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Dioden (34409)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Geschwindigkeit	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)
Jankca1n5527c	- - -	RFQ	3952	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/437	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-Jankca1n5527c	Ear99	8541.10.0050	100					1,1 V @ 200 Ma		500 NA @ 6.8 V.				7,5 v	35 Ohm
1 PMT4121/TR13	0,9600	RFQ	7371	Mikrochip -technologie	PowerMite®	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-216aa	13.00121		1 w	Do-216	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	12.000					1,1 V @ 200 Ma		10 NA @ 25.08 V.				33 v	200 Ohm
MBR60200PTE3/TU	2.0100	RFQ	6493	Mikrochip -technologie	*	Rohr	Aktiv					MBR60200				- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	2.000
JantX1N3042CUR-1/Tr	33.2500	RFQ	1735	Mikrochip -technologie	Militär, MIL-PRF-19500/115	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213ab, Melf (GLAS)			1 w	Do-213AB (Melf, LL41)	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-Jantx1n3042Cur-1/Tr	Ear99	8541.10.0050	1					1,2 V @ 200 Ma		10 µA @ 62,2 V.				82 v	200 Ohm
Janhca1n5525c	- - -	RFQ	4836	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/437	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-Janhca1N5525c	Ear99	8541.10.0050	100					1,1 V @ 200 Ma		1 µa @ 5 V				6.2 v	30 Ohm
MBR3090CTE3/TU	1.1700	RFQ	8532	Mikrochip -technologie	- - -	Rohr	Aktiv			K. Loch	To-220-3	MBR3090	Schottky		To-220ab	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	2.000	SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)	1 Paar Gemeinsamer Kathode	90 v	15a	800 mv @ 15 a		50 µa @ 90 V	-65 ° C ~ 175 ° C.
Jankca1N4132	- - -	RFQ	6658	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/435	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	DO-204AA, DO-7, Axial			500 MW	DO-7 (DO-204AA)	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-Jankca1N4132	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 Ma		10 NA @ 62.32 V.				82 v	800 Ohm
1N4680/tr	3.6575	RFQ	5758	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-1n4680/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 Ma		4 µa @ 1 V				2,2 v
Jan1N4566AUR-1	10.6050	RFQ	2993	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213AA (GLAS)	1N4566		500 MW	Do-213aa	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1							2 µa @ 3 V				6.4 v	200 Ohm
CDLL4689/Tr	3.3117	RFQ	6225	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213aa			500 MW	Do-213aa	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-cdll4689/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 Ma		10 µa @ 3 V				5.1 v
JANS1N6621US	135.4500	RFQ	3111	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	SQ-Melf, a		Standard		A, SQ-Melf	- - -			UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	1	SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		400 V		1,6 V @ 2 a	45 ns		-65 ° C ~ 150 ° C.	1.2a	- - -
1N4479c	17.7000	RFQ	3019	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	DO-204AL, DO041, Axial			1,5 w	Do-41	Herunterladen			UnberÜHrt Ereichen	150-1n4479c	Ear99	8541.10.0050	1					1,5 V @ 1 a		50 NA @ 31.2 V.				39 v	30 Ohm
JantX1N4570A-1	6.5400	RFQ	5282	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/452	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial	1N4570		500 MW	Do-35	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1							2 µa @ 3 V				6.4 v	100 Ohm
JantX1N6330C	29.2350	RFQ	6063	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/533	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial			500 MW	DO-35 (Do-204AH)	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-Jantx1N6330c	Ear99	8541.10.0050	1					1,4 V @ 1 a		50 na @ 14 v				18 v	14 Ohm
Jan1N4476CUS	27.6750	RFQ	7151	Mikrochip -technologie	Militär, MIL-PRF-19500/406	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	SQ-Melf, a	1N4476		1,5 w	D-5a	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 Ma		50 na @ 24 v				30 v	20 Ohm
JantX1N5536B-1	6.8550	RFQ	7859	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/437	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial	1N5536		500 MW	DO-204AH (DO-35 GLAS)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 Ma		10 na @ 14.4 v				16 v	100 Ohm
