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Dioden (34409)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JantX1N969CUR-1/Tr | 14.9359 |  | 2798 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1n969cur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 NA @ 17 V | 22 v | 29 Ohm | |||||||||||||||
 | JANS1N6349C | 261.5806 | | 6166 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N6349c | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n5619 | 9.4200 | | 9158 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/429 | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | A, axial | 1N5619 | Standard | A, axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,6 V @ 3 a | 250 ns | 500 NA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25pf @ 12v, 1 MHz | ||||||||||||
| Jan1N6774 | - - - | | 3719 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-257-3 | Standard | To-257 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,15 V @ 15 a | 35 ns | 10 µa @ 800 mV | -65 ° C ~ 150 ° C. | 15a | 300PF @ 5V, 1 MHz | ||||||||||||||
 | MPP4201-206/Tr | 4.3800 | | 3931 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C. | 0402 (1005 Metrik) | MPP4201 | 0402 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 150-mpp4201-206/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | 0,2PF @ 10V, 1 MHz | Pin - Single | 70V | 2,5 Ohm bei 20 Ma, 100 MHz | ||||||||||||||||
 | JANS1N6320US | 211.0400 | | 46 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 1N6320 | 500 MW | B, SQ-Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 2 µa @ 4 V. | 6,8 v | 3 Ohm | ||||||||||||||
| 1N4476C | 17.7000 | | 7538 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | DO-204AL, DO041, Axial | 1,5 w | Do-41 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4476c | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 50 na @ 24 v | 30 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||
| JantX1N6337 | 12.4350 | | 2674 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N6337 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 27 v | 36 v | 50 Ohm | ||||||||||||||
 | JantX1N6642U | 7.2750 | | 6568 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/578 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 1N6642 | Standard | D-5b | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 75 V | 1,2 V @ 100 mA | 20 ns | 500 NA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 300 ma | 5PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
| CD3821 | 4.0650 | | 7689 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 1 w | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD3821 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 3.3 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||
 | SMBJ5385CE3/TR13 | 1.0800 | | 3011 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SMBJ5385 | 5 w | Smbj (do-214aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 122 V. | 170 v | 380 Ohm | ||||||||||||||
 | 1N5370AE3/TR8 | 2.6250 | | 7417 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5370 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 a | 500 NA @ 40.3 V. | 56 v | 35 Ohm | ||||||||||||||
 | LXS101-23-3 | 6.7350 | | 2410 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C. | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | LXS101 | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-LXS101-23-3 | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 1 a | 250 MW | 1pf @ 0v, 1 MHz | Schottky - 1 Paar Gemeinsame -Anode | 8v | - - - | |||||||||||||||
| SBR6050 | 148.2150 | | 6803 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Schottky | DO-5 (DO-203AB) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-SBR6050 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 700 mv @ 60 a | 2 ma @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C. | 60a | - - - | |||||||||||||||
 | BZV55C2V7 | 2.9400 | | 4260 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 7% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | BZV55C2V7 | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 20 µa @ 1 V | 2,7 v | ||||||||||||||||
 | JANS1N5807/Tr | 25.7850 | | 4447 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/477 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | B, axial | Standard | B, axial | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1n5807/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 875 mv @ 4 a | 30 ns | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - - - | ||||||||||||||
| JANS1N4963 | 80.9550 | | 7916 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | B, axial | 5 w | B, axial | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 5 µA @ 12,2 V. | 16 v | 3,5 Ohm | |||||||||||||||||
| JantX1N4370D-1/Tr | 12.4089 | | 1480 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantx1N4370D-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 2,4 v | 30 Ohm | |||||||||||||||
| Jantxv1n4964dus | 27.0600 | | 1841 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4964dus | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 5 µa @ 13,7 V | 18 v | 4 Ohm | ||||||||||||||||
| JANS1N4957US/Tr | 107.9502 | | 7893 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, e | 5 w | D-5b | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1n4957us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 25 µa @ 6,9 V | 9.1 v | 2 Ohm | |||||||||||||||
 | 1 PMT5933B/TR7 | 2.2200 | | 1819 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-216aa | 13.5933 | 3 w | Do-216aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 16,7 V | 22 v | 17,5 Ohm | ||||||||||||||
| MBR2090CTE3/TU | - - - | | 9818 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Rohr | Aktiv | MBR2090 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | ||||||||||||||||||||||||
| CD5364 | 5.6700 | | 5737 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 5 w | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD5364 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 500 NA @ 25.1 V. | 33 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||
| S4350 | 112.3200 | | 3278 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | Standard | DO-205AA (DO-8) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-S4350 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,1 V @ 200 a | 50 µa @ 500 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - - - | |||||||||||||||
| 1n823ur-1/tr | 4.9500 | | 6714 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n823ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µa @ 3 V | 6.2 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||
| Jan1n759dur-1 | 14.2500 | | 2074 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N759 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 1 µa @ 9 V | 12 v | 30 Ohm | ||||||||||||||
| Jantxv1n4961cus/tr | 26.5800 | | 3725 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/356 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 5 w | E-Melf | - - - | 150-Jantxv1n4961cus/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 10 µa @ 9,9 V | 13 v | 3 Ohm | |||||||||||||||||
| 1N5352E3/TR8 | 2.6250 | | 4360 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | T-18, axial | 1N5352 | 5 w | T-18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,2 V @ 1 a | 1 µA @ 10,8 V. | 15 v | 2,5 Ohm | ||||||||||||||
 | Jantxv1n4467us/tr | 12.8611 | | 1452 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jantxv1n4467us/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 1 a | 200 NA @ 9.6 V. | 12 v | 7 Ohm | |||||||||||||||
 | CDLL3041 | 15.3000 | | 4084 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 20% | -55 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | CDLL3041 | 1 w | Do-213ab | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 56 V | 75 V | 175 Ohm |
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