- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Dioden (1956)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZB84-B68,215 | - - - |  | 4488 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZB84 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52-B5V6X | - - - | | 2480 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 1,96% | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52 | 590 MW | SOD-123 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 2 V. | 5.6 v | 40 Ohm | ||||||||||||||||||||
 | Bas16H, 115 | 0,0200 | | 266 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101, BAS16 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | Bas16 | Standard | SOD-123F | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (max) | 215 Ma | 1,5PF @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
 | BZX79-C7V5,113 | 0,0200 | | 458 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX79 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B22,133 | 0,0200 | | 89 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX79 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-C27,215 | 0,0200 | | 6165 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.392 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 18,9 v | 27 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||||
| NZX8V2A, 133 | 0,0200 | | 8367 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | ALF2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 700 NA @ 5 V. | 8.2 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||
| NZX6V8D, 133 | 0,0200 | | 98 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX6 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| PDZ2.7BGW115 | 1.0000 | | 9956 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZT52H-B33,115 | 0,0200 | | 99 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 23.1 v | 33 v | 40 Ohm | ||||||||||||||||||||
| BZX84-B9V1,215 | 0,0200 | | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||
| BAP64-02115 | - - - | | 2135 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-C47,215 | 0,0200 | | 2570 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZB84 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| TDZ9V1J, 115 | 0,0300 | | 1406 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Tdz9v1 | 500 MW | SOD-323F | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||
 | 1N4743a, 133 | 0,0400 | | 110 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µa @ 9,9 V | 13 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||
 | Pzu27b, 135 | - - - | | 7237 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu27 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-A13,215 | 0,1100 | | 7 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM12NB, 115 | - - - | | 1574 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM12 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 100 na @ 9 V | 12 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||
 | Bas21/mi, 215 | 0,0200 | | 467 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bas21 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX36C, 133 | 0,0200 | | 17 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | ALF2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 50 NA @ 25.2 V. | 36 v | 140 Ohm | |||||||||||||||||||||
 | BZX284-C68,115 | - - - | | 2152 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-110 | Bzx284 | 400 MW | SOD-110 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 NA @ 47.6 V. | 68 v | 160 Ohm | |||||||||||||||||
| PMEG2005EGW, 115 | - - - | | 4874 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-B6V2/LF1R | - - - | | 1045 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-B6v2 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069412215 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 4 V. | 6.2 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||
 | BZV90-C75,115 | 0,1600 | | 13 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 1,5 w | SOT-223 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 NA @ 52,5 V. | 75 V | 255 Ohm | |||||||||||||||||||||
| NZX9V1E, 133 | 0,0200 | | 82 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX9 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BB152,115 | - - - | | 9680 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BB15 | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 2,89PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 32 v | 22 | C1/C28 | - - - | |||||||||||||||||
| Pzu12b3,115 | - - - | | 7315 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84J-B16,115 | - - - | | 4758 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| BZX284-C62,115 | - - - | | 2680 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-110 | Bzx284 | 400 MW | SOD-110 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 43.4 v | 62 v | 140 Ohm | |||||||||||||||||
| BAV70SRA147 | - - - | | 6775 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-xfdfn exponiert Pad | BAV70 | Standard | DFN1412-6 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Paar Gemeinsame Kathode Passen | 100 v | 355 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (max) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)