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Dioden (1956)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZv49-C36,115 | 0,1800 |  | 38 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZv49 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | |||||||||||||||||||
 | BZX585-B8V2,115 | - - - | | 9189 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX585 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | BZX884-B3V6,315 | 1.0000 | | 1604 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 1 V | 3.6 V | 90 Ohm | |||||||||||||
 | Bas16vy125 | - - - | | 1429 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bas16 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | BZT52H-C24,115 | 0,0200 | | 25 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZT52 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | BZV85-C11.113 | 0,0300 | | 67 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,3 w | Do-41 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 200 NA @ 7.7 V. | 11 v | 10 Ohm | ||||||||||||
 | BZX84-B5V6,215 | - - - | | 9945 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
| Pzu4.3b2a115 | - - - | | 5973 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | PDZ12BGW115 | 0,0200 | | 8884 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | NZH5V1B, 115 | - - - | | 6065 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZH5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | Pzu12B2A115 | - - - | | 7938 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| NZX3V6A, 133 | 0,0200 | | 151 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||
| NZH20C, 115 | - - - | | 4012 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZH2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | Pzu7.5b, 115 | 0,0300 | | 57 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu7.5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
| Pzu4.7b1,115 | 0,0400 | | 66 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu4.7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
| Pzu8.2ba115 | - - - | | 9385 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| NZX27A, 133 | 0,0200 | | 9877 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | ALF2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 50 na @ 18,9 v | 27 v | 80 Ohm | ||||||||||||
 | 1N4735a, 113 | 0,0400 | | 90 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | 1N47 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | |||||||||||||||||||
| BZX585-B24,115 | - - - | | 8213 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX585 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | Byr29-600,127 | 0,4800 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | Standard | To-220ac | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 628 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,5 V @ 8 a | 75 ns | 10 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | 8a | - - - | ||||||||||
| BZX84-A3V6,215 | 0,1100 | | 304 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | BZT52H-B22,115 | 0,0200 | | 318 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 15.4 v | 22 v | 25 Ohm | |||||||||||
 | BZV55-B13,115 | 0,0200 | | 290 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZv55 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | |||||||||||||||||||
 | BZX79-C3V6,143 | 0,0200 | | 335 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 400 MW | ALF2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 1 V | 3.6 V | 90 Ohm | ||||||||||||
 | BYC5B-600,118 | 0,3900 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Standard | D2pak | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 545 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 2,9 V @ 5 a | 50 ns | 100 µA @ 600 V | 150 ° C (max) | 5a | - - - | ||||||||||
 | BAS516115 | 1.0000 | | 8224 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | BZV55-B4V3,115 | 0,0200 | | 231 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 MW | Llds; Minimelf | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 1 V | 4.3 v | 90 Ohm | ||||||||||||
 | BZB784-C2V7,115 | 0,0300 | | 168 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | - - - | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 180 MW | SOT-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 900 mv @ 10 mA | 20 µa @ 1 V | 2,7 v | 100 Ohm | |||||||||||
| BAS21/MI215 | - - - | | 3283 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bas21 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| BZV85-C8V2,113 | 0,0400 | | 115 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZV85 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 |
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