156-BAV99/8,235-954 1
BZV85-C22,133 NXP Semiconductors BZV85-C22,133 0,0300
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1,3 w Do-41 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZV85-C22,133-954 1 1 V @ 50 Ma 50 Na @ 15,5 V. 22 v 25 Ohm
PMEG4005EGW,118 NXP Semiconductors PMEG4005EGW, 118 1.0000
RFQ
 ECAD 2203 0.00000000 NXP -halbleiter * Schüttgut Aktiv Herunterladen 0000.00.0000 1
BZX84-C47,215 NXP Semiconductors BZX84-C47,215 - - -
RFQ
 ECAD 6984 0.00000000 NXP -halbleiter Bzx84 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 250 MW To-236ab - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-BZX84-C47,215-954 1 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 32.9 V. 47 v 170 Ohm
BZV55-C2V4,115 NXP Semiconductors BZV55-C2V4,115 0,0200
RFQ
 ECAD 5308 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW Llds; Minimelf Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 2156-BZV55-C2V4,115-954 10.000 900 mv @ 10 mA 50 µa @ 1 V 2,4 v 100 Ohm
BZT52H-B4V3,115 NXP Semiconductors BZT52H-B4V3,115 0,0200
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 NXP -halbleiter Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) Oberflächenhalterung SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZT52H-B4V3,115-954 1 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 1 V 4.3 v 95 Ohm
BZB984-C12,115 NXP Semiconductors BZB984-C12,115 - - -
RFQ
 ECAD 4745 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 5% - - - Oberflächenhalterung SOT-663 265 MW SOT-663 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZB984-C12,115-954 1 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 900 mv @ 10 mA 100 na @ 8 v 12 v 10 Ohm
BZB784-C15,115 NXP Semiconductors BZB784-C15,115 - - -
RFQ
 ECAD 6350 0.00000000 NXP -halbleiter BZB784 Schüttgut Aktiv ± 5% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 180 MW SC-70 - - - Rohs Nick Konform Verkäfer undefiniert 2156-BZB784-C15,115-954 1 900 mv @ 10 mA 50 na @ 10,5 V. 15 v 30 Ohm
BZB784-C2V7,115 NXP Semiconductors BZB784-C2V7,115 0,0300
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 5% - - - Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 180 MW SOT-323 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZB784-C2V7,115-954 Ear99 8541.10.0050 1 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 900 mv @ 10 mA 20 µa @ 1 V 2,7 v 100 Ohm
PZU3.6B2L,315 NXP Semiconductors Pzu3.6b2l, 315 0,0300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-882 250 MW DFN1006-2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-pzu3.6b2l, 315-954 Ear99 8541.10.0050 9.947 1,1 V @ 100 mA 5 µa @ 1 V 3.6 V 90 Ohm
BZV55-B3V3,115 NXP Semiconductors BZV55-B3V3,115 0,0200
RFQ
 ECAD 191 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW Llds; Minimelf Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZV55-B3V3,115-954 1 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 1 V 3.3 v 95 Ohm
1PS74SB23,125 NXP Semiconductors 1PS74SB23,125 0,0900
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 Schottky 6-tsop Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-1ps74SB23,125-954 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 25 v 450 mV @ 1 a 1 ma @ 25 v 125 ° C (max) 1a 100pf @ 4v, 1 MHz
BYR29X-600,127 NXP Semiconductors Byr29x-600,127 0,5100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-2 Full Pack Standard To-220f Herunterladen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,7 V @ 8 a 75 ns 10 µa @ 600 V 150 ° C (max) 8a - - -
BZV55-C6V2,115 NXP Semiconductors BZV55-C6V2,115 0,0200
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW Llds; Minimelf Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-BZV55-C6V2,115-954 1 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 4 V. 6.2 v 10 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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