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Dioden (1956)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Pzu4.3b2a115 | - - - |  | 5973 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C2V4,235 | 0,0200 | | 150 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 µa @ 1 V | 2,4 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||
 | BZX884-C7V5,315 | - - - | | 5760 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX884 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||
 | BAS21SW115 | - - - | | 2091 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV85-C43,113 | 0,0400 | | 35 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,3 w | Do-41 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 30 v | 43 v | 75 Ohm | ||||||||||||||||||
 | BZT52H-B22,115 | 0,0200 | | 318 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 15.4 v | 22 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||
 | BZV55-B13,115 | 0,0200 | | 290 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZv55 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C10,215 | 0,0200 | | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 18.560 | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 7 V | 10 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||||
 | BZX585-B8V2,115 | - - - | | 9189 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX585 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
 | Pzu10b1a115 | 0,0200 | | 6445 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 9.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| NZX27B, 133 | 0,0200 | | 24 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | ALF2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 50 na @ 18,9 v | 27 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||
| NZX30X, 133 | - - - | | 6706 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B15,113 | - - - | | 1751 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX79 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||
 | PMEG2010PK, 315 | 0,0500 | | 441 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-xdfn | Schottky | DFN1608D-2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.086 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 415 mv @ 1 a | 4 ns | 600 µa @ 20 V | 150 ° C (max) | 1a | 65PF @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||
| BZX79-C6V2,133 | 0,0200 | | 210 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX79 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||
| BZV55-B56,115 | 0,0200 | | 101 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZv55 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||
| NZX7V5A, 133 | 0,0200 | | 50 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX7 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||
 | Pzu4.7BL315 | 0,0300 | | 4743 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 7.240 | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-B10,215 | 0,0300 | | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 7 V | 10 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||
 | BAV103,115 | 0,0300 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Standard | Llds; Minimelf | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 9.913 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 Na @ 200 V. | 175 ° C (max) | 250 Ma | 5PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||
 | BZX84-A4V7/DG/B4215 | 0,0700 | | 7540 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.900 | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZB784-C3V0115 | 1.0000 | | 7351 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-B27/DG/B3215 | 0,0700 | | 9620 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Bzx84 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 400 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 50 v | 27 v | 80 Ohm | |||||||||||||||
 | Pzu4.7b1,115 | 0,0400 | | 66 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu4.7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
 | NZH20C, 115 | - - - | | 4012 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZH2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
| Pzu8.2ba115 | - - - | | 9385 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| NZX27A, 133 | 0,0200 | | 9877 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | ALF2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 50 na @ 18,9 v | 27 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||
 | BB172X | 0,5300 | | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BB172 | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 2.754PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 32 v | 15 | C1/C28 | - - - | ||||||||||||||
| BZv49-C6V8,115 | - - - | | 4390 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZv49 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||
| Pzu 5.1b1,115 | 0,0400 | | 230 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu5.1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 |
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