- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Dioden (1956)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZV55-C3V3,115 | - - - |  | 3236 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZv55 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG2010EA115 | - - - | | 6667 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Schottky | SOD-323 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 550 mV @ 1 a | 50 µa @ 15 V | 125 ° C (max) | 1a | 25pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | By29x-1200, 127 | - - - | | 8730 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 Full Pack | By32 | Standard | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1200 V | 1,85 V @ 20 a | 145 ns | 1 ma @ 1000 v | 150 ° C (max) | 8a | - - - | ||||||||||||||||||
 | Pzu 5.1b1a, 115 | - - - | | 6770 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu5.1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C5V1/LF1R | - - - | | 7717 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-C5V1 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069497215 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 2 V | 5.1 v | 60 Ohm | |||||||||||||||||||
 | Byv32e-150, 127 | - - - | | 4003 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | BYV32 | Standard | To-220ab | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 20a | 1,15 V @ 20 a | 25 ns | 30 µA @ 150 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||
| BB200,215 | - - - | | 9483 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BB20 | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 14.8PF @ 4,5 V, 1 MHz | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 18 v | 5 | C1/C5 | - - - | ||||||||||||||||||||
| PMBD354,215 | 0,0800 | | 37 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMBD3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C36143 | 0,0200 | | 55 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS70SB45,115 | 0,0300 | | 366 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | 1PS70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM7,5NB, 115 | - - - | | 2051 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM7.5 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 1 µA @ 4 V. | 7,5 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||
 | Byv40e-150.115 | 0,2900 | | 14 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Byv40 | Standard | SOT-223 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.031 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 1,5a | 1 V @ 1,5 a | 25 ns | 10 µA @ 150 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||
 | BZB84-B12,215 | - - - | | 7248 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZB84-B12 | 300 MW | To-236ab | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 12 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||||
 | Byd17d, 115 | - - - | | 5802 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOD-87 | BYD17 | Lawine | Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,05 V @ 1 a | 3 µs | 1 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1,5a | 21PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||
| Pzm3,3nb2,115 | - - - | | 7863 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM3.3 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||
 | BZX84J-C3V9,115 | - - - | | 4025 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BAP64-05,215 | 0,3600 | | 139 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bap64 | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 250 MW | 0,35PF @ 20V, 1 MHz | Pin - 1 Paar Gemeinsame Kathode | 175V | 1,35OHM @ 100 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||||||
| BZX84-C51/LF1R | - - - | | 4694 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-C51 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069496215 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 35.7 V. | 51 v | 180 Ohm | |||||||||||||||||||
 | BZX79-C4V3,113 | 0,0200 | | 246 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX79 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYV25FX-600,127 | 0,2900 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | Standard | To-220f | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 875 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,9 V @ 5 a | 35 ns | 50 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | 5a | - - - | ||||||||||||||||||||||
 | 1PS75SB45,135 | - - - | | 9466 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 1PS75 | Schottky | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 120 Ma (DC) | 1 V @ 40 mA | 10 µa @ 40 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||
| BZV55-B15,115 | - - - | | 8767 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZv55 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX884-B15315 | - - - | | 5201 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 10,5 V. | 15 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||
 | BZV90-C5V1135 | - - - | | 7568 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX15C, 133 | 0,0200 | | 55 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYV32E-100,127 | 0,5400 | | 12 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BYV32 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM18NB3,115 | - - - | | 6232 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM18 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 70 na @ 13 v | 18 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||
 | 1N4747a, 113 | 0,0400 | | 290 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | 1N47 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BB135,115 | 0,4500 | | 13 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BB135 | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 2.1pf @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 12 | C0.5/C28 | - - - | ||||||||||||||||||||
 | BZV85-C4V7,113 | 0,0400 | | 100 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,3 w | Do-41 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 3 µa @ 1 V | 4,7 v | 13 Ohm |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)