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Dioden (1956)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX84-A2V4,235 | 0,1000 |  | 32 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 µa @ 1 V | 2,4 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||
 | BZX585-C4V3,115 | 1.0000 | | 4422 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µa @ 1 V | 4.3 v | 90 Ohm | |||||||||||||||||||||
 | BZX84-B27,235 | 0,0200 | | 80 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu 5.6B2A115 | - - - | | 3942 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B75,133 | - - - | | 9428 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX79 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG3002ESFC315 | 0,0500 | | 63 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMEG3002 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 9.000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | BYV29FD-600,118 | 1.0000 | | 2023 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Standard | Dpak | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,9 V @ 8 a | 35 ns | 50 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | 9a | - - - | |||||||||||||||||||
 | BAS21AVD/DG/B2135 | 1.0000 | | 6678 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bas21 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS88SB48/DG/B2115 | 0,0500 | | 200 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | 1PS88SB48 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | PZM15NB2A, 115 | - - - | | 2017 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM15 | 220 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 70 na @ 11 v | 15 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||
| PMEG2002AESF, 315 | - - - | | 8362 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 0201 (0603 Metrik) | PMEG2002 | Schottky | DSN0603-2 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 420 MV @ 200 Ma | 1,9 ns | 45 µa @ 20 V | 125 ° C (max) | 200 ma | 25PF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||
| PZM22NB3,115 | - - - | | 1093 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM22 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 70 na @ 17 V | 22 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||
 | BZX84J-B24,115 | 0,0300 | | 6052 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C8V2,215 | 0,0200 | | 7131 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 900 mv @ 10 mA | 700 NA @ 5 V. | 8.2 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||
| BZX84-C13/LF1R | - - - | | 7035 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-C13 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069419215 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 13 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||
 | BZB984-C4V7115 | 1.0000 | | 3644 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Pzu3.3b2,115 | 0,0400 | | 16 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu3.3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84J-B30,115 | 0,0300 | | 8786 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-A6V8/LF1R | - - - | | 7365 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069515215 | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 4 V. | 6,8 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||
 | BAV103,115 | 0,0300 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Standard | Llds; Minimelf | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 9.913 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 Na @ 200 V. | 175 ° C (max) | 250 Ma | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||
 | 1PS184,135 | - - - | | 5233 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 1PS18 | Standard | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 80 v | 215 Ma (DC) | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||||
 | BB179B, 135 | - - - | | 4045 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BB17 | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934053250135 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 2.25PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 32 v | 10 | C1/C28 | - - - | ||||||||||||||||
 | BZV55-B5V1,115 | - - - | | 4161 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZv55 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B68113 | 0,0200 | | 7066 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bas316,135 | - - - | | 4226 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bas31 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| PZM4.7NB, 115 | - - - | | 5687 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM4.7 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µa @ 1 V | 4,7 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||
| BZB984-C9V1,115 | - - - | | 1807 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | - - - | Oberflächenhalterung | SOT-663 | 265 MW | SOT-663 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 900 mv @ 10 mA | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 6 Ohm | |||||||||||||||||||||
| 1PS181,135 | - - - | | 6188 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 1PS18 | Standard | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 80 v | 215 Ma (DC) | 1,2 V @ 100 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||||
 | BZX79-B6V8,143 | 0,0200 | | 65 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 400 MW | ALF2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 4 V. | 6,8 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||
| PMEG45U10EPD139 | 1.0000 | | 8807 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 |
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