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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZB84-C6V2,215 | 0,0200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | To-236ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZB84-C6V2,215-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 4 V. | 6.2 v | 10 Ohm | |||||||||||||||
![]() | BZX79-B5V1,113 | 0,0200 | ![]() | 140 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 400 MW | ALF2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZX79-B5V1,113-954 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 2 V | 5.1 v | 60 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | PMEG045V050EPDZ | 0,1700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | Schottky | CFP15 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PMEG045V050EPDZ-954 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 490 mv @ 5 a | 19 ns | 300 µa @ 45 V | 175 ° C (max) | 5a | 580PF @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | BZV55-B24,115 | 0,0200 | ![]() | 227 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 MW | Llds; Minimelf | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZV55-B24,115-954 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 Na @ 16,8 V. | 24 v | 70 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B56,113 | 0,0200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 400 MW | ALF2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZX79-B56,113-954 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 39.2 V. | 56 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | PMEG150G20ELPX | - - - | ![]() | 3493 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-128 | Standard | SOD-128/CFP5 | - - - | 2156-PMEG150G20ELPX | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 850 mV @ 2 a | 14 ns | 30 NA @ 150 V | 175 ° C. | 2a | 70pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | PMBD914,215 | 0,0200 | ![]() | 191 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PMBD914 | Standard | To-236ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PMBD914,215-954 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 V | 150 ° C (max) | 215 Ma | 1,5PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | BZX84J-C13,115 | - - - | ![]() | 5511 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SC-90 | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-BZX84J-C13,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 100 na @ 8 v | 13 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C33,115 | 0,0200 | ![]() | 304 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 MW | Llds; Minimelf | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZV55-C33,115-954 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 23.1 v | 33 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C39,143 | 0,0200 | ![]() | 150 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 400 MW | ALF2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZX79-C39,143-954 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 27.3 v | 39 v | 130 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | 1PS70SB40,115 | 0,0300 | ![]() | 779 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Schottky | SOT-323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-1ps70SB40,115-954 | 10.051 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 1 V @ 40 mA | 10 µa @ 40 V | 150 ° C (max) | 120 Ma | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||
![]() | TDZ13J, 115 | - - - | ![]() | 3114 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | TDZ13 | 500 MW | SOD-323F | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-TDZ13J, 115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 100 na @ 8 v | 13 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | NZX6V2C133 | - - - | ![]() | 8589 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | NZX | Schüttgut | Aktiv | ± 2,42% | 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | ALF2 | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-NZX6V2C133-954 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 3 µa @ 4 V. | 6.15 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B27,143 | 0,0200 | ![]() | 40 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 400 MW | ALF2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZX79-B27,143-954 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 18,9 v | 27 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B2V7,115 | - - - | ![]() | 7094 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 MW | Llds; Minimelf | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZV55-B2V7,115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 20 µa @ 1 V | 2,7 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | BZX79-C27,113 | 0,0200 | ![]() | 520 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 400 MW | ALF2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZX79-C27,113-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 18,9 v | 27 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | PLVA659A, 215 | 0,0500 | ![]() | 38 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PLVA659 | 250 MW | To-236ab | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PLVA659A, 215-954 | 6,397 | 900 mv @ 10 mA | 1 µA @ 5,3 V | 5.9 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | BZX84-C2V4,215 | 0,0200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZX84-C2V4,215-954 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 µa @ 1 V | 2,4 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | Pzu3.0b2a, 115 | - - - | ![]() | 1522 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-pzu3.0b2a, 115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 10 µa @ 1 V | 3 v | 95 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C18,133 | 0,0200 | ![]() | 301 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 400 MW | ALF2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZX79-C18,133-954 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 12,6 V. | 18 v | 45 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | BZX384-C62,115 | 1.0000 | ![]() | 3685 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZX384-C62,115-954 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 43.4 v | 62 v | 215 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | BZV85-C36,133 | - - - | ![]() | 3634 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | BZV85-C36 | 1,3 w | Do-41 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 25 v | 36 v | 50 Ohm | |||||||||||||||||||
![]() | Pdz33bgwx | - - - | ![]() | 8602 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobil, AEC-Q101, PDZ-GW | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 365 MW | SOD-123 | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-PDZ33BGWX-954 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 25 v | 33 v | 40 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | Bas16w, 115 | 0,0200 | ![]() | 836 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | Automobil, AEC-Q101, BAS16 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bas16 | Standard | SOT-323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-Bas16W, 115-954 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 100 v | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 175 Ma | 1,5PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | PMEG3005AESF, 315 | - - - | ![]() | 9404 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | PMEG3005 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C3V6,113 | 0,0300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,3 w | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BZV85-C3v6,113-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 µa @ 1 V | 3.6 V | 15 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | Pzu7.5b, 115 | 0,0300 | ![]() | 110 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | 310 MW | SOD-323F | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-Pzu7.5b, 115-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 500 na @ 4 v | 7,5 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | BB208-02,135 | - - - | ![]() | 2082 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | SOD-523 | - - - | 2156-BB208-02.135 | 1 | 5.4PF @ 7.5V, 1 MHz | Einzel | 10 v | 5.2 | C1/C7.5 | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | NZX7V5D, 133 | - - - | ![]() | 5910 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | NZX7V5 | 500 MW | ALF2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 1 µa @ 5 V | 7,5 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | BZX884-B51,315 | 0,0300 | ![]() | 149 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 9.648 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 35.7 V. | 51 v | 180 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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