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Dioden (1956)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Bas321/zlx | - - - |  | 6818 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Bas32 | Standard | SOD-323 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 Na @ 200 V. | 150 ° C (max) | 250 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||
 | BZB84-C5V6,215 | 0,0200 | | 6363 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZB84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52H-B15,115 | 0,0200 | | 71 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 10,5 V. | 15 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||
 | BZV55-B8V2,115 | - - - | | 3231 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZv55 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||
| BAP51-03,115 | 0,3700 | | 11 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SC-76, SOD-323 | Bap51 | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 50 ma | 500 MW | 0,35PF @ 5V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | 2,5 Ohm bei 10 Ma, 100 MHz | |||||||||||||||||
 | BY359X-1500S, 127 | - - - | | 6768 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 Full Pack | By35 | Standard | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1500 V | 2 V @ 20 a | 350 ns | 100 µa @ 1300 V | 150 ° C (max) | 7a | - - - | ||||||||||||||
 | BAS70-05235 | 0,0200 | | 26 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Bas70 | Schottky | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 10 µa @ 70 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||
| BZX84-B15/LF1VL | - - - | | 9433 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-B15 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069392235 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 10,5 V. | 15 v | 30 Ohm | |||||||||||||||
 | BYD17G, 115 | - - - | | 9138 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOD-87 | BYD17 | Lawine | Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,05 V @ 1 a | 3 µs | 1 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1,5a | 21PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||
 | Bas116t, 115 | - - - | | 2965 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Bas11 | Standard | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 75 V | 1,25 V @ 150 mA | 3 µs | 5 Na @ 75 V | 150 ° C (max) | 215 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||
 | BAV70,215 | - - - | | 4727 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAV70 | Standard | SOT-23 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 215 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||
 | BZX585-B62,115 | - - - | | 1828 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX585 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C10/DG/B3235 | - - - | | 9058 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||
| BZX384-C7V5/ZLX | - - - | | 4157 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069127115 | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 700 mv | 7,5 v | 15 Ohm | |||||||||||||||
| BZX84-C4V3,215 | 0,0200 | | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 1 V | 4.3 v | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||
| BZX84-B16/LF1R | - - - | | 5590 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-B16 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069394215 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 11.2 V. | 16 v | 40 Ohm | |||||||||||||||
 | BZV90-C4V7,115 | - - - | | 7715 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZV90 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu3.3b, 115 | 0,0300 | | 827 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu3.3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C22/LF1VL | - - - | | 8702 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-C22 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069449235 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 15.4 v | 22 v | 55 Ohm | |||||||||||||||
 | PDZ9.1B145 | 0,0200 | | 29 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84J-B27,115 | - - - | | 3046 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
| BZT52H-B75,115 | 0,0200 | | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 52,5 V. | 75 V | 175 Ohm | |||||||||||||||||||
 | NXPS20H100C, 127 | 0,2700 | | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 10a | 770 mv @ 10 a | 4,5 µa @ 100 V. | 175 ° C (max) | |||||||||||||||||||
| BZX84-A8V2/DG/B3215 | 0,1200 | | 48 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | BYV10X-600P127 | 1.0000 | | 4140 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | Standard | To-220f | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2 V @ 10 a | 50 ns | 10 µa @ 600 V | 175 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||||||
 | PZM5.1NB1,115 | - - - | | 9692 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM5.1 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µa @ 1,5 V | 5.1 v | 60 Ohm | ||||||||||||||||
 | BZB784-C6V2115 | - - - | | 2278 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX11A133 | - - - | | 8898 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 9.800 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-C56,115 | - - - | | 7653 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX585 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | BAT54C/S501215 | 0,0300 | | 399 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101, BAT54 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SOT-23-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 200 Ma (DC) | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | 150 ° C (max) |
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