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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX884-B3V6,315 | 1.0000 | ![]() | 1604 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 1 V | 3.6 V | 90 Ohm | ||||||||||||||
![]() | BZX79-C24,143 | 0,0200 | ![]() | 215 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 400 MW | ALF2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 Na @ 16,8 V. | 24 v | 70 Ohm | |||||||||||||
![]() | Pzu11b3,115 | 0,0400 | ![]() | 24 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu11 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
![]() | NZX3V3C, 133 | 0,0200 | ![]() | 64 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 3% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | ALF2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 100 Ohm | |||||||||||||
![]() | NZX16B, 133 | - - - | ![]() | 7153 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||
![]() | Pzu7.5b, 115 | 0,0300 | ![]() | 57 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu7.5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
![]() | BYC8-600,127 | 0,3800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BYC8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | ||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C15,215 | - - - | ![]() | 5976 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N4735a, 113 | 0,0400 | ![]() | 90 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | 1N47 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | ||||||||||||||||||||
![]() | Pzu4.3b2,115 | - - - | ![]() | 5512 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu4.3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
![]() | PMEG060V050EPD139 | - - - | ![]() | 2450 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG6010SBYL | 0,0400 | ![]() | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-xdfn | PMEG6010 | Schottky | DSN1006-2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 8,126 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 730 mv @ 1 a | 2.4 ns | 30 µa @ 60 V | 150 ° C (max) | 1a | 20pf @ 10v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BZX585-B9V1,115 | - - - | ![]() | 9966 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX585 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
![]() | NZX3V6A, 133 | 0,0200 | ![]() | 151 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||
![]() | Pzu11b3a115 | 0,0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | Pzu22b3,115 | - - - | ![]() | 2182 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu22 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
![]() | Bas16vy125 | - - - | ![]() | 1429 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bas16 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B5V6,215 | - - - | ![]() | 9945 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C20,215 | 0,0200 | ![]() | 350 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C24,115 | 0,0200 | ![]() | 25 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZT52 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C11.113 | 0,0300 | ![]() | 67 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,3 w | Do-41 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 200 NA @ 7.7 V. | 11 v | 10 Ohm | |||||||||||||
![]() | Byr29-600,127 | 0,4800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | Standard | To-220ac | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 628 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,5 V @ 8 a | 75 ns | 10 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | 8a | - - - | |||||||||||
![]() | BZX84-A3V6,215 | 0,1100 | ![]() | 304 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C3V6,143 | 0,0200 | ![]() | 335 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 400 MW | ALF2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 1 V | 3.6 V | 90 Ohm | |||||||||||||
![]() | BZX384-C11 | - - - | ![]() | 1234 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX384 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384-B51,115 | - - - | ![]() | 3114 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX384 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
![]() | NXPS20H110C, 127 | 0,2800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 110 v | 10a | 770 mv @ 10 a | 6 µa @ 110 V | 175 ° C (max) | ||||||||||||
![]() | BZV85-C8V2,113 | 0,0400 | ![]() | 115 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZV85 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | ||||||||||||||||||||
![]() | PDZ12BGW115 | 0,0200 | ![]() | 8884 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C8V2,135 | 0,0200 | ![]() | 430 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 MW | Llds; Minimelf | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 700 NA @ 5 V. | 8.2 v | 15 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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