Jantxv1n4981dus/tr	51.2700	RFQ	6770	Mikrochip -technologie	MIL-PRF-19500/356	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SQ-Melf, b			5 w	E-Melf	- - -				150-Jantxv1n4981dus/tr	Ear99	8541.10.0050	100					1,5 V @ 1 a		2 µA @ 69.2 V.				91 V	90 Ohm
Jantxv1N6657	328.4550	RFQ	9096	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	To-254-3, to-254aa (Gerade Leads)		Standard		To-254	- - -	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	1	SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		100 v		1,2 V @ 20 a	35 ns	10 µa @ 100 V.	- - -	15a	150pf @ 10v, 1 MHz
Jantxv1n6620us/tr	19.4400	RFQ	6510	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/585	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	SQ-Melf, a		Standard		D-5a	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-Jantxv1n6620us/tr	Ear99	8541.10.0080	1	SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		220 V		1,4 V @ 1,2 a	30 ns	500 NA @ 220 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	1.2a	- - -
JantXV1N4577AUR-1	13.8900	RFQ	9799	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/452	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213AA (GLAS)	1N4577		500 MW	Do-213aa	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1							2 µa @ 3 V				6.4 v	50 Ohm
R3560PF	62.1000	RFQ	1626	Mikrochip -technologie	R35	Schüttgut	Aktiv			PRICE PASSFORM	Do-208aa	R3560	Standard, Umgekehrte Polarität		Do-21	Herunterladen	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	1	Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)		600 V		1,25 V @ 200 a		10 µa @ 600 V	-65 ° C ~ 200 ° C.	70a	- - -
CDLL5271B/Tr	3.3516	RFQ	3191	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213ab, Melf			10 MW	Do-213ab	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-cdll5271b/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 Ma		100 na @ 76 v				100 v	500 Ohm
CD6313	2.1014	RFQ	8473	Mikrochip -technologie	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	- - -	- - -	Oberflächenhalterung	Sterben				Sterben	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	150-CD6313	Ear99	8541.10.0050	1
JantXV1N980CUR-1	19.3800	RFQ	7374	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/117	Schüttgut	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Oberflächenhalterung	Do-213AA (GLAS)	1N980		500 MW	Do-213aa	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 Ma		500 NA @ 47 V				62 v	185 Ohm
JANS1N6338DUS	532.6350	RFQ	9010	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/533	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SQ-Melf, b			500 MW	B, SQ-Melf	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-Jans1N6338DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1,4 V @ 1 a		50 na @ 30 v				39 v	55 Ohm
Jan1N2835RB	- - -	RFQ	6383	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-204ad	1N2835		10 w	To-204ad (to-3)	- - -	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1					1,5 V @ 2 a		10 µa @ 56 V				75 V	9 Ohm
Jan1N4579A-1	27.1500	RFQ	1490	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/452	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial	1N4579		500 MW	DO-35 (Do-204AH)	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1							2 µa @ 3 V				6.4 v	50 Ohm
CDLL5535d	16.2000	RFQ	3147	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	Do-213aa			500 MW	Do-213aa	- - -			UnberÜHrt Ereichen	150-cdll5535d	Ear99	8541.10.0050	1					1,1 V @ 200 Ma		10 Na @ 13,5 V.				15 v	100 Ohm
JantXV1N6658R	328.4550	RFQ	1121	Mikrochip -technologie	- - -	Schüttgut	Aktiv			K. Loch	To-254-3, to-254aa (Gerade Leads)		Standard		To-254	- - -	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	1	SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)		150 v		1,2 V @ 20 a	35 ns	10 µA @ 150 V	- - -	15a	150pf @ 10v, 1 MHz
JANS1N4570AUR-1	85.9650	RFQ	2635	Mikrochip -technologie	Militär, Mil-PRF-19500/452	Schüttgut	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	Do-213aa			500 MW	Do-213aa	- - -	Rohs Nick Konform		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	1							2 µa @ 3 V				6.4 v	100 Ohm

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Dioden (34409)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²