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Dioden (1956)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BYV25FD-600,118 | 0,3200 |  | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Standard | Dpak | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 944 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,9 V @ 5 a | 35 ns | 50 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | 5a | - - - | |||||||||||||||||||
 | BZX79-B2V7,133 | 0,0200 | | 120 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX79 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM2.7NB, 115 | - - - | | 5936 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM2.7 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 20 µa @ 1 V | 2,7 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||
 | BZX79-B30,113 | 0,0200 | | 7052 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 400 MW | ALF2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 21 v | 30 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||||||
 | BZX384-B20,115 | 0,0200 | | 775 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX384 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| Pzm4,7nb1,115 | - - - | | 2415 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM4.7 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µa @ 1 V | 4,7 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||
 | Pzu5.6ba115 | - - - | | 5049 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT54A/6235 | 0,0300 | | 210 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101, BAT54 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SOT-23-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 30 v | 200 Ma (DC) | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | 150 ° C (max) | |||||||||||||||
 | BYC5D-500,127 | 0,2900 | | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | Standard | To-220ac | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 760 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 2 V @ 5 a | 16 ns | 40 µa @ 500 V | 150 ° C (max) | 5a | - - - | |||||||||||||||||||
| BZX384-C13,115 | - - - | | 7215 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX384 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-C7V5,215 | - - - | | 4195 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZB84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV85-C68133 | 0,0400 | | 15 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B8V2,133 | 0,0200 | | 163 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 400 MW | ALF2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 700 NA @ 5 V. | 8.2 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||
 | BZB84-B51,215 | 0,0300 | | 17 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 11.823 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 35.7 V. | 51 v | 180 Ohm | ||||||||||||||||||||
 | BAS56/DG/B2235 | 0,0400 | | 50 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-B9V1/DG/B3215 | 0,0200 | | 8574 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B4V3,133 | - - - | | 1326 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX79 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BB181,135 | - - - | | 8312 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BB181 | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934055438135 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 1.055PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 16 | C0.5/C28 | - - - | ||||||||||||||||
 | Pzu3.0b, 115 | 0,0300 | | 27 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu3.0 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| BAS40-05/ZLVL | - - - | | 5743 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas40 | Schottky | SOT-23 (to-236ab) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 120 Ma (DC) | 1 V @ 40 mA | 10 µa @ 40 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||
| BZX84-B33/LF1R | - - - | | 7124 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-B33 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069398215 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 23.1 v | 33 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||
 | PZM2.4NB, 115 | - - - | | 5254 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM2.4 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 µa @ 1 V | 2,4 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||
| BZX84-C10/LF1VL | - - - | | 9060 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-C10 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069416235 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 7 V | 10 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||
 | BZX79-C27,113 | - - - | | 8303 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX79 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-B56,215 | 0,0300 | | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 11.823 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 39.2 V. | 56 v | 200 Ohm | ||||||||||||||||||||
| PZM5.1NB, 115 | - - - | | 8991 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM5.1 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µa @ 1,5 V | 5.1 v | 60 Ohm | |||||||||||||||||
 | 1PS70SB10,115 | 0,0300 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | 1PS70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C3V3/LF1R | - - - | | 4827 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-C3V3 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069473215 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 95 Ohm | ||||||||||||||||
| Bas321/zlx | - - - | | 6818 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Bas32 | Standard | SOD-323 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 Na @ 200 V. | 150 ° C (max) | 250 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||
 | BZT52H-B15,115 | 0,0200 | | 71 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 10,5 V. | 15 v | 15 Ohm |
2000+
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