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Dioden (545)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)
BZX84-A43,215	0,1100	RFQ	95	NXP -halbleiter	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZX84-A43,215-954			1						900 mv @ 10 mA		50 NA @ 30.1 V.				43 v	150 Ohm
Pdz33bgwx	- - -	RFQ	8602	NXP -halbleiter	Automobil, AEC-Q101, PDZ-GW	Schüttgut	Aktiv	± 2%	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOD-123			365 MW	SOD-123	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-PDZ33BGWX-954			1						1,1 V @ 100 mA		50 na @ 25 v				33 v	40 Ohm
PMEG3005AESF, 315	- - -	RFQ	9404	NXP -halbleiter	*	Schüttgut	Aktiv					PMEG3005				Herunterladen					Ear99	8541.10.0070	1
BZV85-C3V6,113	0,0300	RFQ	15	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial			1,3 w	Do-41	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZV85-C3v6,113-954			1						1 V @ 50 Ma		50 µa @ 1 V				3.6 V	15 Ohm
BZV85-C36,133	- - -	RFQ	3634	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial	BZV85-C36		1,3 w	Do-41	Herunterladen						0000.00.0000	1						1 V @ 50 Ma		50 na @ 25 v				36 v	50 Ohm
BZX884-C47,315	0,0200	RFQ	28	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SOD-882			250 MW	DFN1006-2	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZX884-C47,315-954	Ear99	8541.10.0070	1						900 mv @ 10 mA		50 NA @ 32.9 V.				47 v	170 Ohm
BZV85-C27,113	0,0400	RFQ	184	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial			1 w	Do-41	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZV85-C27,113-954			1						1 V @ 50 Ma		50 na @ 19 v				27 v	40 Ohm
1N4733a, 113	0,0300	RFQ	214	NXP -halbleiter	*	Schüttgut	Aktiv									Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-1n4733a, 113-954	Ear99	8541.10.0070	1
BZX84-B51,215	- - -	RFQ	4054	NXP -halbleiter	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			250 MW	SOT-23	Herunterladen						0000.00.0000	1						900 mv @ 10 mA		50 NA @ 35.7 V.				51 v	180 Ohm
BZX84-C13,235	0,0200	RFQ	80	NXP -halbleiter	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZX84-C13,235-954	Ear99	8541.10.0050	1						900 mv @ 10 mA		100 na @ 8 v				13 v	30 Ohm
Pzu13b2a, 115	1.0000	RFQ	1332	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SC-76, SOD-323			320 MW	SOD-323	Herunterladen						0000.00.0000	1						1,1 V @ 100 mA		100 na @ 10 v				13 v	10 Ohm
BAS70-04W, 115	- - -	RFQ	9472	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323		Schottky		SC-70	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-Bas70-04w, 115-954			1		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit	1 Paar Serie Verbindung	70 V	70 Ma	1 V @ 15 mA		10 µa @ 70 V	150 ° C.
BZX585-B75,115	- - -	RFQ	1700	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SC-79, SOD-523	BZX585-B75		300 MW	SOD-523	Herunterladen						0000.00.0000	1						1,1 V @ 100 mA		50 NA @ 52,5 V.				75 V	255 Ohm
BZV85-C16,113	0,0300	RFQ	28	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial			1 w	Do-41	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZV85-C16,113-954			1						1 V @ 50 Ma		50 na @ 11 v				16 v	15 Ohm
BZX79-C18,113	0,0200	RFQ	470	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			400 MW	ALF2	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZX79-C18,113-954			1						900 mv @ 10 mA		50 NA @ 12,6 V.				18 v	45 Ohm
Pzu22b1,115	- - -	RFQ	2294	NXP -halbleiter	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	± 2%	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SC-90, SOD-323F			310 MW	SC-90	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-pzu22b1,115-954			1						1,1 V @ 100 mA		50 na @ 17 v				22 v	20 Ohm
BZv49-C11,115	- - -	RFQ	4934	NXP -halbleiter	BZv49	Schüttgut	Aktiv	± 5%	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-243aa			1 w	SOT-89	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-BZv49-C11,115-954			1						1 V @ 50 Ma		100 na @ 8 v				11 v	20 Ohm
BZV55-C20.135	0,0200	RFQ	155	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500 MW	Llds; Minimelf	Herunterladen						0000.00.0000	1						900 mv @ 10 mA		50 na @ 14 v				20 v	55 Ohm
TDZ4V7J, 115	- - -	RFQ	1229	NXP -halbleiter	Automotive, AEC-Q101, TDZXJ	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SC-90, SOD-323F	Tdz4v7		500 MW	SOD-323F	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-TDZ4V7J, 115-954			1						1,1 V @ 100 mA		3 µa @ 2 V				4,7 v	80 Ohm
BZV90-C8V2,115	- - -	RFQ	2861	NXP -halbleiter	BZV90	Schüttgut	Aktiv	± 5%	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa			1,5 w	SC-73	- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-BZV90-C8V2,115-954			1						1 V @ 50 Ma		700 NA @ 5 V.				8.2 v	15 Ohm
Pzu6.2bl, 315	- - -	RFQ	3706	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SOD-882	Pzu6.2		250 MW	DFN1006-2	Herunterladen						0000.00.0000	1						1,1 V @ 100 mA		500 na @ 3 v				6.2 v	30 Ohm
Pzu4.7b2l, 315	- - -	RFQ	5218	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SOD-882	Pzu4.7		250 MW	DFN1006-2	Herunterladen						0000.00.0000	1						1,1 V @ 100 mA		2 µa @ 1 V				4,7 v	80 Ohm
NZH3V3A, 115	0,0200	RFQ	52	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 3%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SOD-123F			500 MW	SOD-123F	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-NZH3V3A, 115-954			1						900 mv @ 10 mA		20 µa @ 1 V				3.3 v	70 Ohm
MMBD4148,215	- - -	RFQ	6158	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3		Standard		To-236ab	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-MMBD4148,215-954			1		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		75 V		1,25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 75 V	150 ° C (max)	215 Ma	1,5PF @ 0V, 1 MHz
BZV55-B36,115	0,0200	RFQ	772	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500 MW	Llds; Minimelf	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZV55-B36,115-954			1						900 mv @ 10 mA		50 na @ 700 mv				36 v	90 Ohm
BZT52H-C62,115	0,0200	RFQ	165	NXP -halbleiter	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZT52H-C62,115-954			1						900 mv @ 10 mA		50 na @ 43.4 v				62 v	140 Ohm
BZB784-C5V6,115	- - -	RFQ	5706	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	- - -	Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323			350 MW	SOT-323	Herunterladen						0000.00.0000	1	1 Paar -Gemeinsamer -Anode					900 mv @ 10 mA		1 µa @ 2 V.				5.6 v	40 Ohm
BZX79-C62,113	0,0200	RFQ	429	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			400 MW	ALF2	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZX79-C62,113-954			1						900 mv @ 10 mA		50 na @ 43.4 v				62 v	215 Ohm
BZX84-B12,215	0,0200	RFQ	105	NXP -halbleiter	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZX84-B12,215-954			1						900 mv @ 10 mA		100 na @ 8 v				12 v	25 Ohm
BZV85-C8V2,133	0,0300	RFQ	66	NXP -halbleiter	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial			1,3 w	Do-41	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BZV85-C8V2,133-954			1						1 V @ 50 Ma		700 NA @ 5 V.				8.2 v	5 Ohm

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Dioden (545)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²